金-硅面垒型半导体α谱仪

本文介绍了金-硅面垒型半导体探测器α谱仪的结构和探头的特点。对影响谱仪能量分辨率的因素进行了讨论,并提出和采取了一些改进措施。该谱仪已应用于镎、钚、镅、锔等重核元素的测定和分析。最佳能量分辨率是0.22%(对~(241)Am 5.486兆电子伏,能量分辨率为12.2千电子伏)。     

金硅面垒半导体探测器

本文介绍金硅面垒探测器的制作工艺及性能。灵敏面积直径为6mm、8mm和13mm的探测器在20℃左右对α粒子的能量分辨率(FWHM)分别为11.7keV,12.2keV(~(241)Am)和14.8keV(~(244)Cm)。     

金-硅面垒型半导体探测器

本文扼要地叙述了金-硅面垒探测器的制备工艺过程,并对此探测器的各种性能,包括伏安特性、势垒电容、噪声、对Po~(210)源α粒子的响应讯号、能量分辨率、温度效应和γ辐照效应等方面作了比较系统的测量。对结果进行了讨论。同时利用测得的结果探讨了一些探测器本身的半导体性能,如平均电离能ε_0和材料的寿命τ等。最后介绍了用表面复盖有硼膜和铀层的这种探测器记录中子的情况。     

金硅面垒半导体探测器温度特性测量与补偿

金硅面垒半导体探测器多用于α粒子的探测,由它组成的α、β谱仪对环境温度的变化比较敏感,表现为α谱峰位的漂移,为了了解温度对金硅面垒半导体探测器的影响,对其进行了测试研究,以便提高系统的测量精度.     

金-硅面垒型探测器

一、引言近年来,我国在半导体硅(锗)探测器的制作和应用方面越来越普遍。这种器件之所以获得迅速进展,主要是用起来很方便。并且,在性能上与早期在核物理实验中所一直延用的探测器件相比,有其独到之处。如在一定能量范围内分辨率高,脉冲上升时间短和线性非常好,等等。目前国际上对这种器件的研究也很时兴。我们实验室主要制备硅面垒型探测器(磷扩散型器件过去也做过)。N型硅材料是由本所自己制备的。一般材料的电阻率在几百到几千欧姆·厘米之间,位错浓度约为10V厘米~2,载流子寿命约在几十到几百微秒之间,器件的面积一般约为40—80毫米~2,最大的有效面积可达200—300毫米~2。用这种器件测得的分辨率(对于Po~(210)α源)最好的约为0.47—0.57%。空间电荷层厚度可达600微米以上。     

环形金-硅面垒探测器

一、引言硅面垒探测器具有体积小、能量分辨率高、工作电压相对比较低等优点,所以在核物理实验和研究中得到了广泛的应用。但在一些特殊的应用和研究场合下,一般硅面垒探测     

^6LiF夹心谱仪探头用金硅面垒探测器性能测定

金硅面垒探测器是6LiF夹心谱仪探头的关键组成部分,其参数直接影响整个夹心谱仪的性能.通过实验测定了各金硅面垒探测器在不同偏压下的漏电电流、空气对α粒子的影响、金硅面垒的死层厚度、偏压对峰位和分辨率的影响,以及在180V偏压下各金硅面垒探测器的最大能量峰位.根据测量结果,选出了两组性能基本相同的金硅面垒探测器,将其组装成性能优良的6LiF夹心谱仪效应探头和本底探头.     

离子注入型与金硅面垒型半导体探测器温度特性比较

半导体探测器性能受温度影响较大,影响着辐射探测系统的稳定性和测量精度。本文设计了一个温度测试电路,通过温度测试实验分别得出了离子注入型和金硅面垒型半导体探测器的温度特性曲线。测试结果表明,离子注入型半导体探测器的温度特性明显优于金硅面垒型半导体探测器。本文的结果可为半导体探测器的使用、筛选提供参考。     

厚灵敏层金硅面垒探测器

本文介绍了最大耗尽厚度达5mm,最大有效面积为80—153mm~2的厚灵敏层金硅面垒探测器研制工艺,主要用途和测试结果。     

低本底α金硅面垒探测器

本文叙述了低本底α金硅面垒探测器的制备与性能，其平均本底计数率每２４ｈ为２．５。     

锂漂移金硅面垒型探测器

本文详细地描述了锂漂移金硅面垒型探测器的制造工艺。这种探测器同时兼备了锂漂移型和面垒型探测器的优点。文中给出了探测器的主要性能,并对实验中的一些现象进行了讨论。探测器有效面积的直径为2—20毫米,灵敏区宽度高达4.5毫米。在窒温下,对于5.3兆电子伏的α粒子的能量分辨率为1—2%,对于Cs~(137)转换电子的能量分辨率为3.7%。探测器结构牢固,能应用于真空条伴。     

环形金硅面垒探测器的制备

本文叙述了环形金硅面垒探测器的制作工艺,给出了所制探测器的性能结果。Φ25(8)、Φ18(5)和Φ16(4)三种环形探测器在室温下对238Pu5,499MeVα粒子的能量分辨率分别为18.7、16和15.5keV(FWHM)。     

金硅面垒型半导体探测器在α能谱测量中的应用研究

针对α能谱测量需要探测器能量分辨率高、性能稳定及探测效率高等要求,选用金硅面垒型半导体探测器进行α能谱测量.论述了金硅面探测器的主要性能指标及影响因素,同时针对探测器输出信号的特点以及α能谱测量要求,从理论上分析了前置放大器的类型及设计时需要注意的事项,并设计了一种实用低噪声电荷灵敏前置放大器.实测α能谱数据表明,性能满足α能谱测量要求.     

锂漂移金硅面垒探测器长期稳定性

测试了北京综合仪器厂生产的锂漂移金硅面垒探测器的反向漏电流、零偏压电容、噪声甄别阈和对~(6O)Coγ射线计数率。给出了室温、高温下长期存放和长期工作的实验结果。指出了这种探测器在一定条件下作为γ照射量率探测元件的可能性,以及长期稳定性改善的方法。     

GM1101型高分辨率金硅面垒探测器

文中介绍了用新工艺制成的新结构金硅面垒型探测器的主要性能。灵敏面积为300mm~2的这种探测器,在室温下,当偏置电压为300V时,反向电流最好为0.09μA;能量分辨率可达16.8keV(FWHM,~(241)Am源)。本文对新工艺的特点、测试仪器及原材料质量等主要问题作了讨论。     

金-硅面垒型探测器的制备

一、引言金-硅面垒型探测器具有下列的特点:能量分辨率高;脉冲上升时间短;耗尽层宽度可调节,因而能甄别不同的射线;脉冲高度与能量之间的线性响应好;对γ射线、中子本底不灵敏,适于在γ射线、中子本底较高的情况下测量带电粒子;工艺简单,成本较低等等。因此,自1949年麦凯(K.G.McKay)首先利用半导体探测器探测射线以来,它在核辐射探测领域中得到了很大的发展。关于金-硅面垒型探测器的制作工艺、探测原理、性能和应用已有报导。     

金硅面垒探测器的修复与保养

介绍了金硅面垒探测器因放射性的污染或粉尘、油渍等污物的沾附．致使其性能变坏而无法正常使用时．通过清洗和一定的处置使其性能恢复的方法。同时．还叙述了金硅面垒探测器的维护保养方法和使用注意事项。     

适合野外用的金硅面垒探测器

本文介绍了适合室内和野外应用的金硅面垒型β,γ,α射线探测器的辐射性能及其抗恶劣环境性能。该探测器对β射线(~(90)Sr+~(90)Y)与对γ射线(~(60)Co)探测效率之比可达150:1。因此,可在较强γ场中测量β射线。它还能在β,γ,α混合场中测α射线。     

金硅面垒8Be探测器的研制

介绍了金硅面垒^8Be探测器的制造工艺和测试结果。有效面积157～570mm^2,厚度为280μm．工作电压100～150V时,其漏电流0．04～0．12μA。对于8．78MeVα粒手的能量分辨率为0．54％～0．80％．用该探测器通过对^8Be带电粒子的角关联测量确定高激发能级的宇称及自旋。     

金-硅面垒型探测器的试制

一、引言金-硅面垒型探测器是目前最为成熟、运用最为广泛的一类半导体射线探测元件。在低能核物理领域中,它所具有的极高的能量分辨率、极短的脉冲上升时间等优点,已经用于α粒子、β粒子、质子及其它各种重带电粒子的探测,dE/dX,E的测量,以及各种谱仪。利用中子与某些物质的作用可以测量中子,尤其是由于它的体积小,可以精确地测出中子通量的空间分布。这是以往大型中子探测器所办不到的。在保健物理及其它同位素应用中,配合晶体管线路可