双相TiAl基合金的室温位错滑移特征

对双相TiAl基Ti 4 8Al 1 5Mn 0 5Si合金的压缩变形组织进行TEM衍衬分析 ,结果表明 ,该合金室温变形组织中 ,无论是等轴γ相还是层片γ相 ,都存在较多的沿两个方向分布的 ( 1 2 )〈110 ]普通位错 ,在有Ti5Si3 相析出的层片γ相中观察到了沿两个方向排列的 [0 11]和 [0 11]超点阵位错     

导模法生长的β-Ga2O3单晶的位错腐蚀坑显露面

β-Ga₂O₃单晶作为高压大功率器件的衬底,其位错密度直接影响器件的漏电特性,位错腐蚀坑显露面与外延生长密切相关。β-Ga₂O₃单晶属于单斜晶系,对称性低,研究不同晶面位错腐蚀坑的形状与显露面难度较高。对采用导模(EFG)法生长的(001)、■和(010)面β-Ga₂O₃晶片进行腐蚀,采用扫描电子显微镜(SEM)观测腐蚀坑形貌,采用共聚焦激光扫描显微镜对显露面与表面晶面之间的夹角进行表征,根据测试结果可推算出腐蚀坑显露面晶面指数,为衬底和外延生长提供重要的参考依据。