ITO废靶回收金属铟

磁控溅射镀膜后的ITO废靶，以及ITO靶材生产中产生的边角料，切屑，废品等是再生铟的主要原料，对废靶的还原-二次电解工艺进行了研究。并获得了工艺参数良好。回收率高，纯度为99.993%的金属铟产品。     

ITO靶材的毒化机理研究现状

为了更好的了解ITO靶材的毒化机理,分别介绍了磁控溅射技术制备薄膜的基本原理,综述了ITO靶材在溅射过程中的毒化机理研究的现状,分析了影响ITO靶材毒化现象可能的原因,详细介绍了现阶段3种解决ITO靶材毒化现象的方法:不同工艺制备ITO靶材的影响、最佳Sn掺杂量和其他元素的掺杂等的影响以及溅射工艺的影响,指出了他们各自缓解ITO靶材毒化现象的原理。并且展望了未来解决我国ITO靶材毒化问题的发展方向。为我国ITO靶材的发展提供一定的参考。     

ITO超细粉末的研制

应日本SEI公司的要求,通过大量的试验,研究出制备超细ITO粉末（In2O3-SnO2的独特工艺,使一次平均粒径达02～0.3μm,比日本目前水平平均粒径l1～3μm约小一个数量级．用它制备的透明电极ITO薄膜,相对密度（R．D值）高达95％～98％,高于日本市场要求的技术水平．本工艺具有极好的再现性,大大地简化了工序减少了玷污,为工业生产透明电极材料ITO超细粉末创造了条件．     

淀积温度和氧含量对ITO膜结构及性能的影响

在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜 ,采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与温度和氧含量的关系 ,并测量分析了薄膜电阻率及透光率分别随温度和氧含量的变化情况。所镀制的ITO膜电阻率已降到 <2× 10 - 4Ω·cm ,可见光透过率达 80 %以上。     

浅议ITO靶材的制备方法及发展趋势

系统地阐述了ITO靶材的性质、特点和用途,重点介绍了目前常用制备ITO靶材的烧结工艺和成型方法的发展现状及对应特点。在对目前国内外ITO靶材的发展情况和发展现状进行分析的基础上,对ITO靶材未来低电阻率、高密度、尺寸大型化等发展趋势进行了展望。     

降温速率对ITO靶材相组成的影响

对400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000 ℃温度下煅烧制得的氧化铟锡(ITO)粉体进行X射线衍射分析, 利用Vegard定律分析得到的衍射数据计算出靶材的晶格常数和氧化锡在ITO靶材中的固溶度, 得出ITO靶材中氧化锡的固溶度大小主要与温度有关, 氧化锡相在靶材中的固溶度随着温度的升高而增大的结论.靶材热压烧结降温时, 保持120～150 ℃·h-1的降温速率可以得到纯度为99.995%, 相对密度为99.274%的氧化铟单相ITO靶材.     

微波烧结制备ITO靶材的工艺

采用单相ITO(indium tin oxide,铟锡氧化物)复合粉末,经过压制成形后,在纯氧气氛下微波烧结制备ITO靶材,研究烧结温度、保温时间和压制压力等主要工艺参数对ITO靶材致密化的影响。结果表明:靶材的相对密度随烧结温度升高而增大;在1 600℃烧结时,靶材的相对密度随保温时间增加先增大后减小,在保温1.5 h时相对密度达到最大值(98.67%),高温长时间烧结对ITO靶材的致密化不利。微波烧结的ITO靶材显微组织均匀,晶粒尺寸较均匀,约为6～8μm。不同温度下制备的ITO靶材均无SnO2相析出,仍是单一的固溶体相,不存在第二相。     

喷雾干燥-冷等静压-烧结法制备ITO靶材的工艺研究

以化学共沉淀法制备的ITO粉末为原料,采用喷雾干燥-冷等静压-烧结法制备了ITO靶材,通过扫描电子显微镜(SEM)观察粉末、素坏及烧结后ITO靶材的表面形貌和气孔分布,并就粉末不同粒度组成对靶材压制与烧结效果的影响进行了分析.实验结果表明:通过喷雾干燥-冷等静压-烧结工艺可制备出相对密度大于97%的ITO靶材,喷雾干燥...     

ITO透明导电薄膜的溶胶凝胶法制备及结构表征

以五水硝酸铟和乙酰丙酮为原料,以无水氯化锡为掺杂剂,采用溶胶凝胶工艺,用提拉法在石英玻璃基体上制备了ITO透明导电薄膜。采用DTA—TG、XRD、SEM、四探针电阻率仪、紫外分光光度计等仪器对ITO透明导电薄膜的相转变过程、物相、表面结构、微区形貌和物理性能进行了测定和分析。结果表明:采用溶胶凝胶工艺在石英玻璃基体上制备ITO透明导电薄膜是完全可行的。ITO薄膜具有由多个粒子堆积而成的多孔微观结构,其晶体结构为立方锰铁矿结构,[111]为明显的择优取向,经过5次镀膜后其厚度在150nm以下,薄膜的方电阻为110Ω,其电阻率约为1.65×10-2Ω·cm。薄膜的透光率在90%以上。     

铟深加工—纳米级ITO粉末的研制

用液相共沉淀法制备了纳米级ITO粉末，通过在底液中添加分散剂A，有效地防止了团聚现象的发生。用X射线衍射仪分析了粉末的XRD谱图，证实粉末呈单一相，为立方晶系，粉末用透射电镜分析，粒径40-50nm，呈球形。     

在纳米ITO粉末共沉淀法制备过程中pH值的影响

研究了水相共沉淀法制备ITO粉末过程中，pH值对粉末形成过程的影响，并用TEM和XRD对其作了表征分析。结果表明，反应pH值在2．8～4．1之间时可实现共沉淀。在沉淀终点pH=9时，晶粒粒径最小，比表面积最大，团聚系数最小，粒径分布均匀，单分散性能好，无团聚现象。当pH值过低时，沉淀不完全，造成物料流失；pH值过高时，颗粒变大，会影响到比表面积变小等其他相关性能。     

ITO靶材的断口分析

对国产与日本产两种ITO靶材进行全面的分析对比,并对ITO靶材的断口形貌与靶材黑化结瘤之间的关系进行了探讨。结果表明,国产靶材与日本靶材的相对密度、电阻率、失氧率等参数比较接近,二者均为单一晶相的固溶体。国产靶材的断面为"解理+韧窝"的脆—韧混合断裂,断裂面晶界上出现了粒径较大的无规则颗粒物;而日本靶材断面为解理脆性断裂,断裂面晶界清晰,无颗粒物出现。     

利用ITO废靶材回收金属铟

以ITO(Indium Tin Oxide)废靶材为原料进行盐酸溶解、铝置换和电解 ,以回收金属铟。讨论了酸溶解、铟锡分离和电解的影响因素。得出用盐酸溶解 ,用量为理论用量的 1.5～ 3倍 ,溶解温度在 85℃时 ,靶材溶解迅速彻底。溶液温度为 5 0℃时 ,用金属铟置换溶液中锡离子 ,再用薄铝片将铟离子置换出来 ,粗铟的回收率可达到 97%。粗铟电解的最佳条件是 [In] =5 0～ 10 0 g·L- 1 ,温度 2 5℃ ,pH值 2 .5 ,电流密度 60～ 80A·m- 2 ,槽电压 3 3 0～ 3 5 0mV ,电解得到纯度 99.995 %的金属铟 ,金属铟总的回收率大于 93 %。     

沉淀法制备ITO粉体及其性能研究

以InCl3、SnCl4、尿素和氨水为主要原料,采用化学共沉淀法制备出ITO粉体,探讨了沉淀剂种类和煅烧温度对ITO粉体性能的影响。结果表明：采用氨水可制备针状、粒度分布窄的纳米粉体,沉淀剂为尿素时则为块状、粒度分布较宽的微米粉体;随煅烧温度的提高,粉体的比表面积呈下降趋势,从700℃的28．65m2／g下降到900℃的12．23m2／g;氨水作沉淀剂且煅烧温度为700℃时可获得粒度均匀、分散性好、物相单一的纳米ITO粉。     

ITO超细粉末的研制

应日本ＳＥＩ公司的要求，通过大量的试验，研究出制备超细ＩＴＯ粉末（Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２）的独工艺，使一次平均粒径达０．２～０。．３μｍ，比日本目前平均粒径１～３μｍ小约一个数量级。用它制备的透明电极ＩＴＯ薄膜，相对深度（Ｒ．Ｄ值）高达９５％～９８％，高于日本市场要求的技术水平，本工艺具有极好的再现性，大大地简化了工序，减少了玷污。为工业生产透明电极材料ＩＴＯ超细粉末创造了条件。     

铟锡氧化物薄膜的生产,应用与开发

介绍了铟锡氧化物（ITO）薄膜的特性、主要生产工艺及其在汽车、宇航、建筑、电子等领域的应用。并对该材料生产工艺及产品市场的发展前景进行了展望。