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激光熔敷NiCrSiB合金组织与物相研究 总被引:11,自引:2,他引:9
报道了对NiCrSiB激光熔敷合金中共晶组织的研究和观察,将共晶中的第二相标定为Ni31Si12。γ′(Ni3Si)相与γ(Ni,Cr)相共存于枝晶中,共晶包围着枝晶形成合金的基体,其上弥散分布着硬质强化相CrB,Ni3B和M23(CB)6。研究方法包括SEM(扫描电子显微镜),电子探针,XRD(X射线衍射),EDAX(能谱分析)和波谱分析等 相似文献
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本文利用TEM研究了新型复相陶瓷刀具材料JX-2-I的界面结构,结果表明,在JX-2-I中Al2O3/SiCw(氧化铝/碳化硅晶须)界面和Al2O3/SiCp(碳化硅颗粒)界面结合良好,形成了具有较高强度的微观结构,发现在SiCw,SiCp和Al2O3晶粒上均有位错产生,在SiCp和Al2O3上有孪晶产生,分析表明,位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能,提高材料的断裂韧性,改善JX-2-I材料的整体 相似文献
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本文利用TEM原位加热手段和选区电子衍射分析方法,对纳米晶Pd-Si薄膜在加热过程中析出的相进行了研究。真空蒸发Pd_(80)Si_(20)合金而得到的纳米晶Pd-Si薄膜,其晶粒尺寸为10nm,结构属fcc。随着温度的升高,薄膜中晶粒长大,在局部区域有其它相析出。利用选区电子衍射图确定了这些析出相的结构。 相似文献
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本文利用TEM研究了新型复相陶瓷刀具材料Jx-2-Ⅰ的界面结构,结果表明,在Jx-2-Ⅰ中Al_2O_3/SiCw(氧化铝/碳化硅晶须)界面和Al_2O_3/SiCp(碳化硅颗粒)界面结合良好,形成了具有较高强度的微观结构;发现在SiCw、SiCp和Al_2O_3晶粒上均有位错产生,在SiCp和Al_2O_3上有孪晶产生;分析表明,位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能,提高材料的断裂韧性,改善JX-2-Ⅰ材料的整体性能。 相似文献
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SiCp/6061Al复合材料激光表面熔化及合金化显微组织与耐蚀性 总被引:1,自引:0,他引:1
为提高颗粒增强铝基复合材料耐蚀性,对SiCp/6061Al复合材料进行激光表面熔化和激光表面合金化。结果表明:激光表面熔化后,因熔化层中形成大量耐蚀性低的针状Al_4C_3相及Al_4SiC相而使激光表面熔化层耐蚀性降低,以Ni-Cr-B粉末为原料对SiCp/6061Al复合材料进行激光表面合金化后,合金层耐蚀性明显提高。 相似文献
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研究采用Co/Ti/Si三元固相反应的方法生长外延CoSi2薄膜.通过选择适当的热处理条件,采用多步退火,在Si(100)和Si(111)衬底上均成功获得外延CoSi2薄膜.实验用XRD、TEM、RBS/channeling等测试技术分析CoSi2薄膜外延特性,得到的CoSi2薄膜的RBS/chnneling最低产额Xmin达到10-14%.实验对CoSi2/Si(111)样品,分别沿Si衬底的<110>和<114>晶向进行背散射沟道测量.结果发现,沿Si<110>晶向得到的CoSi2背散射沟道产额显著高 相似文献
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在(100)硅单晶衬底上,750℃外延生长了立方晶系晶向的SiC薄膜,该生长温度是目前所报道的最低生长温度。采用一种简单的硅碳比为1:1的甲基硅烷源材料和H2,,用低压化学汽相沉积工艺生长了SiC薄膜。 相似文献
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本文主要以电子显微镜为手段研究了离子注入形成的TiSi2薄膜的微观结构,发现了一种新的TiSi2相,初步确定它为简单正交结构,点阵常数与已知的C49-TiSi2相等,并发现新的TiSi2可向C49-TiSi2转化;在800℃条件下保温30分钟,C54-TiSi2可在Si(111)基片上外延生长,取向关系为:「121」TiSi2「110」si,(111)TiSi2(111)si。 相似文献
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用离子束辅助淀积多层薄膜技术合成Co—Si化合物薄膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文通过离子束辅助淀积与真空淀积多层膜技术相结合,淀积合成Co-Si薄膜,RBS和XRD分析表明:在无离子束轰击条件下利用电子束蒸镀Co/Si多层膜,得到的是由a-Co与非晶Si组成的薄膜,薄膜与Si(111)基底及多层膜各层之间没有明显的相互扩散,而用复合方法镀制的薄膜与Si基底以及各层之间都产生了混合和扩散,并已有Co2Si,CoSi相生成,750℃退火30分钟后,无轰击样品只在硅基底与薄膜界 相似文献
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本利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术,研究了在Si(001)衬底上,用晶化了的列定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时,引入表面活化剂Sd所产生的影响。研究表明,Sd的引入将全使Si(001)衬底上无定形Ge膜的晶化温度显提高,并在一定的生长条件下,破坏Ge外延层的结晶性。 相似文献
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本文利用扫描电声显微术(SEAM)对Si3N4陶瓷和30vol%SiC(w)/ZrSiO4复相陶瓷中由维氏压痕引起的残余应力分布进行了电声显微像观察。比较了原位获得的二次电子像和电声像,表明电声像的能够揭示样品的表面和亚表面的残余应力场分布,实验结果证实在陶瓷材料中的维氏压痕所引 残余应力场是吾弹-塑性交替分布的区域,在维氏压痕的中心以及由压痕引起的裂纹对角线的端点是应力分布的集中区,同时显示SE 相似文献
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Si3N4陶瓷和ZrSiO4复相陶瓷维氏压痕残余应力分布的扫描电子声学显微术观察 总被引:1,自引:0,他引:1
本文利用扫描电声显微术(SEAM)对Si3N4陶瓷和30vol%SiC(w)/ZrSiO4复相陶瓷中由维氏压痕引起的残余应力分布进行了电声显微像观察。比较了原位获得的二次电子像和电声像,表明电声像能够揭示样品的表面和亚表面的残余应力场分布。实验结果证实在陶瓷材料中由维氏压痕所引起的残余应力场是呈弹-塑性交替分布的区域,在维氏压痕的中心以及由压痕引起的裂纹对角线的端点是应力分布的集中区,同时显示SEAM技术在对陶瓷材料中残余应力场分布的研究中是一种有力的工具。 相似文献
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采用横断面的透射电子显微术,扫描电子显微术和高分辨电子显微学方法,研究了GeSi沟道p-MOSFET的微结构。观察表明,器件是由Si基片/SiO2非晶层/SOISi层/GeSi沟道层/超薄SiO2非晶层/Si细晶层/SiO2非晶层/Al电极层等组成的;SOISi层工作区单晶性良好,很难找到缺陷,缺陷能效地被限制在工作两侧的缺陷聚集区;在SOSSi层和GeSi沟道层之间存在着一些瓣状衬底,它可能是在 相似文献
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Si/Ag/Si和Si/Au/Si薄膜分形晶化的TEM和EDS研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文利用透射电镜(TEM)和X射线能谱(EDS)对a-Si:H/Ag/a-Si:H和a-Si:H/Au/a-Si:H薄膜的分形晶化行为进行了研究。结果表明薄膜的分形晶化强烈依赖于退火条件,分形的形成可用随机逐次触发形核和生长(RSNG)来加以解释。尽管膜内存在明显的互扩散,Si分形区厚度与均匀基体区厚度相近。但在a-Si:H/Ag/a:Si:H膜中存在部分较大的Ag晶粒凸出膜面。 相似文献
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以常规TEM为工具,对SiCp/ZL109复合材料中SiC颗粒及其界面进行了研究,除观察到大量α型六方6H SiC外,还观察到少量α型六方4H和菱形15R SiC。观察到的都是单一的SiC/Al及SiC界面,无论是SiC/Al或SiC/Si界面,界面清洁,结合紧密,无孔洞,无反应过渡层。 相似文献