粉末注射成形制备氮化铝陶瓷

以氮化铝粉末为原料,添加5％Y2O3,通过注射成形工艺,制备出全致密、热导率为182 W/m·K的氮化铝陶瓷.研究了氮化铝陶瓷烧结过程中致密过程及组织变化,合理制订了复杂形状氮化铝陶瓷的烧结工艺,制备出了高尺寸精度,高热导率的氮化铝电子封装零件.     

屏蔽盒等温塑性成形工艺仿真研究

针对大批量屏蔽盒生产需要,本文提出一种新工艺——等温塑性成形工艺,用于标准屏蔽盒毛坯加工,以减少机械加工工时,从而有效提高屏蔽盒生产效率。文章采用deform软件对此工艺进行模拟,对其变形过程、应力分布、成形载荷进行分析。模拟结果表明,该工艺能较好地成形出屏蔽盒毛坯,并达到提高材料利用率的要求。     

天然鳞片石墨选择性激光烧结成形工艺研究

研究不同的酚醛树脂加入量、不同粒径的石墨粉末以及包覆预处理次数对石墨成形件的抗弯强度和成形精度影响,分析其变化规律,揭示石墨增材制造成形机理.研究发现:石墨成形件的抗弯强度、成形误差随着酚醛树脂粉末加入量的增加而增大;与-325目、-200目和-150目相比,用-100目天然鳞片石墨粉末与酚醛树脂粉末按6∶4的质量比制...     

Kovar合金注射成形技术的研究

以Fe粉、Ni粉和Co粉为原料,研究了利用注射成形技术生产Kovar合金封装盒体的工艺.选择了一种蜡基多聚物粘结剂体系,在粉末装载量为58%时,喂料的最佳注射参数是:温度160～170℃,压力90～120 MPa.以喂料的热分析结果为指导,制定出合理的热脱脂工艺,对于6 mm×6 mm×50 mm的注射坯,总共脱脂时间约为18 h.将脱脂坯在1300℃烧结后,材料的致密度可达8.06 g·cm-3,热膨胀系数在(4.5～6.0)×10-6K-1之间(25～450℃),所制备的封装盒体的气密性小于1.2×10-9Pa·m3·s-1.     

粉末材料的SLS工艺激光扫描过程研究

在多功能快速成形设备上实现了激光选区烧结（ＳＬＳ）功能。ＳＬＳ过程的加工参数中影响最大的参数为扫描速度、激光功率、粉末层厚与重叠系数。对于系统机械惯性的影响、激光扫描路径规划、扫描速度与激光功率的匹配、以及加工参数选择进行了研究,得到了精度较高的ＳＬＳ原型坯件。     

一种截止式圆波导盒形窗的研究

提出了具有截止圆波导的盒形窗的设计方法,使得盒形窗的尺寸大大缩小,结构紧凑,极大地拓宽了盒形窗的频带。针对这种新型盒形窗的主要结构参数,利用HFSS得出了各个参数对其驻波系数的影响,从而找到了几种较好的结构尺寸,使得它们可以应用在较宽的工作频带,最后对比了计算值、模拟值以及实测值的数据,三者符合良好。     

不同形貌钛及钛合金粉末激光快速成形的研究

对比分析了HDH(Hydride-Dehydride)法和GA(Gas-Atomised)法生产的两种钛及钛合金粉末颗粒的形貌和粉末颗粒内部结构;主要概述了两种不同形貌的TC4粉末的输送性能、粉末利用率和激光快速成形件的表观质量及其内部气孔状况;分析了不规则钛及钛合金粉末在激光快速成形技术中应用的可能性。     

混合元素法激光立体成形过程粉末输送性研究

混合元素法激光立体成形(LSF)过程中元素粉末的输送性对沉积试样的化学成分有重要影响,为实现混合元素法激光立体成形过程中各元素粉末的输送一致性,进而保证沉积试样的化学成分与目标成分一致,对混合元素法激光立体成形过程中的粉末输送性展开研究.结合喷嘴管道内外气-粉两相流分析,建立粉末颗粒在喷嘴管道内外的运动微分方程,揭示元素粉末特性对粉末输送性的影响规律.结果表明,送粉工艺一定的条件下,元素粉末的出口速度和加速度均随粉末密度和粒度的减小而增大.各元素粉末的输送一致性条件为在送粉工艺一定的情况下,各元素粉末流具有相同的出口速度.基于以上的粉末输送一致性条件,获得混合元素法激光立体成形过程中各元素粉末特性的匹配关系,进而保证了激光直接沉积试样的成分与预混合元素粉末成分的一致.     

薄壁结构铝合金激光粉末沉积工艺及性能研究

利用激光粉末沉积技术成功制备AlSi10Mg铝合金薄壁件.采用粉末负离焦和增大熔覆间隙停留时间的工艺策略,解决铝合金成形过程中熔覆层边缘粗糙、塌陷的问题,并分析薄壁件扫描和沉积不同成形方向上的显微组织和力学性能.结果表明:单道成形的最佳工艺参数为激光功率密度P=370 W/mm2、扫描速度Vs=1.2 m/min、送粉...     

SiC纳米陶瓷粉末激光烧结成形试验研究

基于选择性激光烧结快速成型技术,利用CO2激光对纳米SiC粉体材料进行了激光烧结成型的试验.用X射线衍射、扫描电镜等分析了烧结层中纳米SiC的显微组织,同时对激光烧结过程及工艺参数的影响进行了探讨.研究结果表明,采用选择性激光烧结工艺参数,可以实现SiC陶瓷块体的烧结成型,烧结件内部组织保持纳米结构,材料晶粒尺寸基本不长大.烧结过程中SiC有分解反应,产生纳米Si和C.     

Invar合金电子封装零件的制备及性能

研究了粉末注射成型技术生产Invar合金电子封装零件的工艺。设计一种新型蜡基多聚合物组元粘结剂,其组成:PW,PEG,LDPE,PP,SA的质量分数分别为50%,20%,15%,10%,5%。并依其差热分析结果制定了合理的脱脂工艺。在1350℃氢气烧结时,可制备出性能优良的PIM Invar合金电子封装零件,其致密度、抗拉强度、30~300℃温度内的平均热膨胀系数α30~300℃分别为98.5%、420MPa、4.5×10–6℃–1,其漏气率小于1.4×10–9Pa·m3·s–1。     

半导体封装中的可视化技术

树脂传递模封装是广泛使用的可靠性量产性均好的半导体封装方法。但随着封装体（PACKAGE）尺寸的日益薄型化和多腿化,不可避免地会发生与树脂在模腔中流动状态有关的空隙等使制品失效的不良模式。这样,通过观察树脂流动状态及对空隙的分布进行研究,对于研究空隙发生机理从而抑制空隙发生具有重要意义。本文将着重介绍两种新的研究实验方法：（1）应用玻璃嵌入式新型可视化模具观察树脂在模腔中的流动状态;（2）采用超声波探查图像装置（简称SAT）进行树脂封装体内部的观察。     

铁基粉末冶金压坯激光烧结研究

应用CO_2激光器对Fe-C-Cu-MoS_2粉末冶金坯料进行烧结,在烧结期间元素发生扩散,形成了微细的Fe_3C和CuMo_2S_(5-x)相。该法烧结成的材料具有理想的组织和性能。直径为10mm的坯料可在5分钟内充分透烧。     

选区激光烧结单组份金属粉末试验研究

选区激光烧结由于可以不受材料的限制,可以快速烧结出任意复杂的三维实体,被认为是最具发展前景的快速制造技术.用激光直接烧结金属粉末成形已成为目前研究的重点.本文用YAG激光对铝粉、铁粉、铅粉进行了对比烧结试验,同样条件下,不同的金属粉末激光烧结的结果不同,铝粉烧结球化现象严重,铅粉烧结伴有飞溅严重,铁粉烧结随着扫描速度的增加,烧结由连续金属线逐渐成为断续的以至球形金属颗粒.最后分析了激光烧结球化的机理.     

30年:见证半导体产业风雨历程——访飞兆半导体公司亚太区总裁兼董事总经理郭裕亮

过去的辉煌和沉沦仿佛根本不存在，新的飞兆人埋下头来，踏踏实实．兢兢业业，面对市场选好自己的定位，做一家领先的功率半导体技术提供商。[编者按]     

注浆成型AlN粉末的抗水解表面处理

用表面处理剂ＺＪ－１对氮化铝粉末表面进行处理有效地改善了其抗水解性能，在１００℃的沸水中蒸煮４ｈ氮化铝粉末的悬浮液ｐＨ值不随蒸煮时间而改变。抗水解的机理是在氮化铝表面形成一种ＺＪ－１和铝的化合物保护膜。     

Ni基16Cr4B4Si粉末激光成形试验研究

通过铜、镍-铜混合粉末等材料的激光成形试验,详细探讨了激光各参数对烧结金属粉末成形过程的影响,为金属粉末的激光烧结成形提供了依据.     

半导体模具发展历程

介绍半导体模具从单注射头模具发展到双注射头模具、多注射头模具,以及其它封装方式等;通过单注射头模具与双注射头模具、多注射头模具进行比较,可以明确半导体模具发展必然进程,体现出现代半导体模具市场确实是按模具的先进性进行分配市场份额,从而推动半导体模具发展历程。     

化合物半导体材料制片技术探讨

本文主要探讨化合物半导体材料磨片、抛光工艺中与表面质量有光的因素,并对一些不利因素提出了改进措施。     

轧膜成型PTCR瓷片平整烧成工艺的研究

为制备平整的PTCR瓷片,通过大量试验,分别从烧成温度、升温、降温阶段等各种烧成工艺对采用轧膜成型法制备PTCR瓷片性能的影响,得到了最佳平整度和电性能参数的烧结工艺。