一种低功耗双频段低噪声放大器

基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,设计并实现了一种双频段低噪声放大器(DB-LNA)。在输入级中,采用了2个LC并联谐振网络串联结构,结合PMOS管的源极负反馈电感,实现了DB-LNA在双频段的输入阻抗匹配。在放大级中,采用CMOS互补共源放大结构和电流复用技术,在提高系统增益的同时,实现了DB-LNA的低功耗。在输出级中,采用NMOS晶体管作电流源的源跟随器,对信号电压进行缓冲,实现了输出阻抗匹配。利用ADS进行仿真验证,结果表明,该低噪声放大器在1.9 GHz和2.4 GHz 2个工作频段下,其增益(S₂₁)分别为26.69 dB和20.12 dB;输入回波损耗(S₁₁)分别为-15.45 dB和-15.38 dB;输出回波损耗(S₂₂)分别为-16.73 dB和-20.63 dB;噪声系数(NF)分别为2.02 dB和1.77 dB;在3.5 V的工作电压下,静态功耗仅有9.24 mW。     

一种2.4 GHz低功耗可变增益低噪声放大器

设计了一种工作频率为2.4 GHz的低功耗可变增益低噪声放大器。针对不同的增益模式,采用不同的设计方法来满足不同的性能要求。在高增益模式下,通过理论分析,提出了一种新的定功耗约束条件下的噪声优化方法,考虑了栅匹配电感的损耗和输入端口的各种寄生效应,给出了简明而有效的设计公式和设计过程。在低增益模式下,提出了一种改进线性度的方法。采用TSMC 0.18 μm CMOS RF工艺进行了设计。后仿真结果表明,在功耗为1.8 mW时,最高增益为35 dB,对应的噪声系数为1.96 dB；最低增益为5 dB,对应的输入3阶交调点为3.2 dBm。     

采用可调谐有源电感的多频段低噪声放大器

设计了一种采用可调谐有源电感(TAI)的多频段低噪声放大器(MBLNA).在放大级中,由电感值及Q值可多重调谐的TAI与电容值可调谐的变容二极管构成选频网络,并结合共射-共基放大电路,实现对不同频段信号进行选择放大.输入级采用带有输入串联电感与发射极电感负反馈的共射放大电路,实现了 MBLNA输入阻抗的宽带匹配.输出级...     

Ku频段GaAs—FET低噪声放大器

本文对Ku频段GaAs-FET低噪声放大器的设计调试作了介绍,并对研制的Ku频段低噪声放大器的性能、结构和使用情况作了简单说明。     

一种低功耗宽带低噪声放大器

设计了一种应用于无线传感网的低功耗宽带低噪声放大器。通过使用电容交叉耦合的共栅放大器结构来提高增益,同时实现宽带输入阻抗匹配。运用PMOS和NMOS层叠结构实现电流复用,降低了功耗。该低噪声放大器采用0.18 μm SMIC CMOS工艺设计。后仿真结果表明,该放大器在1.8 V电源供电下的功耗仅为0.712 mW,在3 dB带宽0.043~1.493 GHz范围内的峰值增益为20.44 dB,最小噪声系数为4.024 dB,输入3阶交调点为-3.73 dBm。     

一种用于超宽带接收机的低功耗高增益低噪声放大器

本文提出一种工作在3-5GHz的高增益低功耗的差分超宽带低噪声放大器.输入级采用共栅结构以获取宽带输入匹配,同时采用了电容交叉耦合和电流复用技术,从而可以在低功耗条件下获取高增益.采用0.18-um cmos工艺制作出来的样品的测试显示该低噪声放大器在4.4mA电流,1.8V电源功耗下的峰值功率增益为17.5dB,3dB带宽为2.8-5GHz,在4.5mW的功耗下的峰值增益为14dB(1.5V电源下3mA电流).该差分低噪声放大器的芯片面积包括测试pad在内为1.01平方毫米.     

一种卫星通信用低噪声放大器的研制

本文介绍了卫星通信低噪声放大器的基本原理，并结合实例对低噪声放大器的设计方法、步骤进行了探讨。     

低电压低功耗CMOS射频低噪声放大器的研究进展

由于无线移动终端重量、体积以及成本等各方面的限制，电路必须满足低电压、低功耗的要求。在CMOS射频低噪声放大器中，如何在满足性能指标要求的同时降低电源电压和功耗，已成为当前研究的热点。文章综述了几种降低CMOS低噪声放大器电源电压和功耗的方法，讨论了一些相关的设计问题。最后，展望了低电压、低功耗CMOS低噪声放大器的未来发展趋势。     

一种应用于Sub-6G的宽带低功耗低噪声放大器

提出了一种工作频率覆盖Sub-6G的宽带低噪声放大器（LNA）,该电路采用电阻自偏置AB类放大器级联共源共栅放大器的结构,在实现宽带工作的同时兼具高增益、低功耗的特点。该LNA采用TSMC 40 nm CMOS工艺,在1.3 V工作电压下,增益高于26 d B,噪声系数低于2.6 d B,三阶输入交调截点为-4.6 d Bm@6 GHz,1 d B压缩点为3.4 d Bm@6 GHz,静态功耗仅为0.94 m W,版图面积为0.014 mm2。     

4W、22dB小信号增益K波段砷化镓单片微波集成功率放大器

本文报道了一种基于AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT工艺的4W K波段单片微波集成功率放大器。该功放采用0.15 μm功率pHEMT工艺,并在片内实现了输入、输出端口的50欧姆阻抗匹配。当直流偏置电压为5.6V、直流偏置电流为2.6A时,该功放在19~22 GHz工作频段内可以输出4W的饱和功率,并达到22dB的小信号增益、13dB的输入回波损耗、25%的功率附加效率。     

A 4 W K-band GaAs MMIC power amplifier with 22 dB gain

A 4 W K-band AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) mono-lithic microwave integrated circuit (MMIC) high power amplifier (PA) is reported. This amplifier is designed to fully match for a 50 Ω input and output impedance based on the 0.15 μm power PHEMT process. Under the condition of 5.6 V and 2.6 A DC bias, the amplifier has achieved a 22 dB small-signal gain, better than a 13 dB input return loss,and 36 dBm saturation power with 25% PAE from 19 to 22 GHz.     

A highly linear CMOS low noise amplifier for K-band applications

This paper describes a highly linear low noise amplifier (LNA) for K-band applications in a 0.18 µm RF CMOS technology. The core of the circuit is a two-stage LNA consisting of a common-source and a cascode stage. By adopting an improved post-linearisation technique at the common-source transistor of the second stage, more than 5 dB improvement in IIP3 is achieved with a minor effect on noise figure and input matching. The circuit level analysis and simulation results are presented to demonstrate the effectiveness of the proposed technique.     

应用于2.4GHz无线传感网的低功耗共栅低噪声放大器设计

本文给出一种基于TSMC 0. 18μm RF CMOS工艺、应用于无线传感器网络2.4GHz的低功耗低噪声放大器设计。本设计采用两级级联的交叉耦合共栅结构,第一级共栅级采用电容交叉耦合技术以降低电路功耗的同时提高电路增益、降低电路噪声。第二级共栅级采用正反馈交叉耦合技术以提供一个负阻抵消负载电感的寄生电阻,提高电感等效Q值,进一步提高增益。为了达到足够的增益,作者设计了一款片上差分电感作为负载,对其进行了电磁场仿真,建立了双π模型并进行了流片验证。该低噪声放大器经过流片,测试结果显示：高增益工作情况下,其增益S21为16.8dB,低增益工作情况下为1dB。高增益工作情况下,其噪声系数为3.6dB;低增益工作情况下,电路的输入1dB压缩点为-8dBm,IIP3为2dBm。该低噪声放大器在1.8V电源电压下,工作电流约为1.2mA。     

A 2.4-GHz low power dual gain low noise amplifier for ZigBee

e figure (NF) is 2.3-3 dB in the whole 2.45-GHz ISM band. The measured 1-dB compression point, IIP3 and IIP2 is -9, 1 and 33 dBm, respectively. The DGLNA consumes 2 mA of current from a 1.8 V power supply.     

用于ZigBee的2.4GHz低功耗双增益低噪声放大器

This paper presents a fully differential dual gain low noise amplifier（DGLNA） for low power 2.45-GHz ZigBee/IEEE 802.15.4 applications.The effect of input parasitics on the inductively degenerated cascode LNA is analyzed.Circuit design details within the guidelines of the analysis are presented.The chip was implemented in SMIC 0.18-μm 1P6M RF/mixed signal CMOS process.The DGLNA achieves a maximum gain of 8 dB and a minimum gain of 1 dB with good input return loss.In high gain mode, the measured noise figure（NF） is 2.3-3 dB in the whole 2.45-GHz ISM band.The measured 1-dB compression point, IIP3 and IIP2 is-9, 1 and 33 dBm, respectively.The DGLNA consumes 2 mA of current from a 1.8 V power supply.     

运用级间并联电感的级联CMOS低噪声放大器的优化设计

本文介绍了一种运用级间并联电感优化CMOS低噪声放大器的设计方法。传统的级联低噪声放大器可以从两级级联放大器的角度出发,视为共源级和共栅级的级联,由于共栅极的极好的隔离性,两级放大器可以分别设计。理论分析表明：在共源极和共栅极间引入级间匹配网络,即并联一个电感加强两极间的耦合,可以有效的改善低噪放的功率增益和噪声性能。文章最后用一个工作于5GHz的低噪放的设计实例,验证了理论分析的正确性。     

低功耗宽带CMOS低噪声放大器

本文实现了一款低功耗的宽带低噪声放大器(LNA)。该低噪放由输入级、中间级和输出级组成。由于每一级都采用了电流复用技术,显著地降低了功耗。输入级通过电阻、电容负反馈和并联电感,实现了良好的输入匹配。引入电感抵消了电容产生的虚部阻抗并且抵消了电容产生的极点。与电阻负反馈放大器相比,本文提出的结构提高了增益。中间级通过并联电感引入零点,采用低Q值拓展带宽。输出级是源级跟随器,提供了良好的输出匹配。经0.18 μm TSMC CMOS工艺仿真验证,在3 V的电源电压下,功耗仅为4.89 mW。另外在1~4.5 GHz频带范围内,电压增益(S21)为14.8±0.4 dB,噪声系数(NF)介于3.1~4.2 dB之间,输入、输出反射系数(S11、S22)均小于-10 dB。在4GHz时,输入三阶交调点(IIP3)达到-11dBm。     

基于噪声抵消技术的低功耗C频段差分低噪声放大器

设计了一款"基于噪声抵消技术的低功耗C频段的差分低噪声放大器。该放大器由输入级、放大级以及输出缓冲级3个模块构成,其中输入级采用电容交叉耦合的差分对与直接交叉耦合结构差分对级联,实现输入匹配及噪声抵消;放大级采用具有电阻-电感并联反馈的电流复用结构来获得高的增益、良好的增益平坦性及低的功耗;输出缓冲级采用源跟随器结构,实现良好的输出匹配。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺库,验证表明在C频段,放大器的增益为20.4设计了一款??基于噪声抵消技术的低功耗C频段的差分低噪声放大器。该放大器由输入级、放大级以及输出缓冲级3个模块构成,其中输入级采用电容交叉耦合的差分对与直接交叉耦合结构差分对级联,实现输入匹配及噪声抵消;放大级采用具有电阻-电感并联反馈的电流复用结构来获得高的增益、良好的增益平坦性及低的功耗;输出缓冲级采用源跟随器结构,实现良好的输出匹配。基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺库,验证表明在C频段,放大器的增益为20.4??0.5 dB,噪声系数介于2.3~2.4 dB之间,输入和输出的回波损耗均优于-11 dB,稳定因子恒大于1,在6.5 GHz下,1 dB压缩点为-16.6 dBm,IIP3为-7 dBm,在2.5 V电压下,电路功耗仅为6.75 mW。     

程控增益低噪声宽带直流放大器的设计

介绍了程控增益低噪声宽带直流放大器的设计原理及流程。采用低噪声增益可程控集成运算放大器AD603和高频三极管2N2219和2N2905等器件设计了程控增益低噪声宽带直流放大器,实现了输入电压有效值小于10mV,输出信号有效值最大可达10V,通频带为0～8MHz,增益可在0～50dB之间5dB的步进进行控制,最高增益达到53dB,且宽带内增益起伏远小于1dB的两级宽带直流低噪声放大器的设计。