飞秒激光加工低维纳米材料及应用

飞秒激光具有脉宽超短、瞬时功率密度超高、非线性加工的特点,对低维纳米材料的制备和加工有着独特的优势,且具有广泛的材料适应性,能够方便快捷地针对需要精确靶向定位和图案化加工的纳米材料做出加工策略。本文综述了飞秒激光对低维纳米材料的制备加工和改性的研究现状,介绍了时空整形飞秒脉冲激光方法下制备的功能性量子点、纳米线、二维薄膜材料,和这些材料在化学催化、生物化学检测、生物相容性及电子器件等领域的应用,分析讨论了激光液相烧蚀制备纳米材料和集成化器件加工当前所面临的挑战和今后的研究重点。     

IP硬核无损测试技术

针对大量IP硬核精准、快速的测试验证需求,在分析现有IP硬核测试技术的基础上,研究了IP硬核无损测试技术.通过设计模拟用户片上系统(SOC)的通用评估系统,将被测IP硬核嵌入在测试电路中,并引入软硬件补偿结构,对信号时序进行校准补偿,对IP硬核精确输入进行控制和监测.结合外部自动测试设备(ATE)与片上评测电路,实现对IP硬核的功能、性能以及可靠性等的精确验证.实际完成了一款基于片上评测电路的静态随机存储器(SRAM) IP硬核测试设计与验证,实现该IP硬核关键时序参数测试,以数据建立时间这一参数为例,分析了其具体测试方法并得到测试结果.采用该测试技术,IP硬核时间参数的测试精度可达ps级,相较于IP硬核封装后测试,充分体现了结果数据的精确性.     

纳米材料的测试与表征

介绍了纳米材料的特性及测试与表征。综合使用各种不同的分析和表征方法,可对纳米材料的结构和性能进行有效研究。     

场发射冷阴极的技术现状及其应用研究进展

基于场发射冷阴极的真空电子器件被广泛应用于通讯、医疗、安全监测等领域,本文主要回顾了近年来场发射冷阴极及其真空电子器件的最新研究进展,介绍了现行冷阴极中使用的低维纳米材料和新型复合式结构,详细探讨了场发射冷阴极在微波管、电子显微技术、X射线管及真空纳米间隙晶体管中的应用现状。最后,着重阐述了真空电子微系统的科学概念,并对未来的应用前景进行了展望。     

一种基于BFT型拓扑结构片上网络低费用测试方法

随着集成电路制作工艺的进步,多核与众核系统是片上系统的发展趋势.传统的二维网格(2D-mesh)型拓扑结构通信效率低、功耗高和时延长等缺点变得越来越明显.本文首先分析对比了几种常用拓扑结构在多核与众核情况下的性能,进而采用布线复杂度较低、性能较好的蝴蝶型胖树(BFT)拓扑结构来解决片上系统的设计和测试问题.随后,本文针...     

基于云进化算法的NoC测试端口优化选择方法

针对片上网络(NoC)中大量节点的测试难题,提出了一种结合二维云进化算法优化选取NoC中测试端口位置,提高测试效率的方法。该方法结合NoC网格结构特点,采用重用测试访问机制和XY路由方式,由测试功耗限制确定端口对数,通过二维云模型对端口坐标进行统一建模,云进化算法自适应控制遗传变异的程度和搜索空间的范围,在测试功耗约束条件下,优化选取最佳测试端口的位置,达到总测试时间最少的目的。以SoCIN结构电路为仿真平台,分别对4×4网格和8×8网格结构NoC进行了实验仿真,结果表明,在NoC节点测试问题上,云进化算法能快速收敛到最优解,有效提高整体测试效率。     

BiFeO3多铁性低维纳米结构研究进展

BiFeO3多铁性低维纳米结构（如纳米晶、纳米线、纳米管、纳米岛等）因其出色的室温多铁性能以及纳尺度下的新型尺寸效应特性,在新型多态存储器及自旋电子学器件方面受到广泛关注。近年来,人们在BiFeO3多铁性低维纳米结构的制备与表征（电、磁性能以及微结构）方面取得了相当进展,本文对此进行了评述。首先,对高质量的BiFeO3多铁性低维纳米结构的制备方法进行了简短评述,然后介绍了BiFeO3多铁性低维纳米结构的纳尺度电性能与磁性能表征以及磁电耦合效应。最后,综述了BiFeO3多铁性低维纳米结构的微结构研究进展以及BiFeO3多铁性低维纳米结构的理论研究结果,并指出了未来BiFeO3多铁性低维纳米结构研究需要重点解决的一些问题。     

协议测试技术分析——一致性测试与互操作测试

随着通信技术的快速发展，针对协议的测试越来越重要。本文介绍了协议一致性测试和互操作测试，分析了二者的优缺点，同时明确了它们之间的关系，以及相关标准进展情况，从而指导我们选择正确的协议测试技术。     

基于复用的SOC测试集成和IEEE P1500标准

以复用核测试为目标的测试策略是解决SOC测试问题的基础.IEEE P1500标准是国际上正在制订的嵌入式核测试标准,该标准旨在简化核测试信息的复用,提高SOC级测试集成的效率.文章介绍了截至目前为止P1500标准的制订情况,包括嵌入式核测试的体系结构、P1500的标准化目标,以及P1500的两级服从认证等.     

低翻转率的SoC总线组合编码算法

为降低SoC总线功耗,避开现有总线编码技术在应用上的局限,提出了一种SoC总线编码算法。算法基于总线上IP可复用的观点,采用分组BI码和TO码各自的优点,在维持SoC总线功能基本不变的同时,减少数据线和地址线的电平翻转。最后的实验结果表明：组合编码算法可以将SoC总线的平均功耗下降7．41％,是一种有效且适用于SoC总线的低功耗算法。     

基于扫描的SoC全速测试及应用

介绍了在系统级芯片(SoC)测试中所用到的基于扫描结构的全速测试。首先介绍了转换故障模型和路径延迟故障模型,以及测试时采用的具体的两种测试方法,然后总结了一些测试时要注意的事项。最后结合上述理论,对一款基于ARM的自主研发SoC芯片进行了实验,并用时序测试矢量对stuck-at故障进行模拟,减少了测试矢量的个数,节约了测试成本,得到了预期的结果。     

基于片上网络的系统芯片测试研究

文章介绍了基于片上网络对系统芯片进行测试的原理和实例，这是一种新的设计方法。首先讨论了未来系统芯片存在的各方面测试挑战，并提出了基于片上网络结构的解决方案。其次，在OSI网络堆栈参考模型的基础上．提出了面向测试的片上网络协议堆栈以及对应的测试服务。最后，介绍了基于片上网络的模块化测试方法。     

虚拟仪器技术综述

现代工业产品设计和制造过程中 ,产品的测试问题已成为决定产品性能、成本等的重要因素。为了适应这种对测试技术和测试系统不断提高的要求 ,VI(虚拟仪器 )技术应运而生。虚拟仪器技术是现代测试技术发展的重要方向 ,本文对虚拟仪器的概念、应用特点及发展作了综合介绍。     

基于大规模天线的LPWAN技术-TurMass SoC设计与测试

本文介绍了NB-IoT与LoRa等低功率广域网络技术在已经实施的项目中出现终端功耗过高、接入容量过低、网络可靠性不足等方面的问题.并提出了融合mMIMO和长距离窄带传输,以免许可mMIMO随机接入(mGFRA)技术为核心的TurMass技术及其在提升接入容量的特点.基于TurMass技术SoC芯片的模块化设计整合了射频...     

基于复用的SOC测试技术

复用不仅是SOC设计思想的核心,也是解决SOC测试的基础.本文在分析SOC的基本概念和特点的基础上,从复用的角度对现有的SOC测试方案进行分析和综述,并探讨了亟待解决的问题.     

低维材料太赫兹探测器研究进展（特邀）

太赫兹技术在无损检测、生物医学、工业检查、环境监测、局域通信和国防安全等领域具有广阔的应用前景。太赫兹系统中太赫兹探测器是其核心器件,其性能决定了太赫兹系统的应用市场,是推动太赫兹技术进一步发展的重要研究方向之一。但是,太赫兹波段较低的光子能量使得实现高速、灵敏的太赫兹探测颇有挑战。随着纳米技术和新材料制备技术的进步,低维材料的高迁移率、宽响应频带等性能为太赫兹探测器提供了新的机遇,低维材料太赫兹探测器得到广泛关注,其主要优势是高灵敏度、宽频带和低噪声,在近年来取得了显著的研究进展。虽然太赫兹探测器已经取得突破性发展,但各类太赫兹探测器仍然存在一些问题。在此背景下,文中从太赫兹探测器的分类出发,简要介绍了测辐射热计、热释电探测器、等离子体共振探测器和热载流子调控探测器的物理机制以及最新研究进展,并展望了未来低维材料太赫兹探测器的发展方向。     

片上网络核心芯片的验证与测试

为提高芯片验证与测试的可靠性,针对片上网络核心芯片的结构特点,设计出一种基于宿主机/目标机通信模式的测试系统.重点描述了测试系统软硬件的设计与实现,并采用Stratix系列FPGA芯片进行原型测试和验证.实验结果表明,该系统可对芯片的复位、实现功能及稳定性进行全面测试,而且原理简单、操作方便、运行稳定,极大地提高了芯片...     

移动互联网络时代MEMS技术的创新发展

微电子机械系统(MEMS)技术是半导体微电子学的创新,利用Si基集成电路的平面工艺从两维加工向三维加工发展,开创了MEMS新的领域。综述并分析了与信息产业以及移动网络相关的MEMS主流产品(加速度计、陀螺仪、微麦克风、数字微镜器件(DMD)、喷墨头和RF MEMS)的技术发展现状和趋势,同时预测了MEMS新兴产品(光滤波器、微小电子鼻、微扬声器、微超声器、微能量采集器和纳机电系统(NEMS))的科研现状和面临的技术挑战。从当前世界MEMS技术发展的特点(系统集成、与CMOS工艺结合走向标准加工、纳米制造与微米、纳米融合和多应用领域扩展)出发,结合国内MEMS技术发展的现状,提出我国MEMS技术发展的建议。