步进扫描投影光刻机中的曝光剂量控制技术研究

讨论了步进扫描投影光刻机中的曝光剂量控制技术 ,详细阐述了步进扫描投影光刻机中的曝光剂量控制原理 ,提出了一种曝光剂量控制算法。实验表明 ,应用此剂量控制技术使系统的曝光剂量控制精度达到 1.3 7% ,剂量重复精度达到 0 .3 1% ,满足亚半微米光刻图形的曝光剂量控制要求     

电子束零宽度线曝光及其应用

为了提高电子束光刻的图形质量及光刻分辨率,从入射束能和束流密度等方面探讨了克服邻近效应影响的途径,在制备亚30 nm结构图形时采用零宽度线曝光的方法。该方法把版图上线条的宽度设为零,因此该线条的光刻尺寸取决于电子束束斑大小、曝光剂量与显影条件。在400 nm厚HSQ抗蚀剂层上通过零宽度线曝光技术制作出了线宽20 nm网状结构的抗蚀剂图形,实验证明采用零宽度线曝光技术可以比较容易地制作出密集线以及高深宽比的抗蚀剂图形。将该技术应用到扫描电镜放大倍率校准标准样品的制备,取得了较好的效果。零宽度线曝光技术是实现电子束直写曝光极限分辨率的有效方法。     

下一代曝光（NGL）技术的现状和发展趋势

通过介绍光刻技术的演变和所面临的挑战,揭示下一代光刻技术的发展潜力和研究现状。通过比较几种具有较大潜力的NGL(浸没式ArF光刻机、极紫外光刻和电子束曝光)的特点、开发现状和有待解决的关键技术,预言将来可能是以极紫外光刻、电子束曝光和某种常规光刻机结合的方式来实现工业、前沿科学技术需要的各种微米／纳米级图形的制备。     

亚微米图形曝光机

最近日本加农公司发表了一种用于超大规模集成电路的高精度投影曝光机,并已出售商品,以前人们普遍认为投影曝光方式,在大规模集成电路等微米领域的图形制作中是很有效的。但若用于超大规模集成电路等亚微米领域是不太可能的。加农公司采用综合透镜技术制出了超高分辨率透镜,进而打破了投影曝光方式不能用于亚微米技术的错误结论,成功地制出了亚微米图形曝光机。 用电子束或接触方式制作亚微米半导体器件一般是很有效的。但是,以激光和X线为光源的电子束方式,曝光时间太长。接触方式制备掩模太困难,成品率也低,因此都具有局限性。而投影曝光方式曝光时间短,又由于光掩模不与片子直接接触,所以成品率大大提高。 加农公司的这种新的亚微米图形曝光机不仅可以用作超大规模集成电路,也为超高频晶体管、CCD(电荷耦合器件)等新器件的研制开拓了新的途径。     

X射线光刻法——一种新的高分辨率复印法

阻碍广泛采用提供高分辨率图形清晰度的扫描电子束光刻的两个问题是电子束光刻必须连续曝光所有的图形,以及电子束的设备复杂和成本高。显然,两者可通过新近发展的 X 射线光刻法来克服,用类似于接触影印光刻方法的 X 射线光刻可获得复印亚微米分辨率图形。还有一个优越性是容许掩模与祥片间有一定间隔。本文叙述了 X 射线光刻法并且对制作亚微米分辨率图形清晰度的实施的前途作了估价。     

利用SEM进行高分辨率电子束曝光

<正>由于大规模集成电路集成度与微波半导体器件使用频率的提高,使得这类器件在制造时,要求刻蚀出亚微米的线条。一般的远紫外光学曝光技术已很难满足这一要求,因而高分辨率的电子束曝光技术及软X射线曝光技术得到了广泛的重视和研究。当前国际上已研制出刻蚀精度高达0.02μm的线条,并可制备高分辨率掩模版及直接在芯片上刻蚀的高分辨率电子束曝光机。运用直线电子加速器产生软X射线的曝光方法也可以制备这类器件。     

计算机控制的电子束投影掩模对准曝光机

微电子学中的光学曝光方法已达到其分辨率极限,因此,提出了电子束曝光和x射线曝光两种新技术。虽然这两种技术在实验室里已证明是可行的,但还不适用于生产过程。本文介绍一种用于生产的电子束投影系统,此系统能在三吋直径的成象平面上制作亚微米图形。所描述的电子投影系统配有控制掩模同片子对准的计算机以及真空系统中加工片子的自动操作系统。     

下一代曝光(NGL)技术的现状和发展趋势

通过介绍光刻技术的演变和所面临的挑战 ,揭示下一代光刻技术的发展潜力和研究现状。通过比较几种具有较大潜力的NGL(浸没式ArF光刻机、极紫外光刻和电子束曝光 )的特点、开发现状和有待解决的关键技术 ,预言将来可能是以极紫外光刻、电子束曝光和某种常规光刻机结合的方式来实现工业、前沿科学技术需要的各种微米 /纳米级图形的制备。     

1:1投影光刻机和10:1缩小片子步进机和混合光刻中的图形位置误差

本文主要参照1:1投影光刻机和10:1缩小片子步进机混合光刻中的套刻图形的差异,研究了这两种机器的特征图形位置误差。分析样品采用近年来由那些高度复杂的光刻机的用户所研制成,专用于精确鉴定大量元件的图形与图形之间的套准误差。通过使用这些样品和数据,就可以看出怎样使这两种类型的曝光设备能够成功地用于经济而有效地制作苛刻图形的器件。对于现今的高密度器件的制造来说,采用一次性全片对准的片子步进机与1:1投影光刻机的混合曝光方法是完全可以胜任的。并研究出了一个用于10:1片子步进机,1:1投影光刻机,以及用于这两种设备混合曝光的实际生产套刻值的预算表。     

电子束直接曝光机简介

电子束直接曝光机简介郑国强（甘肃平凉市电子部第４５研究所，７４４０００）１引言电子束曝光技术是集光、机、电、计算机和超高真空技术为一体的综合性技术，它可以把亚微米工艺的集成电路和器件图形直接光刻在Ｓｉ和ＧａＡｓ等圆片上。电子束直接曝光设备在军事微电子...     

下一代曝光(NGL)技术的现状和发展趋势

通过介绍光刻技术的演变和所面临的挑战,揭示下一代光刻技术的发展潜力和研究现状. 通过比较几种具有较大潜力的NGL(浸没式ArF光刻机、极紫外光刻和电子束曝光)的特点、开发现状和有待解决的关键技术,预言将来可能是以极紫外光刻、电子束曝光和某种常规光刻机结合的方式来实现工业、前沿科学技术需要的各种微米/纳米级图形的制备.     

国产首台直写式光刻机在合肥问世

据《中国电子报》2008年1月1日报道,中国首台拥有完全自主知识产权的直写式光刻机在合肥面世,标志着我国亚微米级光刻机完全依赖进口的局面将被打破。光刻机是生产电子芯片的最关键设备之一,电子芯片内的电路图案都是由光刻机产生的。每一代半导体技术的发展都是以光刻线宽为代表,合肥芯硕半导体(中国)有限公司此次研制的直写式光刻机,操作便捷、运行成本低,特别是生产的直写式光刻机分辨率达到亚微米级。与目前国际上同类产品相比,已经达到了世界领先水平。国产首台直写式光刻机在合肥问世$《集成电路通讯》编辑部     

光刻机曝光均匀性在线检测方法

光刻机的曝光量和焦距会随着做片量的增加发生漂移,具体表现为曝光场内和圆片内出现曝光不均的质量异常。设计了针形解析图形和方形显开解析图形,利用Ultra Step 1000光刻机进行实验,分析了曝光量和焦距的变化对解析图形解析值的影响。结果表明,曝光量对针形光胶解析图形影响较大,焦距对方形显开解析图形的影响较大。设计了解析图形在曝光场内和圆片内的布局方案,以及在线检测曝光场内和圆片内的曝光均匀性的具体方法,利用该方法可以有效提高光刻机曝光均匀性的在线监控效率,提早预防曝光不均异常现象的发生。该监控方法可以应用于其他类型的光刻机。     

电子束投影复印曝光机

本文介绍电子束投影复印曝光机的结构和性能。此复印曝光机的特点是采用电子束能够同时曝光大面积的图形,复印图形的面积为φ50毫米,最高分辨率为0.5微米。此复印曝光机可在半导体技术中用于复制高分辨率的掩模版和制作声表面波器件,光栅器件等。     

亚微米尺寸金属电极的制备工艺

亚微米尺寸金属电极在高电子迁移率晶体管(HEMT)等半导体电子学器件中有重要应用,其制作是器件制作中的关键工艺,对器件性能有着重要影响。本文选择合适的涂胶旋转转速、烘烤温度(180℃)和时间,可以有效地减少电子束曝光后所产生的气泡。通过对聚甲基丙烯酸甲酯/聚二甲基戊二酰亚胺(PMMA/PMGI)双层胶进行电子束曝光和显影,确定了合适的曝光剂量为550 μC/cm2。通过调整显影液配比,并将显影时间控制在合理范围,获得了光滑完整的PMMA/PMGI双层光刻胶曝光图形。开发了双层光刻胶电子束曝光工艺,制备出宽度为200 nm的金属电极。     

扫描电子束无显影光刻技术

扫描电子束曝光是微细图形加工中的一项核心技术.它既是远紫外、X-射线、投影电子束光刻制备微米、亚微米精细掩模的主要手段,也是在硅片上直接加工微细图形的重要光刻技术之一,并且具有高分辨率、高精度和自动化等优点.但是电子束光刻过程,一     

半导体装置中的精密定位机构

<正> 近年来,随着大规模集成电路集成度的不断提高,其图形更加微细化。目前,已经达到0.5微米或0.5微米以下。在制造这种大规模集成电路的过程中,特别在光刻工艺的光刻设备内和检测过程的测试装置中,高精度的定位机构起着重要的作用。 例如,在形成微细图形时,广泛使用的缩小式投影光刻机和电子束光刻机中,承放硅晶片并移动的xy工作台的定位精度就决定着光刻图形的位置精度。 另外,在x射线光刻机中,光刻图形的位置精度也由定位机构的机械精度来确定。 为了高精度地形成大规模集成电路的图     

扫描电子束无显影光刻技术,

<正> 扫描电子束曝光是微细图形加工中的一项核心技术.它既是远紫外、X-射线、投影电子束光刻制备微米、亚微米精细掩模的主要手段,也是在硅片上直接加工微细图形的重要光刻技术之一,并且具有高分辨率、高精度和自动化等优点.但是电子束光刻过程,     

电子束曝光技术的应用

电子束曝光技术是一种日益完善的超微细图形加工技术,它被广泛应用于航天通讯国防军工及超大规模集成电路等诸多领域。电子束曝光技术具有极高的分辨率,理论上甚至能达到原子量级。电子束曝光可以在基片上进行无掩膜直接曝光,具有极高的灵活性,因此是研制各种超微细结构器件的有力工具。目前先进的高性能电子束曝光系统主要用于0.1～0.5微米的超微细加工,甚至可以实现纳米线条的曝光制作。 电子束曝光技术是在扫描电镜技术的基础上发展起来的,其原理是计算机控制电子束成像电镜及偏转系统,     

用灰阶编码掩模进行邻近效应校正的实验研究

利用灰阶编码掩模实现光学邻近效应精细校正是改善光刻图形质量的有效方法,设计并利用电子束直写系统加工了实现邻近效应校正的灰阶编码掩模,首次在投影光刻系统上用这一方法实现了光学邻近效应校正,获得了满意的实验结果,在可加工０．７微米的Ｉ线曝光装置上获得了经邻近效应校正的０．５微米光刻线条。