制备方法对共混物有机薄膜晶体管性能的影响

文章采用旋涂和滴涂两种方法分别制备了聚3-己基噻吩（P3HT）和聚苯乙烯（PS）共混物的有机薄膜晶体管器件,并通过掠角X射线衍射,扫描电镜和原子力显微镜对薄膜结构进行了研究,结果表明使用旋涂方法时薄膜中的P3HT形成了纳米网络结构,P3HT分子采取了共轭平面垂直于硅片表面的排列方式,这种结构有利于载流子的传输,从而提高了旋涂方法得到的薄膜的场效应迁移率。     

溶液法制程对有机薄膜晶体管性能影响的研究

基于新型的聚合物绝缘材料和半导体材料,采用溶液法旋涂工艺制作有机薄膜晶体管,通过优化聚合物半导体材料的溶剂、旋涂速度、退火温度等条件,提高有机薄膜晶体管的器件性能。结果表明,不同溶剂溶解半导体对制成的有机薄膜晶体管的迁移率影响明显;半导体层旋涂速度过慢和退火温度过低都会降低有机薄膜晶体管的性能。当采用1,2,4-三氯苯(TCB)作为半导体溶剂,旋涂速度为3 000r/min,后烘温度为190℃时,有机薄膜晶体管的迁移率可以达到约0.5cm2·V-1·s-1,亚阈值摆幅降至约0.6V/dec,开关比大于106。     

P(VDF/TrFE)聚合物薄膜光波导的实验研究

采用棱镜耦合法和偏振反射技术研究了Ｐ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ）聚合物薄膜光波导特性。配制适当重量比浓度的Ｐ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ）溶液,通过提高极化时的温度,可制成均匀透明的极化聚合物薄膜平面波导。Ｐ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ）成膜后薄膜内部的晶界与晶粒对于其光学性质的影响可以获得较大改善。样品用旋涂法制备。研究了制备工艺对光学特性的影响。     

新型双空穴注入型高效有机电致发光二极管

采用一种新型有机电致发光二极管（OLED）的阳极结构,在玻璃衬底上以半透明的A1膜为出光面,通过在空穴注入层（HIL）和空穴传输层（HTL）中间插入MoOa层,制备了底发射OLED。制备的器件结构为Glass／Al（15nm）／HAT—CN（IOnm）／M003（30nm）／NPB（30nm）／Alq3（60nm）／B...     

基于有机硅栅绝缘层的制备工艺对OTFT性能的影响

基于聚合物绝缘材料和半导体材料,采用溶液法旋涂工艺制作了有机薄膜晶体管(OTFT),通过尝试不同旋涂速度、表面预处理、退火温度等条件来优化聚合物绝缘材料的制备工艺参数,获得了良好的绝缘性的聚合物绝缘材料和器件特性。结果表明,绝缘层旋涂速度过快、表面用氧等离子体处理时间过长和退火温度过低都会降低有机栅极绝缘层(OGI)的绝缘性和OTFT的器件特性。采用硅氧烷材料作为聚合物栅极绝缘层,其溶液由硅氧烷单体和溶剂加丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)混合而成。OGI的旋涂速度为1 200r/min,退火温度为140℃,在旋涂有机半导体材料之前,需在退火之后的硅氧烷表面进行短暂的氧离子灰化反应。得到的有机薄膜晶体管迁移率约为0.4cm2·V-1·s-1,亚阈值摆幅降至约1.2V/dec,开关比大于104,并且当外加电场为1MV/cm时,漏电流密度低于1.4×10-6 A/cm2(Vds=-40V)。     

新型共轭聚合物PDABTh／PS复合膜的光学三阶非线性研究

采用旋转涂布法在多孔硅（PS）中嵌入新型含偶氮苯与噻吩结构单元的共轭聚合物PDABTh,制备出聚合物PDABTh／PS复合膜。采用单光束反射z扫描方法分别对PS和pDABTh／PS复合膜在532nm处的非线性折射率进行TN量。实验结果表明,复合材料三阶非线性光学效应较PS得到了明显增强,为新型共轭聚合物PDABTh／P...     

具有双绝缘层的有机薄膜晶体管

为了提高SiO2单绝缘层器件的性能,在SiO2绝缘层的表面用旋涂的方法制备一层大约50 nm厚度的PMMA.实验结果表明用无机/有机双绝缘层可以有效的提高器件的性能同时降低器件的漏电流.计算出了载流子迁移率和开关电流比,基于PMMA/SiO2双绝缘层器件的载流子迁移率和开关电流比分别是4.0×10-3cm2/Vs和104.     

影响聚合物电致发光器件旋涂膜厚因素的研究

采用正交试验设计,应用方差分析方法,研究了旋涂工艺中聚合物溶液的浓度、匀胶机的旋涂速度和加速度以及旋涂时间对所制备的薄膜厚度的影响.试验和分析结果表明:溶液浓度和旋涂速度对薄膜厚度具有显著性的影响,而旋涂加速度和旋涂时间对它的影响则不显著.使用旋涂工艺制备聚合物薄膜时,合理选择溶液浓度和旋涂速度,对于优化器件的性能具有非常重要的作用.     

退火处理对ITO表面特性及有机发光器件性能的影响

为了改善有机发光器件（OLEDs）的性能，在0～600℃不同温度下对ITO透明导电玻璃进行了退火处理。SEM观察到随退火温度的升高，ITO表面粗糙度增加；四探针电阻测试结果显示，在300℃以上温度退火后ITO表面电阻率有明显增加。用退火前后的ITO玻璃作为阳极制备了OLEDs，器件结构为ITO／TPD／Alq3／Al，比较器件的电流密度-电压特性曲线测试结果表明，ITO薄膜的热处理温度对OLEDs性能有显著的影响。     

大功率808 nm分布反馈激光器阵列研制

为了提高808 nm大功率半导体激光器阵列的波长稳定性,提出了带有二阶布拉格光栅的大功率宽条型808 nm分布反馈激光器阵列。相比于传统的一阶布拉格光栅,其可以显著抑制简并纵模的产生,提高器件的波长锁定范围。借助于金属有机化学气相沉积、全息光刻、干法刻蚀以及湿法腐蚀等工艺,完成了器件的制备,并且在准连续条件（200 A、200μs、20 Hz）下,对所制备的激光器阵列进行了不同温度下的性能测试。测试结果表明：器件峰值输出功率可达到190 W,光电转换效率超过55%,光谱半高宽为0.6 nm,温漂系数为0.06 nm/K,波长锁定范围达到125℃（-35～90℃）。另外,对其进行了老化考评,结果显示,老化2 000 h后峰值功率衰减小于4%。     

Effect of substrate temperature on the properties of deep ultraviolet transparent conductive ITO/Ga2O3 films

正ITO/Ga_2O_3 bi-layer films were deposited on quartz glass substrates by magnetron sputtering.The effect of substrate temperature on the structure,surface morphology,optical and electrical properties of ITO/Ga_2O_3 films was investigated by an X-ray diffractometer,a scanning electron microscope,a double beam spectrophotometer and the Hall system,respectively.The structural characteristics showed a dependence on substrate temperature. The resistivity of the films varied from 6.71×10~(-3) to 1.91×10~3Ω·cm as the substrate temperature increased from 100 to 350℃.ITO(22 nm)/Ga_2O_3(50 nm) films deposited at 300℃exhibited a low sheet resistance of 373.3Ω/□and high deep ultraviolet transmittance of 78.97%at the wavelength of 300 nm.     

聚丙烯酰胺凝胶法制备BeO纳米粉体

聚丙烯酰胺凝胶法是一种利用三维网络结构高分子将溶液中的离子包裹形成物理阻隔,制备纳米粉体的方法。本文采该方法成功地制备了BeO纳米粉体。热重分析、X射线衍射仪和扫描电子显微镜的研究表明：煅烧温度为680℃,较传统煅烧温度下降140℃。采用聚丙烯酰胺凝胶法700℃煅烧2h制备的粉体,平均晶粒尺寸为16．5nm;升高煅烧温度,粉体粒度显著增大。900℃煅烧2h制备的粉体,平均粒径为20～30nm。     

多孔硅衬底上ZnS薄膜的PLD制备和表征

在电化学阳极氧化法制备的多孔硅（porous silicon,PS）衬底上用脉冲激光沉积法（pulsed laser deposition,PLD）在250℃和350℃下生长ZnS薄膜。XRD图样显示,制备的ZnS薄膜沿β—ZnS（111）方向择优生长,较高的生长温度下,衍射峰强度较大。SEM结果表明,250℃生长的Z...     

高效液相色谱法测定头孢噻吩钠含量和有关物质

建立高效液相色谱法（HPLC）测定头孢噻吩钠含量和有关物质。色谱条件以C18为固定相,色谱柱：（4.6mm×250mm,5μm）;流动相为0.207mol/L醋酸钠溶液（用冰醋酸调pH值至5.9）-乙醇-乙腈（82：2：16）,流速为：1.0mL/min;检测波长：254nm：柱温;40℃。结果：头孢噻吩钠含量在55.8μg/mL至464.4μg/mL呈良好线性关系,r=0.9999：平均回收率100.2%;最低检测限为3ng（1ng/μL×3μL）。本法简单、准确,重现性、分离效果好,能较好的进行孢噻吩钠含量和有关物质测定。     

非平面型受阻胺共混芴类电致蓝光材料

低能绿光发射带是导致蓝光材料稳定性差的重要原因。为了更有效地抑制聚芴类绿光带的产生,设计共混非平面的抗氧化受阻胺（TMP—BPFT）来提高该类材料的光谱稳定性的方案,该方法可以同时抑制聚集与阻断芴酮生成过程。绿光指数（I（绿光中心波长）／I（第一发射峰））定量衡量了掺杂TMP-BPFT与三聚芴（TDHF）绿光发射带的关系。退火实验表明,在退火144h后,掺杂TMP—BPFT的TDHF与未掺杂的TDHF的绿光指数分别为0．5和4．5,这说明非平面的抗氧化受阻胺具有良好的光谱稳定作用。该研究工作表明具有隔离发色团和抗氧化作用的非平面型受阻胺衍生物是一类有效的电致蓝光材料的稳定剂。     

基于常温磁控溅射法的二氧化钒薄膜制备方法研究

采用常温磁控溅射法制备金属钒薄膜,然后在合适的氧气氛围下对其进行退火氧化处理,最终在非晶玻璃衬底上制备出具有相变的高性能二氧化钒(Vanadium Dioxide,VO_2)薄膜。X射线衍射(X-Ray Diffraction,XRD)测试结果表明,所制薄膜的主要成分为VO_2;扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)测试结果表明,所制薄膜的结晶性良好,晶粒粗细均匀。该薄膜在室温下的红外光透过率(2400nm处)为67%,在高温下的红外光透过率(2400 nm处)为9%。其透过率差值为58%,因此具有良好的红外透过率调节能力。同时还测试分析了薄膜光学转变与电学转变的差异,发现电学转变温度比光学转变温度高4.7℃。该方法适合大面积VO_2薄膜的制备,对智能窗的研究与应用具有重要意义。     

Au／PZT／p-Si结构铁电存储二极管的制备及其性能

采用准分子脉冲激光沉积(PLD)工艺,制备了Au／PZT／p-Si结构铁电存储二极管.在氧气氛350℃低温沉积、原位530℃快速退火工艺条件下,获得了多晶纯钙钛矿结构的Pb（Zr0.52Ti0.48）O3（PZT）铁电薄膜.PZT薄膜的铁电性能测试显示较饱和的、不对称的电滞回线,其剩余极化和矫顽场分别为13μC／cm2和48kV／cm.从C-V和I-V特性曲线观察到源于铁电极化的回滞现象,记忆窗口约1.1V,＋4V偏压下电流密度为3.9×10－6A／cm2.     

Pyrene functioned diarylfluorenes as efficient solution processable light emitting molecular glass

In this paper, we described a new category of solution processable small molecule organic light emitting materials, the pyrene functioned diarylfluorenes: 2PE-PPF and DPE-PPF. They emit blue light in solution and green light in film, and show high thermal stability with the 5% weight loss temperature (T_d) over 400 °C. The glass transition temperature (T_g) for 2PE-PPF and DPE-PPF is 102 °C and 147 °C, respectively. These molecules are interesting molecular glass and they have good film forming abilities. Smooth and uniform film could be obtained by spin-coating. This character enables them able to be used in solution processed OLEDs by spin-coating or jet-printing. Single layered device using 2PE-PPF as the active material shows a turn-on voltage of 3.2 V, brightness over 8000 cd/m² and current efficiency up to 2.55 cd/A. Double layered device by inserting TPBI as the hole-blocking electron-transporting layer increases the maximum efficiency to 5.83 cd/A.     

0.115BiGaO3-（0.885-x）BiScO3-xPbTiO3高温压电陶瓷的制备及电学性能研究

利用氧化物合成法制备了0.115BiGaO3-（0.885-x）BiScO3-xPbTiO3（BGSPTx）（x=0.56-0.62）铁电陶瓷.X射线衍射分析（XRD）表明,当PbTiO3含量（x）大于60%时,BGSPTx具有纯的钙钛矿结构。当x〈60%时,体系存在微量杂相。随着PbTiO3含量的增加,BGSPTx由三方相演变到四方相,三方-四方准同型相界位于x=0.58附近。在准同型相界附近,BGSPTx陶瓷的压电常数d33、机电耦合系数、剩余极化Pr都达到最大值,分别为272pC/N,42%,24μC/cm^2。介电常数-温度特性曲线测试表明,BGSPTx陶瓷在MPB附近（x=0.58）居里温度TC高达482℃。实验结果表明,BGSPTx陶瓷是一种优良的高温压电换能器和传感器材料。     

Zn2SiO4-Mg2SiO4复相陶瓷的合成与性能研究

利用醇盐溶胶-凝胶法合成（1-x）Zn2SiO4-xMg2SiO4陶瓷（x=0.1-0.9）。差热分析结合XRD分析表明（1-x）Zn2SiO4-xMg2SiO4的成相温度在800℃附近,1 150℃预烧粉体后,获得粒径为40-50 nm的Zn2SiO4-Mg2SiO4复相陶瓷粉末。复相陶瓷的最佳烧结温度在1 250℃-1 300℃,烧结过程中,部分组分产生了MgSiO3杂相。当x=0.6时,在1 250℃烧结后陶瓷的介电性能最优如下：εr=6.66,Q×f=174 800 GHz,τf=-38.7 ppm/℃,是一种有望应用于毫米波频段的新型介质陶瓷材料。