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硫化铅探测器具有短波红外高灵敏度、低俄歇噪声等优点,其中化学水浴法合成的硫化铅薄膜可与CMOS半导体工艺兼容,有利于实现低成本高性能的面阵探测器。然而,目前对化学水浴法合成硫化铅探测器的研究主要集中在较大尺寸的单元探测器。本文基于化学水浴法合成硫化铅薄膜,利用离子束刻蚀工艺,制备了10～200μm尺寸的硫化铅光电探测器,研究了器件光电性能随电阻、长宽比、线宽等参数的变化。结果表明,随着尺寸的减小,硫化铅光电探测器的响应度逐渐增加,在1550 nm短波红外光的照射下,10μm级器件的响应度达到了51.68 A/W,约为200μm级器件的123倍,且在可见光和2.7μm红外波长下也具有良好的宽波段光电响应。本文研究的微米尺寸探测器件可为硫化铅探测器研究提供一定的支撑。 相似文献
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红外辐射覆盖的电磁波谱很宽,从近红外的0.8μm区到超长波远红外20μm～400μm区。但存在着红外辐射衰减小的三个大气透射窗口,即1～3μm、3～5μm和8～14μm的波谱区。红外探测及其应用就是在这三个窗口进行的。红外探测器的材料、器件设计与制作和整机系统 相似文献
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本发明提供一种可用于保护长波和中波红外探测器的被动式红外光学限幅器。这里的长波红外指的是波长为7至14μm的红外谱区,而中波红外则指的是波长为3至5μm的红外谱区。本发明提供的光学限幅器主要是供长波红外探测器使用的,但它也可以在中波红外谱区使用。该光学限幅器由一层红外限幅层和一个合适的衬底组成,它是通过将辐射导向探测器的方式来限制入射在探测器件上的辐射的量的。 相似文献
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文章介绍了工作波段为8～12.5μm、工作温度为80K,器件尺寸:长度L=700μm、宽度w=62.5μm、厚度d=7μm、读出区面积wl=62.5μm×50μm(名义值)的8条SPRITE红外探测器制造和性能;描述了器件工作电压和探测器性能的关系;讨论了该探测器在热成像系统中最佳使用偏置应为60V/cm,而不是目前的30V/cm;对SPRITE探测器进行了理论分析,指出:在热成像系统中,偏置为60V/cm的SPRITE探测器将获得最佳应用,其性能优于160元背景限线列探测器;还讨论了探测器的热负载和工作电压的关系. 相似文献
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当前红外探测器的许多研究工作是致力于改进单元器件和大规模电子扫描列阵器件的性能,致力于获得较高的探测器工作温度。研究工作的另一个重要目标是促使这些红外探测器价格更便宜,使用更方便。本文提出了窄禁带半导体光电二极管性能的调研情况,讨论了各种红外光电二极管技术的最新进展,这些器件是：ＨgCdTe光电二极管、ＩnSb光电二极管、可替代ＨgCdTe的由Ⅲ－Ⅴ族和Ⅱ－Ⅵ族元素组成的三元合金光电二极管,以7及单片硫化铅一类的光电二极管。调查了这些光电二极管的性能,它们的工作波段包括：短波红外（ＳＷＩＲ）：１μm－３μm;长波红外（ＬＷＩＲ）：８μm－１４μm。与其它类型的光子探测器相比,ＨgCdTe探测器的工作温度较高,在中波红外区域,ＨgCdTe探测器使用热电致冷器工作,器件性能可能达到背景限水平,而长波ＨgCdTe红外探测器则需要工作在大约１００Ｋ的温度。与其它探测器比较焉,ＨgCdTe探测器的特点是吸收系数和量子效率较高,而热产生速率则相对较低。 相似文献
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