表面型静电感应晶闸管负阻导通特性的研究

运用漂移-扩散模型,对表面型静电感应晶闸管的导通特性进行了数值模拟。分析表明,表面型静电感应晶闸管(SITH)具有与纵向结构SITH类似的负阻导通特性,而且表面型结构的各电极相对面积比纵向结构要小很多,阴极和栅极之间的电容更小,从而具有更快的开关速度和更高的灵敏度。对表面型SITH的电势分布、载流子分布以及阳极I-V特性进行了深入地计算和分析。显示数值模拟结果十分接近实际测量结果,模拟中也发现栅极的位置对栅极的控制性能的影响很大。     

静电感应晶闸管沟道载流子分布的物理效应

The physical effects of the carrier distribution in the channel on the dynamical performance of a static induction thyristor （SITH） have been studied numerically and experimentally. The analytical expressions of the minority carrier distribution in the channel of the SITH were also derived and the space charge distribution control- ling mechanism on the current of the SITH under high level injection have been analyzed deeply. The relationships among the minority carrier distribution, potential distribution, I-V characteristics and transient performances of the SITH are revealed.     

功率SIT和功率SITH的新进展

本文扼要地介绍了新型电力半导体器件SIT和SITH的研制、生产和应用的发展情况.说明SIT和SITH已从试制阶段进入实用化阶段.     

静电感应晶闸管的应用研究

从应用角度出发,测量分析了国产静电感应晶闸管(SITH)的主要电参数,特别是在开启、关断特性上作了详细的研究.针对应用较多的领域,研究出了四种各具特色、适用不同场合的驱动电路.测试表明这些电路可以使SITH器件达到较好的应用水平.     

静电感应晶闸管的负阻转折特性分析

描述了静电感应晶闸管(SITH)的优点、应用前景、结构特点及负阻转折特性.从SITH的作用机理出发,分别分析了导致负阻转折出现的几种重要的物理效应,如电导调制效应、空间电荷效应和复合效应以及载流子寿命的变化等,分析几种物理效应综合作用的过程.得到SITH的负阻转折属于高电平下空间电荷效应和复合效应共同限制的双注入问题,是几种重要物理效应共同作用的结果.     

静电感应晶闸管的负阻转折特性

针对静电感应晶闸管SITH在正向阻断态下加负栅压,当阳极电压增加到一定程度后Ⅰ-Ⅴ特性出现负阻转折的特性,以一种全新的角度,从SITH的作用机理出发,考虑双注入效应,考虑载流子寿命的变化,对负阻现象进行了物理分析,并计算了负阻转折电压和转折电流.     

沟道电势分布对静电感应晶闸管瞬态特性的影响

本论文从理论和实验上研究了由几何参数与偏置电压决定的沟道电势分布对静电感应晶闸管(SITH)瞬态性能的影响。从理论上推导出了SITH势垒高度和I-V特性的数学表达式。论文深入研究了影响器件在阻断态和导通态瞬态性能的主要因素和机理。研究结果对SITH的设计、制造、性能优化和应用有一定的指导意义。     

台面刻蚀深度对埋栅SITH栅阴击穿的影响

针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管(SITH)栅阴击穿特性的影响做了实验研究.实验结果表明,随着台面刻蚀深度的增大,器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿,同时击穿电压升高,SITH设计了独立的台面槽,并研究了台面刻蚀深度与栅阴击穿电压和栅阴击穿特性间的关系,指出台面刻蚀深度的增加可以有效减弱表面电荷和表面缺陷对器件的影响,改善栅阴击穿曲线,提高栅阴击穿电压.同时,还简要描述了这种器件的制造工艺.     

用于感应加热的移相脉宽调制(PWM)控制式高频逆变器

本文论述采用静电感应晶体管(SIT)或静电感应晶闸管(SITH)的移相脉宽调制和频率调制稳定式谐振高频逆变器,它已被实际应用于工业领域30kHz～500kHz感应加热和感应熔炼电源中。为了将开关损耗减到最小程度,提出了建立在移相PWM调整方案基础上的自适应频率跟踪。还成功地验证和讨论了采用SIT和SITH试制的电路板。     

大功率硅-硅直接键合静电感应晶闸管的研制

文章提出了用硅-硅直接键合（SDB）工艺替代静电感应晶闸管（SITH）中的二次外延，有效地提高了栅阴极击穿电压，增强了通过栅极正向阻断阳极电压的能力。对键合过程中硅-硅界面进行了研究，提出了提高界面质量的工艺措施；同时，给出了控制栅阴极击穿电压一致性的方法。对采用此方法制成的SITH的I-V特性进行了测量，并给出了实际测试结果。     

凝视型红外热像仿真技术研究

本文从为红外预警或制导系统开发提供实用的红外图像仿真技术出发,建立了完整的凝视型红外热像仿真模型。为建立该模型,本文分别对目标和背景的辐射仿真、大气系统的仿真、光学系统的仿真、凝视型探测器的仿真四个部分的机理进行了深入研究,并为各个部分建立了完备的数学模型．最后通过一幅坦克与夜天光相结合的仿真图像验证了该模型的效果,该仿真图像尤其考虑了非均匀性和衍射效应以获得好的效果。     

跳频信号的仿真模拟

本文介绍了跳频信号及跳频信号仿真模拟的原理,提出了具体的实施方案,分析了实施中存在的问题,并给出了相应的解决方法及仿真结果。     

试验设备仿真系统中系统网络的设计与实现

通过对试验设备仿真系统自身特点的分析,在系统设计上采用分布式交互仿真技术,其中网络技术起着至关重要的支撑作用。论述从仿真系统网络建设的要求出发,阐述该仿真系统网络结构设计和利用套接字网络编程技术实现网络数据通信两大关键实现步骤,并给出网络通信程序设计的方法。最后对系统运行结果进行分析,解决了系统出现的问题,很好地实现该仿真系统的功能。     

电路仿真专用芯片设计

电路仿真对于电信网向分组交换网的平稳过渡有着重要意义.文章根据相关标准提出并实现了一种电路仿真专用芯片的设计方案,并对其中主要功能模块和关键算法作出了详细说明,包括一种全数字的自适应时钟恢复方法、动态深度缓冲算法等.目前该设计已经通过了验证和在实际网络环境中的测试.     

利用方向角及其变化率对固定辐射源的三维单站无源定位

本文提出了利用方位角、俯仰角及方位角速度或俯仰角速度信息对固定辐射源的三维单站无源定位模型和方法,指出这两种方法具有单次观测即可得出目标辐射源位置的优点,并针对这两种测距方法的误差和可观测性分别进行了分析,最后给出了单次测量三维定位和多次测量卡尔曼滤波后的计算机仿真结果和结论.     

无线设备互调干扰仿真分析

系统电磁兼容(EMC)设计中,无线设备间互调干扰是非常严重的一个问题.本文首先建立了无线设备间互调干扰量的分析模型,并采用矩量法结合微波网络的方法求出互调干扰模型中最重要的参数天线间耦合度,然后把发射及接收设备的给定数据代入干扰模型算出发射机和接收机间互调干扰的量级.经过仿真数据与实测数据的对比,证明该方法理论正确,计算精度较高,文章最后给出了仿真实例.     

PHS和WCDMA系统互干扰仿真研究

首先对使用的仿真模型进行了详细的介绍，然后给出了相关的仿真结果和结论分析。最后，结合测试，对干扰问题的解决提出了建议与方案。     

在以太网中提供电路仿真业务的方法

文章介绍了以太网中提供电路仿真业务的应用参考模型,接着阐述了该业务的主要技术要求,最后提出了几种典型的电路仿真业务在以太网中的实现方案。     

When should I use network emulation?

The design and development of a complex system requires an adequate methodology and efficient instrumental support in order to early detect and correct anomalies in the functional and non-functional properties of the tested protocols. Among the various tools used to provide experimental support for such developments, network emulation relies on real-time production of impairments on real traffic according to a communication model, either realistically or not. This paper aims at simply presenting to newcomers in network emulation (students, engineers, etc.) basic principles and practices illustrated with a few commonly used tools. The motivation behind is to fill a gap in terms of introductory and pragmatic papers in this domain. The study particularly considers centralized approaches, allowing cheap and easy implementation in the context of research labs or industrial developments. In addition, an architectural model for emulation systems is proposed, defining three complementary levels, namely hardware, impairment, and model levels. With the help of this architectural framework, various existing tools are situated and described. Various approaches for modeling the emulation actions are studied, such as impairment-based scenarios and virtual architectures, real-time discrete simulation, and trace-based systems. Those modeling approaches are described and compared in terms of services, and we study their ability to respond to various designer needs to assess when emulation is needed.     

基于Ansoft Designer仿真工具的高隔离度MIC功率分配器

主要介绍了用Ansoft Designer设计的耦合型功率分配器,对用Ansoft Designer设计的电路进行了分析,并采用弧形修正方式补偿阶梯突变所产生的不连续,最后给出了其仿真结果。