C60与金属：界面相互作用和外延取向关系

本文介绍了Ｃ６０／Ａｌ，Ｃ６０／Ａｇ纳米体系的微结构和电荷转关系，以及Ｃ６０薄膜在不同金属衬底表面的生长和取向的关系。结果表明：（１）Ｃ６０／金属薄膜体积 的Ｒａｍａｎ光谱Ａｇ（２）模的罗化现象是由于Ｃ６０和Ａｌ间的界面电荷转移引起的；（２）Ｃ６０在金属表面的生长除了受晶格匹配的几何因素影响外，还决定际Ｃ６０与金属间相互作用的强弱。     

C_(60)对DNA光动力学作用的FT-Raman光谱研究

采用傅里叶变换激光Ｒａｍａｎ光谱术从分子水平研究了富勒烯Ｃ６０对小牛胸腺ＤＮＡ的光动力学作用。结果表明光激发Ｃ６０对ＤＮＡ各组分基团均有不同程度的损伤，其中ＤＮＡ的空间构像破坏显著，腺嘌呤次之，骨架磷酸基团、脱氧核糖、嘧啶环等也遭到破坏并导致ＤＮＡ链断裂。这种结果并非由于Ｃ６０与ＤＮＡ分子之间直接的电子相互作用，而是通过单线态氧（１Ｏ２）或·ＯＨ，Ｏ２·－等多自由基作用所致     

Nb／C_（60）／p型Si结构的特性

研究了Ｎｂ／Ｃ６０／Ｐ型Ｓｉ结构的电学特性．Ｉ－Ｖ结果表明这一结构具有强整流效应，这意味着在Ｃ６０／Ｓｉ界面附近存在着一个势垒，或称Ｃ６０／Ｓｉ异质结．高频Ｃ－Ｖ结果表明在Ｃ６０层中存有约１０１２～１０１３ｃｍ－２的可动负离子．这些离子的松弛温度高于３５０Ｋ，冻结温度低于２６０Ｋ，以及在３００－３７０Ｋ的测量温度范围内，Ｃ６０膜的相对介电常数与温度无关，即εＣ６０＝３．７±０．１．     

C60 LB单分子膜的电光Pockels效应

用电光调制衰减全反射光谱技术研究了Ｃ６０与花生酸混合的ＬＢ单分子膜的Ｐｏｃｋｅｌｓ（普克尔）效应。测量得到Ｃ６０ＬＢ膜的二阶非线性光学系数χ（２）（－ω;ω,０）＝０．５×１０－１２ｍ／Ｖ（１．３×１０－９ｅｓｕ）。这一结果与用光学二次产生测量Ｃ６０热蒸发膜的χ（２）（－２ω;ω,ω）同一数量级。并利用单分子层模型计算了Ｃ６０分子的超极化率为β＝１．１×１０－３０ｅｓｕ。     

固体C_(60)/p-GaAs异质结的整流特性和界面电子态

我们将Ｃ６０膜淀积在ｐ－ＧａＡｓ〈１００〉衬底上，做成了固体Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ异质结并对其电学性质做了研究．异质结的理想因子接近于１，在偏压为±１Ｖ时，其整流比大于１０６倍．在正向偏压固定的情况下，结电流的对数与温度倒数成线性函数关系，从关系中求出异质结有效势垒高度为０．６３ｅＶ．用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术在Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ界面上观测到一个空穴陷阱，其能级为ＧａＡｓ价带之上０．４５ｅＶ，密度为２．４×１０１１／ｃｍ２．这样少的界面态存在于Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ界面上可能意味着Ｃ６０膜对ＧａＡｓ表面     

激光与^60Co—γ射线对花生的诱变效应研究

Ｈｅ－Ｎｅ，ＣＯ２和ＹＡＧ激光对花生幼苗期的生长有刺激作用，但＾６０Ｃｏ－γ射线对花生幼苗期的生长有一定的抑制作用．Ｈｅ－Ｎｅ和ＣＯ２激光处理的Ｌ１植株总果数 饱果数均比对照增多，但Ｎ２激光和＾６０Ｃｏ－γ射线处理的Ｌ１值株的总果数和饱果数均比对照减少。     

A Structural Model for C_(60) on Metal Surfaces

ＡＳｔｒｕｃｔｕｒａｌＭｏｄｅｌｆｏｒＣ６０ｏｎＭｅｔａｌＳｕｒｆａｃｅｓＤ．Ｌｉｕ１，２Ｊ．Ｌ．Ｙａｎｇ１Ｚ．Ｑ．Ｗｕ１Ｊ．Ｇ．Ｈｏｕ１（１ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＲｅｓｅａｒｃｈＬａｂｏｒａｔｏｒｙａｎｄＦｕｎｄａｍｅｎｔａｌＰｈｙｓｉｃｓＣｅｎｔｅｒ...     

退火对C_（60）薄膜电学性质的影响

本文研究了退火对Ｃ６０膜电导率的影响．结果表明，从室温到２００℃的温度范围内，Ｃ６０膜具有明显的半导体性质，室温电导率在１０－５～１０－７（Ω·ｃｍ）－１的范围内．薄膜在２００℃温度下恒温保持过程中，当时间小于２．５小时时电导率的增大是由于薄膜中不稳定的ｈｃｐ相的减少引起的；而相互通连的晶粒数目的减少导致退火时间大于２．５小时的薄膜电导率的减小．相互通连的晶粒数目的减少使得晶间势垒变高，从而使电导率变小．通连晶粒间缺陷的减少导致激活能变大，这些缺陷在Ｃ６０膜的能带中引入缺陷态．σ－１／Ｔ图中高温区域电导偏     

激光与~（60）Co－γ射线对花生的诱变效应研究

Ｈｅ－Ｎｅ、ＣＯ２和ＹＡＧ激光对花生幼苗期的生长有刺激作用，但６０Ｃｏ－γ射线对花生幼苗期的生长有一定的抑制作用；Ｈｅ－Ｎｅ和ＣＯ２激光处理的Ｌ１植株总果数和饱果数均比对照增多，但Ｎ２激光和６０Ｃｏ－γ射线处理的Ｌ１值株的总果数和饱果数均比对照减少；Ｈｅ－Ｎｅ、Ｎ２、ＣＯ２激光和６０Ｃｏ－γ射线能诱发花生根尖细胞染色体畸变，且畸变率随辐照剂量的增大而上升；Ｈｅ－Ｎｅ、Ｎ２、ＣＯ２激光和６０Ｃｏ－γ射线所诱发花生的变异性状是可以向继代遗传的。     

应用扫描电子显微镜对电沉积Cu／NiCu多层膜结构的表征

应用扫描电子显微镜对电沉积Ｃｕ／ＮｉＣｕ多层膜结构的表征张伟１薛群基１王友良２赵家政１（１．中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑开放室，兰州７３００００２．兰州大学材料系）近年来，由两种不同金属交替构成的多层金属复合膜的研究引起了人们极大的关注。发现...     

不同方法制备的C60材料的发光行为

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ溶胶－凝胶的方法出了掺杂Ｃ６０的Ｎａ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２干凝胶和掺杂Ｃ６０的ＳｉＯ２ＰＤＭＳ（聚二甲基硅氧烷）的凝胶材料。测量了纯Ｃ６０粉的吸收光谱和掺杂Ｃ６０偻的凝胶材料在不同温度下的发射光谱。观测到了Ｃ６０／ＮＢＳ在３０Ｋ～２００Ｋ温度范围Ｃ６０的发光峰位于１．６９ｅＶ,发光峰随着温度的升高向低能边有一较小偏移,并且谱峰强度减弱。对实验数据进行了拟合。分析了发光与温度的关     

埋入SiO2薄膜中的Ge,Si和C团的电学性质

研究了埋入ＳｉＯ２薄膜中的Ｇｅ，Ｓｉ，Ｃ微晶的电学性质与温度的关系。结合对光致发光（ＰＬ）的测量、电导激活能、电导与发光强度和峰位关系的测量发现，当测量温度高于６０℃时，埋入ＳｉＯ２中的Ｇｅ，Ｓｉ，Ｃ微结构具有半导体导电规律，尽管Ｃ／ＳｉＯ２复合膜在室温至６０℃之间表现出金属导电性质。对电导和ＰＬ机制进行了讨论。     

RBa_2Cu_3O_（7－δ）（R＝Y，Pr）薄膜中非平衡载流子的超快弛豫动力学

通过拟合ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ（７－δ）（δ＝０．１，０．４，０．８）和ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７外延膜的室温飞秒瞬态反射谱，研究了其非平衡载流子的超快弛豫动力学，计算了电声耦合常数λ．发现随着氧含量的降低及用Ｐｒ替代Ｙ，Ｃｕ－Ｏ面上载流子浓度降低，非平衡载流子的弛豫时间增加而电声耦合常数明显减小．这表明电声耦合与载流子浓度的依赖关系，电声相互作用可能是一种实空间局域相互作用．     

复合材料界面微观应力场的CBED研究

复合材料界面微观应力场的ＣＢＥＤ研究邹化民１，刘骏１，２，丁棣华１，王仁卉１，２（１．武汉大学物理系，武汉４３００７２２．中科院北京电子显微镜实验室，北京１０００８０）颗粒强化金属复合材料以其高的弹性模量，高拉伸强度，高耐磨性，高抗蠕变性能以及制造成...     

Al—C60界面相互作用的Raman光谱研究

用真空气相沉积的方法在ＮａＣｌ（００１）基片上制备了Ａｌ－Ｃ６０共蒸膜。由于界面上Ａｌ和Ｃ６０间的相互作用，Ａｌ－Ｃ６０混蒸膜的Ｒａｍａｎ谱相比纯Ｃ６０薄膜４ 显著的改变。Ａｇ（２）模的软化可归因子界面上的Ａｌ和Ｃ６０之间的电荷转移。但是，要解释上述Ｒａｍａｎ谱中所有的特征，尚须建立一个更复杂的Ｃ６０－Ａｌ界面相互艇模型。     

C60掺杂氧化硅气凝胶的发光特性研究

报道了Ｃ６０掺杂气凝胶的奇异光致发光现象．利用两种掺杂方法制备了Ｃ６０掺杂ＳｉＯ２气凝胶样品，红外吸收光谱及飞行时间质谱测试表明Ｃ６０分子被成功地掺入ＳｉＯ２气凝胶中．在室温条件下，以Ａｒ＋激光（４８８ｎｍ，１０ｍＷ）激发，观测到Ｃ６０掺杂气凝胶的强可见发光，发光峰位置较纯Ｃ６０明显蓝移，但不同方法制备的样品的蓝移量不同     

CO2激光切断内括约肌治疗肛裂

ＣＯ＿２激光切断内括约肌治疗肛裂毛宽荣（陕西省军区张家堡干休所门诊部，７１００２１）我部从１９９０年７月至１９９４年２月应用ＣＯ＿２激光治疗肛裂１８６例，一次治愈率９８．４％。现总结如下：１临床资料男５０例，女１３６例。年龄最小１６岁，最大６０岁；Ⅰ...     

国产操作系统COSIX和国产系统软件平台COSA

介绍了国产操作系统ＣＯＳＩＸＶ１．２和ＣＯＳＩＸＶ．２０国产系统软件平台ＣＯＳＡＶ１．０。ＣＯＳＡＶ１．０由国产操作系统ＣＯＳＩＸＶ１．２，国产网络系统ＣＯＮＥＴＶ１．０，国产数据库管理系统ＣＯＢＡＳＥＶ１．０以及国产编程软件Ｃ、Ｃ＋＋、ＦＧｏｒｔｒａｎ９０等构成。ＣＯＳＩＸＶ１．２遵循国际法标准ＰＯＳＩＸ．１、工业标准ＸＰＧ３，与主流ＵＮＩＸ系统ＳＶＲ４二进制兼容。ＣＯＳＩＸＶ２．０是基于微内核     

改善陷波滤波器Q值的反馈电路

本电路图示出一种带有正反馈电路的６０Ｈｚ陷波滤波器（图１）。如果将选用的缓冲器接在Ａ点和Ｂ点之间来代替短路的话，则确定正反馈的电阻（Ｒ４和Ｒ５）完全与确定陷波频率和陷波深度（Ｒ１、Ｒ２和Ｒ３）的电阻（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３）无关。在本例中（采用缓冲器），应用精确的方程，而Ｆ陷波＝１／（２ｎＣ（３×Ｒ１×Ｒ２）式中，Ｒ１＝ＲＩＡ＋Ｒ１Ｂ和Ｃ１＝Ｃ２＝Ｃ３＝Ｃ。Ｒ３确定陷波的深度，就缓冲情况而言，在Ｒ３＝６（Ｒ１＋Ｒ２）时，产生最大的陷波深度。通过改变系数Ｋ即Ｒ５与（Ｒ４＋Ｒ５）之比，Ｑ就可进行独立调节。…     

Co、Ti／Si_（1－x）Ge_x薄膜快速退火固相反应结构和组分研究

本文首次研究金属Ｃｏ与分子束外延Ｓｉ１－ｘＧｅｘ单晶薄膜快速热退火（ＲＴＡ）固相反应，并对比了ＣＯ、Ｔｉ与ＳｉＧｅ固相反应时不同的反应规律实验采用ＲＢＳ、ＡＥＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测．实验发现，Ｃｏ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０，２在６５０℃热退火后形成组分为Ｃｏ（Ｓｉ０，９Ｇｅ０．１）的立方晶系结构，薄膜具有强烈择优取向；９００℃处理温度，有ＣｏＳｉ２形成，同时Ｇｅ明显地向表面分凝．ＴｉＮ／Ｔｉ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０．２固相反应时，８５０℃处理可以形成Ｔｉ（Ｓｉ１－ｙＧｅｙ