90nm技术进程

联电90nm铜制程技术顺利产出2003年3月联电宣布客户采用联电90nm铜制程技术的产品顺利产出,此举让联电成为第一家以业界最先进的90nm制程为客户成功推出产品的晶圆专工公司。联电是首家达成此重要里程碑的晶圆专工公司,这完全归功于近几个月来联电在先进制程的重大进展。联电预期客户即将于今年量产此产品。由于具备丰富的0.13μm产品量产经验,联电在转进90nm制程的试产进展顺利。许多首次在0.13μm制程采用的新材料及新技术,皆可应用于90nm制程技术上,包含铜制程及低介电系数材料等。联电的90nm技术将使用9层铜导金属层、三闸氧化层(triple…     

DRAM及NAND是中国12英寸芯片线的出路

台积电赴大陆投资0.18微米制程（8英寸晶圆）申请案获批准：台积电早于2005年1月即向台湾当局提出赴大陆投资0．18微米制程申请．不过迟迟未能获得放行，让竞争对手中芯国际有充裕的时间奋起直追：期间大陆晶圆代工龙头中芯国际积极发展先进制程．第一批90纳米逻辑产品已于2006年第三季正式量产．其中第三季90纳米产品比重已达4．9％65纳米工艺技术也有望于明年下半年出台。     

05年台积电将大辐提升90纳米工艺产能

台积电日前表示，该公司以90纳米Nexsys工艺技术为多家客户量产芯片，并将于2005年大幅增加产能，以满足客户对此先进工艺技术的需求。台积电据称是全球唯一同时提供全铜、低介电系数(Low—k technology)以及12英寸晶圆90纳米工艺技术的晶圆代工厂商。     

2004年IC封装业的技术发展趋向

总部设在新加坡的品圆封装代工公司IPAC表示，在2004年要加强集成电路的晶圆级封装(WLP)的业务，引进先进技术和提供包括晶圆凸点、整合、测试等服务。IPAC将使用先进互连解决方案(AIS)公司拥有的专利技术TCSP制程。TCSP是纯芯片级封装制程的简称，它的封装尺寸等于芯片级尺寸，而且大部分封装制程在晶圆加工阶段完成，使每块芯片的封装成本显著降低。     

为高品质的IC制造 保驾护航——访FSI公司董事长兼首席执行官Dona1d Mitchell先生

SEMICON China 2004期间，国际知名晶圆清洗设备制造厂商FSI公司适时地连续在上海和台湾召开了“FSI表面处理技术研讨会”与“针对65纳米制程的尖端清洗技术”研讨会，与客户共同分享FSI的成果及听取客户的意见，以达到共赢之目的。借此机会，我们采访了来自美国的FSI公司董事长兼首席执行官Donald Micchell先生，请他介绍FSI公司及所取得的成果。     

DRAM及NAND是中国12英寸芯片线的出路

台积电赴大陆投资0.18微米制程(8英寸晶圆)申请案获批准。台积电早于2005年1月即向台湾当局提出赴大陆投资0.18微米制程申请,不过迟迟未能获得放行,让竞争对手中芯国际有充裕的时间奋起直追;期间大陆晶圆代工龙头中芯国际积极发展先进制程,第一批90纳米逻辑产品已于2006年第三季正式量产,其中第三季90纳米产品比重已达4.9%,65纳米工艺技术也有望于明年下半年出台。     

台积电、新思科技携手开发纳米制程

台积电与电子自动化设计(EDA)业者美商新思科技近日宣布,将合作开发纳米制程,锁定130纳米和90纳米的讯号完整工作组,争取客户新一代制程的晶圆代工订单。台积电的行销副总胡正大表示,新思在晶片制造前先产生可靠的分析结构,依据这样的需求结果,结合台积电的专业制造流程,提供台积电客户预防、或快速分析与修订他们复杂的讯号完整问题的能力。     

为高品质的IC制造——保驾护航——访FSI公司董事长兼首席执行官Donald Mitchell先生

SEMICON China 2004期间,国际知名晶圆清洗设备制造厂商FSI公司适时地连续在上海和台湾召开了“FSI表面处理技术研讨会” 与“针对65纳米制程的尖端清洗技术”研讨会,与客户共同分享FSI的成果及听取客户的意见,以达到共赢之目的。借此机会,我们采访了来自美国的FSI公司董事长兼首席执行官Donald Mitchell先生,请他介绍FSI公司及所取得的成果。     

先进制程导入SOI晶圆代工厂布局暗潮汹涌

随着微处理器（CPU）、游戏机芯片（GPU）制程对SOI技术需求愈来愈强，SOI已成各大晶圆代工角逐核心客户青睐的武器。台积电、联电都不敢轻忽先进制程以下导入SOI技术大量生产的重要性，新加坡特许半导体（Chartered Semiconductor）则抢先在90nm制程中采用IBM授权，赢得微软（Microsoft）XBOX 360 GPU订单。据传，台积电正评估未来45nm制程，争取代工CPU的可能性，未来更积极取得SOI技术势在必行。     

中芯国际与美国高通公司合作推进中国28纳米晶圆制造

中芯国际集成电路制造有限公司与美国高通公司共同宣布,中芯国际将与美国高通公司的子公司-美国高通技术公司（Qualcomm Technologies,Inc.）在28纳米工艺制程和晶圆制造服务方面紧密合作,在中国制造高通骁龙处理器。美国高通技术骁龙处理器专为移动终端而设计。该合作将会提升中芯国际28纳米制程的成熟度及产能,     

联电宣布客户完成55nmSDDI制程投片

晶圆代工大厂联华电子（UMC,以下简称联电）目前宣布,该公司客户己采用联电55nm小尺寸荧幕驱动晶片（SDDI）制程,顺利完成首个产品投片（tape—out）。联电现可推出提供高阶智慧型手机Full．H19画质的55nm制程,领先晶圆代工业界。     

美芯片商Xilinx将出售全新90纳米可编程芯片

美国芯片设计业者 Xilinx表示 ,将把其新一代可编程芯片的样品出售给客户 ,新产品系采用能降低成本的全新制程。该芯片可允许电子、汽车等制造商为特定用途进行编程。Xilinx表示 ,新芯片采用新的 90纳米制程 ,将会在今年第二季量产。半导体制造商正竞相要提供 90纳米制程的新产品 ,该制程可在愈来愈小的芯片上纳入更多的晶体管 ,以带来显着的成本优势。德州仪器和英特尔均已宣布 ,将在今年内推出采用 90纳米制程的芯片。但与可编程芯片不同的是 ,这两家公司的产品主要是针对无特殊用途芯片编程需求的客户。在可编程芯片市场与 Xilinx竞争…     

TSMC启动中国台湾南科晶圆十四厂扩建工程

TSMC4月9日在中国台南科学工业园区举行晶圆十四厂12英寸超大型晶圆厂第五期动土典礼，继竹科晶圆十二厂第六期之后，为TSMC先进的20纳米制程技术再次扩展重要生产据点，打造TSMC充沛的先进产能。     

中纬集成电路（宁波）有限公司技术简介

中纬集成电路(宁波)有限公司(SinoMOS Semiconductor(Ningbo)Inc．)成立于2002年2月，地处经济发达，交通便利、人文汇聚的浙江省宁波保税区。中纬公司的目标是成为国内领先的半导体制造公司，为客户提供高品质和高产出的晶圆代工服务。中纬公司总投资额为一亿五千万美元，占地13万平方米，第一期净化厂房面积4300平方米，可提供月产3万片6英寸1．0um～0．5um CMOS晶圆的代工服务。以下就其优势和制程技术作一些简介。     

联电与ARM携手并进28纳米制程世代

晶圆代工大厂联华电子（UMC,以下简称联电）与处理器核心供应商ARM共同宣布,双方已签订长期协议,将提供联电客户使用经联电28纳米HPM制程验证的ARMArtisanPhysicalIP解决方案。     

台积电积极布局28纳米制程

台积电近日正在加快28纳米以下制程布建步伐,位于中科园区的晶圆15厂第三暨第四期厂房,将同时兴建,预计2013年完工,这二座新厂,未来将成为台积电跨足20纳米制程主要生产重心。     

力旺Neobit技术率先导入于车规IC制程平台

力旺电子宣布其Neobit技术已率先导入于0.25μm车规IC制程平台,并已于2010年Q2完成可靠度验证,成功自工规领域迈进车规市场,未来更将强化与晶圆代工伙伴间之策略联盟,持续开发先进高阶制程之OTP技术,期能针对规格要求严格之汽车电子产业客户,提供更稳固可靠的嵌入式非挥发性内存技术及制程平台导入。     

台积电率先推出40纳米制程

台积电3月24目表示,领先专业集成电路制造服务领域推出40纳米制程。此一新世代制程包括提供高效能优势的40纳米泛用型制程（40G）以及提供低耗电量优势的40纳米低耗电制程（40LP）,同时提供完备的40纳米设计服务套件和设计自动化工具,以及电性能参数模犁（SPICE Model）及完整设计环境。首批客户产品预计于2008年第二季产出。     

全球半导体厂资本支出大幅增加

正2014年半导体产业看好,各厂纷纷调升资本支出,半导体三巨头台积电、三星电子(SamsungElectronics)、英特尔(Intel)资本支出维持高位,GlobalFoundr-ies、SK海力士(SKHynix)、中芯国际、东芝(Toshiba)、华亚科、华邦等也都调升资本支出,晶圆代工厂产能满载,DRAM和NANDFlash产业未来一年内也是供需健康,芯片价格走扬。晶圆代工厂2013年资本支出即明显攀升,2014年眼见先进制程的战局越来越激烈,28纳米产能吃紧,20纳米制程加入战场,16/14纳米制程也将拉开战场,各大半导体厂资本支出战争更是不手软。     

Disco为低K值电介材料脱离技术开发出300mm激光分割器

为加强芯片制程处理技术的开发 ,日本的 Disco公司开发出一套应用于 30 0 mm制程处理的自动化激光分割器 (dicer)。信息园　　这款 DFL6360工具具有几大功能 ,包括对高速处理器件的低 K值电介材料的无损伤脱离技术。该工具采用新型短程脉冲激光技术 ,采用了该公司于 2 0 0 1年开发的 DFD6360 30 0 mm切割平台。激光切割应用于硅晶圆处理往往造成热变形和污染问题。因而刀刃式切割则成为一种标准的应用处理方式。不过 ,随着激光技术的不断发展 ,Disco已经成功开发出可将热变形减少甚至消除的激光切割器。Disco的激光 dicer包括晶圆处理和…