铁电液晶（＋）—4—[2—甲基丁基]—4‘—[4—正辛基苯氧（基）甲基]—联苯…

合成了（＋）－４－（２－甲基丁基）－４’－（４－正辛基苯氧（基）甲基）－联苯，经红外光谱、质谱和元素分析等证实了分子结构、测试了相变温度、相态，介电各向异性和电阻率等物理性能。     

EDGE——增强型GSM的演进数据业务介绍

随着不断推陈出新的移动新业务对带宽要求的持续增长，频谱利用率高的高速无线数据技术愈来愈成为移动领域关注的焦点。R99规范定义的“EDGE”作为GPRS的增强型演进技术，在3G频谱资源匮乏的地区或经济发展相对较慢的地区，可以作为第二代移动网络向第三代移动网络的过渡方案，与UMTS共用核心网，将原有基站于系统BSS演变成GSM／EDGE无线接入网GERAN。与UMTS陆地无线接入网UTRAN并存，提供“类3G”的高速数据业务，在未来可能的二、三代网络设施并存的时期内为终端用户提供实用、连续的高速数据移动范围。     

AlxGa1—xAs Solar Cell Grown by Multi—substrate Liquid Phase Epitaxy

A novel horizontal push-pull multi-substrate epitaxy boat with three separate cells is introduced in this article, with multi-substrate LPE processing is feasible in horizontal LPE furnace. The processes of LPE Alx Ga1-xAs/GaAs solar cells are studied and the efficiency of the solar cells achieved 19.8%(AM0,25℃,120mW/cm^2).     

复相陶瓷TiB2—Ti（CN）—Ni的高分辨电镜研究

化学成分为(重量百分比)57.6%TiB2,40.4%Ti(CN)和2%Ni的粉末在真空下1850℃,25MPa热压烧结过程中伴随颗粒的重徘、合并、长大及杂质元素在晶界的偏聚。TiB2-Ti(CN)-Ni复相陶瓷的平均晶粒度为1.0μm。TiB2和Ti(CN)晶粒经常会按严格的取向关系共生在一起,或在TiB2晶体中析出几十纳米大小的、六角形状的Ti(CN)颗粒。选区电子衍射和高分辨观察表明,FCC结构的Ti(CN)和六角结构的TiB2晶体之间有两种取向关系,分别为:     

a—Si：H磷掺杂机理

Ｓｔｒｅｅｔ的自动补偿模型不是ａ－Ｓｉ：Ｈ中磷掺杂的唯一机理，它略去了带尾态电子密度ｎＢＴ，实际上相当于略去了其他掺杂机理对掺杂的贡献。Ｗｉｎｅｒ ｅｔ ａｌ的磷杂质结合模型，可以推广到ｎＢＴ≠０情形，其反应常数仍满足Ｈｅｎｒｙ定律。磷掺杂固相效率和磷结合系数可以同时表示成磷气相浓度的明显的解析函数，其计算结果与实验曲线及其外推均相一致。     

THE PHASE—OFSET OVERLAPPED WAVE TECHNIQUE

A new digital communication technology based on the Phase-Offset Overlapped Waves (POOW) has been introduced in this letter.The waves can be considered as a special multicarrier different from traditional ones.The sud-waves in a coded word‘s period of the POOW are sine waves and have the same frequencies,but different starting phases.The most important characteristic is that these sub-waves are the piecewise functions and not orthogonal in a code word period.The decoding can be implemented by solving a linear equation group.This code has very high efficiency and thus the data transmissin rate is increased greatly.     

镍基合金中沉淀相微结构AP—FIM研究

用场离子显微镜原子探针(AP—FIM)研究GH49镍基合金中沉淀相的微结构。场离子显微象的观察及原子探针分析表明;基体(r相)不显示出有序结构而沉淀相(r＇相)显示出有序结构,用AP分析测定了沉淀相化学成份。实验结果表明试样经蠕变后沉淀相中Al和Cr的分布与蠕变前有明显的变化。     

液相烧结93W—4.9Ni—2.1Fe合金基相结构的变化

合金９３Ｗ－４９Ｎｉ－２．１Ｆｅ具有二个重合金基相的结构特征,其基相并不是象有的文献报导的那种含有大晶粒尺寸的Ｎｉ－Ｆｅ－Ｗ固溶体的面心立方结构,而是由细晶粒的非晶形相以及不同成份的金属间化合物构成。部分Ｗ从母基中分离出来,向Ｗ相聚集,结晶在基相中形成不同的相。     

Al—2.6Li—1.3Cu合金中T1相及其生长机制

用电子衍射方法给出了Ａｌ－２．６Ｌｉ－１．３Ｃｕ合金中Ｔ１相的各种变体，并通过Ｔ１相与母相的位的向关系及Ｔ１相的分子组成描述了Ｔ１相的生长机制，Ｔ１相呈不规则薄片状，通过消耗δ相及从基体中吸取Ｃｕ原子逐渐长大，Ｔ１相长大速度是各向异性的，侧面长大速度大于厚度方向的长大速度。     

SFTMP——一个实现软件容错的多处理机系统

多版本软件通过设计相异性实现了软件容错。为了对这种方法进行研究，我们的课题实现了一个三版本软件系统，称之为SFTMP（SoftwareFault－TolerantMultiProcessor）。本文描述了SFTMP的硬件结构和软件执行支持环境，该环境包括同步、表决和监控功能、版本间的通讯及故障的恢复和重构。     

H2O—TEOS等离子CVD技术

一、前言大规模集成电路铝布线间层间绝缘膜平坦化技术原来大多采用SOG法。但此法存在许多问题。目前正在开发台阶保形性和回流流动性好的新CVD法。SOG膜有无机SOG股和有机SOG膜两种。其中无机SOG膜的膜收缩率大，所以难于做到厚膜化，即使为了制得300nm左右厚的膜，也必须多层涂敷。而有机SOG膜可达到厚膜化，但残存在膜中的有机基在氧等离子体或高温氧气氛下，会引起急剧氧化·分解。通常，SOG膜与其它CVD膜相比较，吸湿性非常强；当其被曝露在大气中时，便成了水份的吸收源。由于水份吸收而造成的脱气，以及处理不良而造成的…     

有机源CVD法综述—兼作本专辑前言

本辑是采用有税源的化学汽相淀积（CVD）技术专辑，而有机源尤指四乙氧基硅烷Si（OC2H5）4——tetraethoxysilane，缩写简称TEOS。采用TEOS的CVD技术有TEOS－O3系常压CVD技术，TEOS－O3系等离子CVD技术，TEOS－H2O系LPCAD（低压CVD）技术，偏压ECR（电子回旋共振）CVD技术……。这些新的CVD技术的开发旨在解决深亚微米（＜0．5um）的成膜质量、台阶复盖性及平坦化问题。由于大规模集成电路的不断高集成化、加工微细化、多层布线及结构三维化，使得各和股的台阶高差增大、刻蚀条的深度饭度纵横尺寸比也越来越大，因而…     

Evolution of Electron Phase Orbits Based on Multi——photon Nonlinear Compton Scattering

The electron movement based on the multi- photon nonlinear Compton scattering with the extra--intense stationary laser field is discussed by using KMR (Kroll--Morton--Rosenbluth) theory. We find that there exists only an evolution from periodicity to non--periodicity of the un--captured electron phase orbits after the energy exchange between the electron beam and laser fields. With the increase of the absorbed photon number n by an electron, this evolution will be more and more faster, while it is rapidly decreased with the enhancement of the collision non- flexibility ξ of the electrons and photons； When the electrons are captured by the laser fields, the evolution is finished, the electrons will stably transport, and the photons don‘t give up the energy to these electrons.     

新型复相陶瓷刀具材料JX—2—I的界面结构及其对材料性能的影响

本文利用ＴＥＭ研究了新型复相陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的界面结构，结果表明，在ＪＸ－２－Ｉ中Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ（氧化铝／碳化硅晶须）界面和Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ（碳化硅颗粒）界面结合良好，形成了具有较高强度的微观结构，发现在ＳｉＣｗ，ＳｉＣｐ和Ａｌ２Ｏ３晶粒上均有位错产生，在ＳｉＣｐ和Ａｌ２Ｏ３上有孪晶产生，分析表明，位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能，提高材料的断裂韧性，改善ＪＸ－２－Ｉ材料的整体