MH/Ni电池失效原因分析

为分析MH/Ni电池失效原因,对失效后的MH/Ni电池进行解剖。对负极进行充放电容量测定、电镜扫描、表面元素分析,对正极进行充放电容量测定、循环伏安分析。结果表明,正负极容量都降低,负极活性物质发生了粉化,元素发生了偏析;氢氧化镍的氧化电位升高,而还原电位降低,电极可逆性变差了。     

镉电极表面处理对Cd/Ni电池性能的影响

氧复合能力的大小是Cd/Ni电池密封及快充技术的关键，分别用乙炔黑，羰基镍粉及憎水剂等对镉电极表面进行处理，比较了各种处理方法对电池性能的影响，试验结果表明，合适的处理方法，可以提高电极的氧复合能力，从而改善电池的快充性能。     

Cu／Ni接触对的微动可靠性研究

本文研究了Cu／Ni电接触对在受到微动磨损时的电阻变化特性。当铜为样片而镍为触头时接触对的接触电阻明显比铜为触头而镍为样片时接触对的接触电阻更容易升高。因此,建议易氧化的铜作为接触对的触头材料。微动磨损区两端由于氧化磨屑堆积,接触电阻很容易升高。本文计算了Cu／Ni接触对的微动寿命分布参数,给出了可靠度随微动次数变化的曲线。     

Influence of surface finish processing on contact voltage drop in Cu/C electrical sliding contacts

A sliding contact is normally used to supply current to a rotating or moving object. The surface film formed on the sliding surface is important for ensuring reliability and long life. In the present study, the effects of preoperation conditions and initial surface condition are investigated. We examined the relation between sliding speed and chemical treatment for electrical sliding contact action. The initial surface condition and preoperation conditions greatly influence the contact voltage drop that occurs during operation. It is shown that stability of sliding contact can be achieved by appropriate surface treatment and preoperation conditions. © 2010 Institute of Electrical Engineers of Japan. Published by John Wiley & Sons, Inc.     

Ni(OH)2表面包覆对MH/Ni电池性能的影响

用钴、钇、钙共沉积表面包覆处理的球形Ni(OH)2与未处理的球形Ni(OH)2制成两种10 Ah电池,对常温充放电、高温充电和低温放电进行测试.结果表明:球形Ni(OH)2经钴、钇、钙共沉积表面包覆处理,可提高电池的高温充电性能.     

Na/NiCl2电池正极材料表面形貌对其电化学性能影响

研究以镍粉为主要原料,通过粉末烧结法制成Na/NiCI2电池用正极材料.采用扫描电子显微镜、自动压汞仪、比表面积分析仪及恒流充放电等测试手段,对此正极材料的物理性质和电化学性能进行了测试和表征.研究表明造孔剂碳酸氢铵(NH4HCO3)的含量对正极材料的表面形貌及其电化学性能有显著的影响.添加质,分数为20%的造孔剂于还...     

电极表面修饰对MH/Ni电池性能的影响

对小型MH/Ni电池正负极片进行了修饰研究.实验结果表明:该方法可增强电极的导电性,降低电池的内阻,提高电池的充放电效率和大电流放电能力,改善了电极的电化学性能.     

Physical failure analysis deprocessing and cross-section techniques for Cu/low-k technology

In this paper, physical failure analysis (FA) techniques including interconnect level and gate level deprocessing techniques and cross section analysis that have been developed will be discussed. Deprocessing techniques discussed include: wet chemical etching, reactive ion etching (RIE), parallel polishing, chemical mechanical polishing (CMP), and combinations of these techniques. Moreover, the detailed characterization of CMP process and gate level deprocessing will be presented. For the cross-section analysis of copper/low-k samples, focused ion beam (FIB) and mechanical polishing techniques will be discussed. FA challenges and new failure modes and reliability issues will also be addressed.     

基于PLS-ELM响应面法的坝基抗滑稳定可靠度分析

复杂重力坝坝基抗滑稳定可靠度问题中,研究变量个数多,隐式功能函数非线性程度高,使用传统响应面法求解时拟合精度不高、收敛困难、结构计算量大。针对该问题,提出了重力坝坝基抗滑稳定可靠指标估计的偏最小二乘-极限学习机（PLS-ELM）动态响应面法。采用适用于处理高维度、小样本、非线性回归问题的极限学习机模型（ELM）构建隐式功能函数的响应面,并采用偏最小二乘法（PLS）优化极限学习机模型的隐含层神经元个数和输入权值,将极限学习机响应面和蒙特卡洛模拟法相结合,并构造合理的迭代方式,实现极限学习机响应面动态更新和可靠指标求解。在此基础上对某重力坝挡水坝段进行坝基抗滑稳定可靠度分析,结果表明：该方法结构计算量少,响应面拟合精度和效率高,算法容易收敛且适用性广,易于与多种结构计算方法和软件结合,适用于实际工程的坝基抗滑稳定可靠度分析;工程实例中坝基抗滑稳定可靠指标为5.10,满足规范要求;软弱夹层的材料参数对重力坝抗滑稳定可靠度影响最大。     

基于连接点的输电系统可靠性统计评价方法

为了能更全面地评价输电系统的可靠性水平,提出了基于连接点的可靠性统计评价方法,并给出了输电系统连接点的定义、确定方法以及基于连接点的输电系统可靠性评价指标体系和具体指标的统计计算公式。所提方法从输电系统用户角度出发,通过在系统连接点处采集停电信息并统计计算相关指标从而反映输电系统连续供电能力,考虑了系统短时停电,其趋势性指标能反映系统可靠性的变化趋势。实际算例进一步验证了所提方法的有效性及实用性,能够体现系统网架结构对可靠性的影响,从而比较不同系统之间可靠性的情况。     

电感类物料绕线焊接工艺研究与应用

空调内外机在过程以及售后实际使用中频繁出现电感类元器件出现线圈断问题,导致空调使用寿命变短,一直是困扰着空调生产企业以及电感类器件生产厂家的难题,严重影响产品质量,该问题长期存在没有得到有效解决方案。本文从电感类元器件失效机理、器件内部构造、器件应用环境、器件生产工艺等方面进行全面分析。通过器件失效机理、器件环境应力模拟分析等对电感类器件全方位分析论断,分析结果表明:电感类器件在生产过程中由于绕线过紧、焊接温度过高、焊接时间过长、人工焊接手法不规范等原因难以在实际应用环境中以较高的可靠性工作,最终在过程使用以及售后使用过程中出现线圈断失效。电感类元器件失效实际与器件本身生产工艺设计陷存在较大关联;从器件本身应用环境、器件可靠性设计评估、器件应用环境标准、器件生产工艺全面论证分析整改,从器件本身质量提升着手,进行全面、系统化提升器件质量。     

MH/Ni及Cd/Ni电池的封口化成

对圆柱形MH/Ni、Cd/Ni电池封口后化成的技术条件进行了研究 ,指出实现该目标的关键是MH电极和Cd电极在封口后化成循环中首次充电中的行为。实验结果表明 ,分别采用经改性的MH电极和Cd电极配套组装的AA型MH/Ni和Cd/Ni电池 ,其封口后化成是能够实现的 ,且封口后化成的两种电池特性均高于开口化成所获得的同类电池。讨论了改性的MH电极和Cd电极在封口后化成中的行为及其在首次充电中可能的正面作用。     

装甲车辆原位检测仪可靠性分析与设计

装甲车辆原位检测仪是1台对装甲车辆电气系统的各分系统进行性能检测的仪器.为了装甲车辆原位检测仪能适应野外的工作环境,需要检测仪具有很好的可靠性、可维修性.主要对检测仪系统进行了可靠性的建模,确定了评价因数,计算出检测仪所选用的器件能够满足系统可靠性指标的要求.同时,对系统的可维修性的设计、可靠性、任务可靠度进行了分析....     

航空镉镍蓄电池低温性能研究

分析了航空镉镍蓄电池的使用现状和要求，论述了影响航空镉镍蓄电池低温放电性能的主要因素，并根据试验找出了解决的方法。验证结果表明，航空镉镍蓄电池的低温性能有了较大提高，现在可满足环境温度-18℃飞机发动机的启动要求。     

混合动力汽车氢镍电池建模研究

根据氢镍电池的动态特性,建立一个带有滞回特性的二阶RC等效电路模型;基于电池内部的快速动态反应和慢速动态反应,对两个反应时间分别通过充放电工况进行参数的辨识;通过MATLAB/Simulink建立模型仿真结构图.通过理论分析与仿真结果表明,该方法可以提高参数辨识的精度,并且不需要特定的工况实验来获取数据;初始值任意设置...     

浅议GCB/GIS传动轴可靠性设计

现阶段GCB/GIS可靠性设计相对薄弱,断路器传动轴是GCB/GIS连接操动机构驱动机械与灭弧室的关键零部件,笔者建立传动轴强度-应力(SSI)设计模型,以强度、应力基本数据处理方法探讨传动轴可靠性设计,为GCB/GIS结构进行可靠性设计尝试新思路。     

Structural and electrical properties of low resistance Pt/Pd/Au contact on p-GaN

We have investigated electrical and structural properties of Pt/Pd/Au ohmic contact on p-type GaN:Mg (2.5 × 10¹⁷ cm⁻³) using Auger electron spectroscopy (AES) and glancing angle x-ray diffraction (GXRD) analysis. It was shown that the specific contact resistivity improved with increasing annealing temperature. The annealing of the contact at 600^∘C for 2 min in flowing N₂ atmosphere resulted in a specific contact resistivity of 3.1 × 10⁻⁵ Ω cm². Both GXRD and AES depth profile results show that Ga₃Pt₅, Ga₂Pd₅, and Au₇Ga₂ phases are formed at the interface region between metal and GaN when annealed at temperatures 600^∘C. Possible explanation is suggested to describe the annealing dependence of the specific contact resistivity of the Pt/Pd/Au contacts.     

Ni/MH电池自放电研究

本文提出一种简便的用于研究Ni/MH电池自放电机理的方法,得出电池内部H_2与充电态正极活性物质的化学反应为Ni/MH电池自放电高的主要原因。并对抑制自放电的措施作了相应的研究。     

Fabrication and characterization of Au/SBT/LZO/Si MFIS structure

Ferroelectric SrBi₂Ta₂O₉ (SBT) films on a p-type Si (100) wafer with a LaZrO _x (LZO) buffer layer have been fabricated to form a metal-ferroelectric-insulator–semiconductor (MFIS) structure. The LZO thin film and SBT films were deposited by using a sol–gel method. The equivalent oxide thickness (EOT) value of the LZO thin film was about 8.83 nm. Also, the leakage current density of the LZO thin film is about 3.3?×?10^?5 A/cm² at bias sweeping voltage of ±5 V. SBT films were crystallized in polycrystalline phase with highly preferred (115) orientation. Also, the intensity of each pick slightly increased as thickness of SBT films increased. The C–V characteristics of Au/SBT/LZO/Si structure showed clockwise hysteresis loop. The memory window width increased as the thickness of SBT films increased. The leakage current density of Au/SBT/LZO/Si structure decreased as thickness of SBT films increased.