微波低噪声晶体管放大器设计总结

一、引言近年来我国半导体工业在毛主席革命路线的指引下得到了很大的发展。试制和生产了大量的微波半导体器件,为设计和制造微波晶体管放大器创造了有利条件。微波低噪声晶体管放大器具有频带宽、动态范围大、噪声系数小、相位线性好、稳定可靠、寿命长、耗电省、体积小和重量轻等许多优点。可用于测量仪器、雷达、微波中继通信,     

微波晶体管放大器的分析与设计

本文在分析微波晶体管线性有源网络的基础上,详细讨论了微波晶体管放大器的图解设计方法,给出了单级和双级微波晶体管放大器的设计实例与测试结果。文中给出的噪声系数测试系统与噪声系数计算公式便于一般实验室条件下采用。     

微波固态放大器的机辅分析

本文简述了微波固态放大器在雷达电子系统中所起的重要作用后,比较了微波晶体管放大器、萧脱基壁垒门型场效应管放大器及砷化镓场效应管放大器等的特点,评估了它们的性能,推导了分析和设计微波晶体管及场效应管放大器所需的一系列重要公式,并给出了用FORTRAN77之一种——PSU/WATFIV编写的程序.该程序已在IBM3081机上运行通过,亦可在其它各种常见中小型机器上运行。     

2.4GHz低噪声放大器的研究

低噪声放大器是对来自天线的微伏级信号进行放大的射频接收端的放大模块。该低噪声放大器主要由输入匹配网络、微波晶体管放大器和输出匹配网络组成。匹配网络采用微带线形式建立，微波晶体管采用NPN硅晶体管BFP420。利用Microwave Office进行电路仿真和优化。该放大器满足小信号放大器的指标要求，可以用于射频接入电路的前端。     

采用SDC结构的微波宽带平衡放大器及其CAD

微波宽带平衡放大器由于其众多的优点,在许多微波通信设备中发挥着其独特、可靠的作用。解决平衡放大器电路设计的关键在于实现高方向性、紧耦合的3dB定向耦合器部件。本文介绍了一种采用锯齿形级联定向耦合器结构的微波宽带平衡放大器电路,并在电路原理分析的基础上得到了其CAD方法。最后研制了相应的硬件电路,经测试表明电路指标良好,取得了令人可喜的实用成果。     

“微波宽带低噪声高增益场效应放大器优化设计研究”通过鉴定

“微波宽带低噪声高增益场效应放大器优化设计研究”通过鉴定微波宽带低噪声高增益场效应晶体管放大器是雷达、通信和电子对抗等电子系统中关键的微波前端，有广泛的军用和民用价值。我校八系陈开周教授最近完成并通过鉴定的电科院军事电子预研基金项目“微波宽带低噪声高...     

2GHz功率放大链的设计与实验研究

微波晶体管与微带电路技术相结合,开创了微波发射机系统固体化、小型化的新途径.本文介绍的具有增益高、结构简单、制作调测容易、维护方便、一致性强等特点的2GHz 功率放大链,可用于中小容量数模兼容微波系统的发射机及其它的应用中.1 方案该放大链由五级放大器组成,共分三个单元:前级放大单元,推动放大单元及末级放大单元.前级放大单元由两级放大器组成,使用两只3DG90E 组成共发甲类放大器,在整个工作     

绝缘栅双极型晶体管IGBT

八十年代发展起来的新型复合器件——绝缘栅双极型晶体管IGBT,采用了双导电机制;它的输入级为一种利用MOS栅控的场效应晶体管,具有MOSFET的高输入阻抗和电压控制的特性;输出级为双极型功率晶体管GTR,具有输出阻抗低和电流密度大的特点,而且它的开关速度又远远高于GTR。共等效电路图如图一所示,因此这种器件可以用逻辑电平信号直接驱动控制较大的功率。具有电压型控制的特点:输入阻抗高、需要的驱动功率小,控制电路简单、导通热胆小饱和压降小、开关损耗低、通断速度快工作频率高、电流容量大耐电流冲击范围宽等诸多的优点。由于IGBT集中了MOSFET与GTR的优点于一体,而扬弃了它们的缺点,故而发展迅速,正日益广泛运用于变换器、逆变器、开关电源等回路中。IGBT取代功率双极型晶体管和功率场效应晶体管已是发展的必然趋势。     

高增益微波低噪声微带集成化晶体管放大器

本文叙述2GC波段、增益70分贝以上的微带集成化晶体管低噪声放大器的设计制作。实验测试结果,放大器噪声系数为4分贝上下,3分贝带宽为200MC,放大器具有体积小、耗电量低工作稳定的特点,对于改进微波技术工作是很有意义的。     

微波FET放大器CAD的数学模型研究

建立了微波ＦＥＴ（场效应晶体管）放大器ＣＡＤ（计算机辅助设计）的数学模型．在建立数学模型时，考虑了不连续性和ＦＥＴ源极接地点等因素对放大器性能的影响，并加入了约束条件．对某些指标（如噪声、驻波比）采取了一种新型的数学模型形式．最后，以两级放大器为例，给出了８．５～８．７５ＧＨｚ两级放大器的测试结果．     

微波晶体管放大器最优化设计中均方误差目标函数的探索

本文对微波晶体管放大器最优化设计的均方误差目标函数进行了探索,导出了在常用的几种匹配网络形式下进行最优化设计时的目标函数的数学模式,结合实例对优化结果作了分析。     

双极型晶体管的电荷控制参数及其在宽带放大器中的应用

本文提出双极型晶体管是一种电荷控制器件和它的电荷控制参数的概念;建立描述晶体管内部物理过程的微分方程;与外电路的Kirchhoff定律结合,导出各种基本晶体管宽带放大器的传递函数、输入和输出阻抗的解析表示,作为应用Bode反馈理论来设计宽带反馈放大器的基础.     

现代轿车的点火装置

现代轿车的点火装置,采用无触点晶体管式,由它取代了传统有触点点火装置。本文以伏尔加24—10型轿车的点火装置为例,论述其工作原理、结构以及合理使用等。     

1-GHz微带功率放大器的研制

根据实际需要,研制稳定可靠、重复性好的1-GHz微带结构的功率放大器是件有意义的工作。作者用3DA89C三级管和微带电路(基片材料为环氧树脂玻璃纤维板)做实验在 28V馈电下,放大器达到如下指标:①采用同一图形复制了三个放大器(晶体管并未精心挑选),输入功率0.7瓦时,输出功率大于、等于2瓦。②3dB带宽21兆赫。③保留了一个可调电容,改变此电容,放大器增益大于3dB的频率范围为93兆,可用于不同的频率上进行放大。该放大器的独到之处是:一般微波三极管的输入阻抗极低,因而输入端匹配网络是个由高(信号源内阻50Ω)变到低阻抗(三极管输入阻抗)的匹配网络,又由于输入阻抗有电阻又有电抗(感抗),且每管而异,很难测准,这样匹配网络难作。即使用串联电容,使与晶体管输入阻抗的感抗在中心频率抵消,变为纯电阻,匹配网络也难制作,因阻抗变比太大。     

新型3.1～6GHz高增益超宽带低噪声放大器

在传统的窄带达林顿结构放大器基础上,提出一种新型高增益超宽带达林顿结构低噪声放大器.该放大器采用高频低噪声晶体管,采用电感补偿技术和正实电阻补偿技术,保持了达林顿放大器高增益的优点,而且也取得了低噪声、良好输入输出匹配和宽带稳定性.通过优化设计,新型放大器在3.1～6 GHz内,增益S21高达21 dB,变化不超过0.3 dB,噪声系数F为1.5～2.1 dB,输入输出反射系数S11和S22都小于-14 dB,在宽带内保持稳定.     

电池内阻对晶体管放大电路性能的影响

电池内阻将随着使用时间的增长而不断增大,它会引起供电电压不稳定,以致影响使用电池供电的电子系统和电子仪器仪表装置正常工作.介绍了铅酸蓄电池在充放电状态下的电化原理,研究了原电池内阻及电压的变化机理,论述了干电池放电过程中内阻变化的原因,分析了干电池内阻对晶体管放大器静态工作点、电压放大倍数的影响,提出了在实际电子电路中减小电池内阻变化对晶体管放大器影响的有效措施,指出了对蓄电池进行在线检测的必要性.     

限幅低噪声放大器的设计

限幅低噪声放大器是雷达接收机非常重要的一部分,它决定接收机灵敏度和动态.阐述了放大器几个重要指标,FET管在低频段存在潜在不稳定性以及消除不稳定的方法和措施.最后以某型号产品限幅低噪声放大器为例,简要介绍了利用AHSOFT公司微波电路设计软件设计放大器设计方法.     

电池内阻对晶体管放大电路性能的影响

电池内阻将随着使用时间的增长而不断增大,它会引起供电电压不稳定,以致影响使用电池供电的电子系统和电子仪器仪表装置正常工作.介绍了铅酸蓄电池在充放电状态下的电化原理,研究了原电池内阻及电压的变化机理,论述了干电池放电过程中内阻变化的原因,分析了干电池内阻对晶体管放大器静态工作点、电压放大倍数的影响,提出了在实际电子电路中减小电池内阻变化对晶体管放大器影响的有效措施,指出了对蓄电池进行在线检测的必要性.     

功率GaAs MESFET小信号等效电路模型的参数求解

采用非本征元件的本征元件参数函数的自变量的方法,求解金属肖特基势垒场效应晶体管小信号等效电路模型,并采用相对误差来构建目标函数,以场应应晶体管在零偏置状态的非本征元件值作为初值,通过优化求得的了热场效应晶体管状态的本征元件值,该方法具有收剑快,精度高和效率高的优点,便于移植到微波器件计算机辅助设计和模拟软件中。     

共发射极放大器的静态稳定性

具有最佳电路及合理工作点的放大器,其性能在工作过程中会受环境温度、电源电压及元件参数变化等因素的影响。由于晶体管对温度十分敏感,当温度变化时,晶体管的集—基反向电流 I_(CBO)、发射结电压 V_(BE)、电流放大倍数β都会随之变化,这些参数