釉层配料比对长余辉陶瓷材料发光性能的影响

探讨了微波烧结条件下釉层配料比对长余辉发光陶瓷材料发光性能的影响,并采用正交实验法得出发光陶瓷的最佳发光条件：釉层配料比1∶5,时间8min,助熔剂7%,吸波物质的质量2.0000g。     

助熔剂对Y2O2S:Ti长余辉磷光体发光性能的影响

用高温固相还原法合成了无稀土激活离子Y2O2S：O．09Ti长余辉发光材料,研究了Li2CO3,Na2CO3,K2CO3、K3PO4和K2HPO4等5种助熔剂对Y202S：Ti磷光体发光性能的影响。结果表明：除了K2HPO2外,加入Li2CO3,Na2CO3,K2CO3与K3PO4助熔剂均可得到单相Y2O2S：Ti晶体。发射光谱结果显示：不同助熔剂的加入并没有改变样品发射谱主峰位置(565nm),但对其峰强度产生明显影响。助熔剂也显著改善了Y202S：Ti的余辉亮度,特别是Li2CO3。10min衰减时,Y2O2S：Ti样品的余辉亮度从加K2CO3助熔剂的0．15mcd／m^2增加到加Li2CO3助熔剂的10．1mcd／m^2。用紫外光激发样品,移去光源后,加Li2CO3助熔剂合成的样品在暗室中的余辉时问可持续达5h(0．32mcd／m2).     

助熔剂对Y_2O_2S∶Ti长余辉磷光体发光性能的影响(英文)

用高温固相还原法合成了无稀土激活离子Y2O2S∶0.09Ti长余辉发光材料,研究了 Li2CO3,Na2CO3,K2CO3,K3PO4和K2HPO4等 5种助熔剂对Y2O2S∶Ti磷光体发光性能的影响。结果表明:除了 K2HPO4外,加入 Li2CO3,Na2CO3, K2CO3与 K3PO4助熔剂均可得到单相Y2O2S∶Ti晶体。发射光谱结果显示:不同助熔剂的加入并没有改变样品发射谱主峰位置(565 nm),但对其峰强度产生明显影响。助熔剂也显著改善了Y2O2S∶Ti的余辉亮度,特别是Li2CO3。10 min衰减时,Y2O2S∶Ti样品的余辉亮度从加 K2CO3助熔剂的0.15 mcd/m2增加到加Li2CO3助熔剂的10.1 mcd/m2。用紫外光激发样品,移去光源后,加Li2CO3助熔剂合成的样品在暗室中的余辉时间可持续达 5 h(0.32 mcd/m2) 。     

长余辉发光陶瓷的研制

采用低温液相烧结工艺,制备了以SrAl2O4∶Eu2 ,Dy3 为发光基质成分、具有整体蓄光性能的长余辉发致发光陶瓷,并探讨了陶瓷配料组成和烧结工艺条件对陶瓷质量及发光性能的影响。     

多彩长余辉发光陶瓷的研究

采用高温固相反应法,分别制备了绿色(SrAl_2O_4:Eu~(2 ),Dy~(3 ))、蓝色(CaAl_2O_4:Eu~(2 ),Nd~(3 ))和红色(CaTiO_3:Pr~(3 ))长余辉发光材料。光谱分析表明,样品均在紫外至可见光范围内均能有效激发,SrAl_2O_4:Eu~(2 ),Dy~(3 )的发光峰值位于520nm,CaAl_2O_4:Eu~(2 ),Nd~(3 )的发光峰值位于440nm,CaTiO_3:Pr~(3 )的发光峰值位于612nm,用锌硼硅系统作为基础釉料,与发光材料混合制得发光釉料,在陶瓷基片上制备了具有一定图案的多彩长余辉发光陶瓷。     

红色长余辉发光材料在发光陶瓷上的应用

针对红色长余辉发光材料在发光陶瓷上的应用进行了分析和研究,从而更好的把红色长余辉发光材料应用到陶瓷制品上提供更为简单便捷的方法。     

助熔剂对固相微波法合成MgAl2O4∶Eu发光性能的影响

采用固相微波法研究了助熔剂对MgAl2O4∶ Eu3+荧光粉发光性能的影响.利用XRD和荧光光谱仪对合成产物的物相和发光光谱进行研究,分别探讨了助熔剂的类型及含量对发光性能影响.结果表明,加入NaF,CaF2,B2O3和GeO2为助熔剂时可得到红色发光材料;MgAl2O4∶Eu3+荧光粉主发射峰位于612 nm处,对应Eu3+的5D0→7 F2电偶极跃迁,次强发射峰位于589 nm处,为Eu3+的5D0→7F0的跃迁,Eu3+离子处于非对称中心格位.相对于氟化物,氧化物助熔剂有助于提高样品的发光强度,其中,以B2O3为助熔剂时荧光粉的发光强度最高,其最佳掺杂量为4.5wt％.     

稀土长余辉涂料的发光性能研究

本文通过对SrAl2O4．Eu,Dy长余辉发光涂料进行发光学研究,得出涂料母体对SrAl2O4：Eu,Dy长余辉发光粉的发光不存在明显影响的结论。同时利用二级e指数衰减公式研究了长余辉发光涂料的发光动力学,并测得其快衰减寿命和慢衰减寿命的数值。     

长余辉光致发光塑料发光性能的研究

<正> 发光材料的研究与应用由来已久,早在30年代斯开尼(A.G.Schening)就研究了以硫化锌、硫化镉为基质,银和锰离子为激发剂的发光物质,并被收录于法国专利。70年代以来发光材料的研究和应用已十分广泛,但主要应用还局限于电子和国防工业,如荧光灯、电视、示波器、雷达显示屏、仪表显示等。     

长余辉陶瓷材料的研究进展

长余辉陶瓷具有物理化学性能稳定、余辉亮度高等优势,在应急指示、生物成像、光学存储等领域受到了广泛关注,其中长余辉透明陶瓷凭借其“体积效应”,有利于获得发光均匀性好、亮度高、余辉时间长的长余辉发光,具有较好的发展前景。本文回顾了各类长余辉陶瓷特别是长余辉透明陶瓷的国内外研究进展,阐述了长余辉陶瓷的制备工艺及其陷阱深度和余辉性能的调控方式,总结了长余辉陶瓷面临的主要问题并展望了其发展趋势。     

微波介质陶瓷的助烧与掺杂改性

为满足多层微波元件低温烧结的需求,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度.文中综述了近年来微波介质陶瓷研究中的助烧和掺杂改性的发展情况,概述了相关液相烧结的机理,列举了一些低熔点玻璃相的相关微波节电性能.     

烧结助剂对95氧化铝瓷性能的影响

采用正交实验,X射线衍射分析、电子显微镜及视频显微镜分析,研究了MgO-CaO-SiO2与TiO2烧结助剂及烧成温度对95氧化铝瓷的密度和洛氏硬度等性质的影响.结果表明:添加5％的MgO-CaO-SiO2,同时添加1.0％的Ti02,可实现95氧化铝瓷试样在1520℃时及常压下达到致密烧结,获得的试样吸水率为0.07％,体积密度为3.64g/cm3,洛氏硬度为90,相比其它常压烧结方法制备的95氧化铝瓷的烧结温度降低了约150℃.     

热处理温度对自合成莫来石结合SiC多孔陶瓷性能的影响

本文通过自合成莫来石结合的方式制备了碳化硅质多孔陶瓷,主要研究了烧结温度对其机械性能、微孔性能的影响.结果表明:随着烧成温度的变化,莫来石结合碳化硅多孔陶瓷材料的结合剂晶相结构发生较大变化,从而导致材料中各项机械性能、化学性能、热稳定性能及微孔性能也不断变化.最后确定其适宜的烧成温度应控制在1390℃至1430℃之间.     

微波烧结ZTA陶瓷的影响因素

通过改进混合加热模式,实现了ZTA陶瓷微波烧结。材料的类型及配比直接影响微波烧结的升温速率;输入功率的提高有助于提高烧结速率;辅助加热体的老化现象降低微波烧结速率;微波烧结过程中应避免出现热剧变现象。     

添加剂对钛酸镁陶瓷性能影响的研究进展

综述了添加剂对钛酸镁陶瓷性能影响的研究现状,烧结及介电性能等方面的进展。研究结果中可以看出,Bi2O3-V2O5、Co2O3、ZnO等氧化物及氧化物玻璃料的添加可以不同程度地大幅降低陶瓷的烧结温度。在Mg2TiO4中掺杂不同添加剂可适当改变其介电常数,满足其介电常数材料的应用需要;在MgTiO3中掺入不同添加剂可不同程度改变其介电常数,得到具有较高Q*f值且τf≈0的钛酸镁基陶瓷材料。从当前研究现状可以看出,掺杂改性是获得所需性能材料的强有力手段,也是今后对钛酸镁基陶瓷性能优化的主要研究方向之一。     

微波烧结CaZrO3陶瓷的研究

以CaZrO3为原料，利用微波等离子体烧结技术制备高密度的CaZrO3陶瓷。研究了工艺参数对CaZrO3陶瓷结构的影响。测试了CaZrO3陶瓷的性能。结果表明，微波等离子体烧结技术与常规法相比，其烧结时间明显缩短，性能有所改善。而微波功率和压力是获得优质CaZrO3陶瓷的关键。     

添加剂对氧化物陶瓷性能的影响

讨论了添加剂对Al2O3陶瓷，BeO陶瓷，ZrO2陶瓷和ZTA陶瓷性能的影响，分析了添加剂对氧化陶瓷的烧结性能和添加剂对ZrO2增韧Al2O3陶瓷（ZTA）的性能的影响机制。     

聚苯乙烯/稀土复合发光材料的制备及其性能研究

采用硅烷偶联剂对稀土发光材料进行表面改性。将苯乙烯、改性后的稀土发光材料和引发剂偶氮二异丁腈加入到聚合反应装置中,进行原位乳液聚合,制备聚苯乙烯(PS)/稀土复合发光材料。红外光谱、热失重和显微镜分析表明,PS已经成功接枝到稀土发光材料表面,并以片状均匀地包覆于稀土发光材料表面。通过测试PS/稀土复合发光材料的表面接触角,发现PS/稀土复合发光材料有着优异的耐水性能。荧光光谱分析表明,乳液聚合过程中PS/稀土复合发光材料没有改变稀土发光材料的基质,PS/稀土复合发光材料的发光中心与稀土发光材料的相同。     

烧结助剂对CaO-B2O3-SiO2介电陶瓷结构与性能的影响

以CaO-B203-Si02(CBS)系微波介质陶瓷为基体材料,采用ZnO和Na2O作为烧结助剂,研究了其微观结构、相组成及介电特性.研究结果表明ZnO在烧结过程中与B2O3及SiO2生成低熔点玻璃相,促进以片状集合体形式存在的CaSiO3晶相合成,显著降低了材料的致密化温度;Na2O虽可促进烧结,但会破坏硅灰石晶体结构,导致微波介电性能显著降低2%(摩尔分数)ZnO取代CaO,在1000℃保温2h,具有较好的微波介电性能εr为5.4.Q·f为22000GHz(测试频率f0为8.5GHz).