In_xGa_（1－x）As／Al_yGa（1－y）As多量子阱的高压光致发光研究

用金刚石对顶砧压力装置在液氮温度下和０～４ＧＰａ的压力范围内测量了不同阱宽（１．７～１１．０ｎｍ）的ＩｎｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ／Ａｌ（１－ｙ）Ｇａ（１－ｙ）Ａｓ（ｘ，ｙ＝０．１５，０；０．１５，０．３３；０，０．３３）多量子阱的静压光致发光谱，发现在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小，在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ和ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ多量子阱中相应发光峰的压力系数随附宽的增加而增加．根据Ｋｒｏｎｉｙ－Ｐｅｎｎｅｙ模型计算了发光峰能量的压力系数随阱宽的变化关系，结果表明导带不连续性随压力的增加（减小）及电子有效质量随压力的增加是压力系数随阱宽增加而减小（增加）的主要原因．     

Al_xGa_（1－x）As／GaAs价带偏移的理论计算

ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ合金型异质结价带偏移的研究中，采用以平均键能为参考能级的ΔＥｖ理论计算方法，得到ΔＥｖ（ｘ）＝０．５３１ｘ＋０．００１ｘ２的理论计算结果．该计算结果与目前的一些实验结果符合较好．     

n－Al_xGa_（1－x）As／n－GaAs的特性参数研究

本文测了ｎ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ｎ－ＧａＡｓ的表面光伏谱，推导了有关计算公式，计算了它们的能隙和组分，得出了它们的重要材料参数．计算结果表明：理论计算与实验结果是一致的．     

GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱掩埋条形激光器

利用ＭＢＥ生长的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ折射率渐变－分别限制－多量子阱材料（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＭＱＷ），经液相外延二次掩埋生长，制备了阈值最低达２．５ｍＡ（腔面未镀膜），光功率室温连续输出可达１５ｍＷ／面的半导体激光器．经腔面镀膜后，器件已稳定工作４５００多小时．     

生长在In_xGa_（1－x）As（001）衬底上应变薄层GaAs的电子能带结构

采用经验的紧束缚方法对生长在ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ（００１）衬底上的应变薄层ＧａＡｓ的电子能带结构进行了计算。应变对能带结构的影响按标度定则进行计算，其中标度指数根据对畸变势常数的实验值进行拟合而确定。给出了ＧａＡｓ／ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ（００１）能带结构随衬底合金组分ｘ的变化关系，讨论了应变对能带色散关系的影响。     

GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱红外焦平面性能初探

ＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ多量子阱红外焦平面性能初探周士源（南京理工大学南京２１００９４）热电流和量子效率是ＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ多量子阱红外焦平面的两个最关键的特性，它决定着焦平面阵列的探测率和噪声等效温差ＮＥＴＤ。本文...     

A1_xGa_（1－x）As／GaAs太阳电池的结构观察和器件性能

运用不同的液相外延（ＬＰＥ）生长工艺，制备了两种结构的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ太阳电池，并结合透射电子显微镜（ＴＥＭ）等技术分析了外延工艺对器件性能的影响。结果表明，与过冷生长技术相比，回熔工艺对衬底质量的要求不严格，且能形成有利于光生少子被收集的带隙结构。在工艺优化的情况下，我们所获得太阳电池的全面积转换效率在ＡＭ０，１ｓｕｎ条件下为１８．７８％（０．７２ｃｍ２），在ＡＭ１．５，ｌｓｕｎ条件下为２３．１７％。     

1－MeV电子辐照对Al_xGa_（1－x）As／GaAs异质面太阳电池性能的影响

对ＡｌｘＧａｌ－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质面太阳电池经ｌ－ＭｅＶ电子辐照前后的性能变化进行实验研究和数值拟合分析．讨论了电池性能衰退的主要原因，并提出了如何提高ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质面太阳电池的抗电子辐照能力的方法．     

在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As／GaAs单量子阱特性

文章报道了用分子束外延（ＭＢＥ）法在６００℃和６５０℃下，在Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ衬底的（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上成功地生长了高质量的ＡｌｘＧａ１－Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱材料。计算了光荧光（ＰＬ）峰值能量，并与实验作了比较。讨论了（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上的不同生长特性。     

GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱红外探测器的光调制光谱研究

运用光调制光谱方法测量了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ多量子阱红外探测器材料的调制反射谱，结果表明光调制光谱可以精确确定阱宽、Ａｌ组分、子带跃迁能量和探测峰值波长等许多重要参数，结合实验结果，采用Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｙ模型对材料能带结构进行了理论计算，与实验结果相符．     

In_xGa_(1-x)As气相外延的组份缓变控制

一、前言由于光通迅的最低损耗波长处在长波范围内(1.0—1.6μm)。而截止波长为1.10μm 的Si 探测器在该波长范围已几乎没有响应。又,Ge 探测器的室温应用暗电流太大,噪声大。这些都限制了锗和硅探测器在长波长光通迅中的应用。所以,研制其它能适用于长波长范围的探测器,已成了当前的重要课题。     

GaAs－Al_xGa_（1－x）As异质结中二维热电子的负磁阻效应

在ＧａＡｓ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质结中，我们观察到二维热电子的负磁阻效应，随着电场强度的增加，负磁阻效应增强，对我们的样品而言，Δσ／σ（０）的幅度可达２０％以上．一个简单的理论分析表明：实验结果能够被弱磁场中的电子能量弛豫率的增加导致二维热电子的磁冷却所解释．     

MBE法生长的调制掺杂GaAs／Al＿xGa＿（1－x）As异质结构材料的输运特性研究

采用变磁场霍尔效应方法，在低磁场（Ｂ＜０．６Ｔ）和低温（Ｔ＝７７Ｋ）条件下，研究了ＨＥＭＴ器件用调制掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ异质结构材料的输运特性。给出了材料电学参数（ρ、ｎ和μ）与Ｂ的依赖关系，揭示了平行电导对材料质量的影响，并对上述依赖关系作了初步的定量分析。     

MOCVD－Hg_（1－x）Cd_xTe／CdTe／GaAs外延材料红外吸收光谱研究

从理论上完成对ＭＯＣＶＤ工艺生长的ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ材料的透过率、吸收边和相干行为的计算．结果表明光的干涉条纹与外延层ＨｇＣｄＴｅ和缓冲层ＣｄＴｅ的总厚度相关，其透过率不能直接反映材料的内在质量．计算结果还表明，外延材料组份的均匀性对红外光谱的吸收边有很大的影响．运用理论计算对实验中测得的光谱曲线进行了分析，发现ＭＯＣＶＤ工艺存在着一种部分过饱和态的生长机制，并发现负禁带ＨｇＴｅ薄膜也具有一定的透光特性．     

高效AlxGa_（1—x）As／GaAs太阳电池的研制及辐照效应

用液相外延（ＬＰＥ）技术制备了全面积转换效率为１８．６５％（１．０８ｃｍ２，ＡＭ０，１ｓｕｎ）及１７．３３％（２×２ｃｍ２，ＡＭ０，１ｓｕｎ）的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ（ｘ＞０．８）太阳电池，１ＭｅＶ电子辐照实验表明，浅结电池的抗辐照能力比深结的强，退火可以恢复辐照损伤．     

MOCVD生长GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱子带间红外吸收特性

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ（４０）／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ（３００）多量子阱结构观察到附内电子从基态到第一激发态跃迁引起的红外吸收．用Ｂｒｕｋｅｒ红外光谱仪测量，发现了一个峰值在９８６ｃｍ－１（１０．１μｍ）带宽为２３７ｃｍ－１（９～１１．５μｍ）的强吸收峰，该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致．     

GaAs表面及Al_xGa_（1－x）As／GaAsHBT外基区表面（NH_4）_2S／SiN_x钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构Ｃ－Ｖ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理、ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶＤ淀积及退火并与现有ＨＢＴ工艺兼容的外基区表面钝化工艺，使发射区面积为４×１０μｍ２的器件增益比钝化前提高了４倍，且６０天内不退化。     

分子束外延GaAs_（1－x）Sb_x／GaAs及界面失配研究

本文以开发长波长半导体光电子材料为目的，对ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究，利用国产ＭＢＥＩＩＩ型设备外延生长了全组分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化学热力学数据分析表明，Ｓｂ结合到ＧａＡｓｓｂ中的速率比Ａｓ高得多，实验表明，合金组分可由Ｓｂ／Ｇａ束流比控制，也发现Ｓｂ束流的支配作用随温度升高而降低．利用ＴＥＭ和ＲＢＳ技术研究了异质结界面及外延层的晶体质量，实验表明采用组分阶变的过渡层有效地抑制了界面位错向体层的延伸，可以获得较高晶体质量的外延层．     

高电子迁移率GaAs／Al_xGa_（1－x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究

本文采用三角附近似，考虑了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ（１－）ｘＡｓ二维电子气（２ＤＥＧ）异质结中七种主要的散射机制，计算了２ＤＥＧ电子迁移率与隔离层厚度（ｄ）和Ａｌ组分（ｘ）的关系，对ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）ＡＳ异质结的结构参数进行了优化分析．就作者所知，本文首次计算了２ＤＥＧ电子迁移率与Ａｌ组分ｘ的关系，得到了与实验规律一致的结果．