射频等离子体气相沉积a－C：N薄膜

用Ｃ２Ｈ２－Ｎ２射频等离子体化学气相沉积法在单晶硅、锗衬底上沉积了无定形碳化氮膜（ａ－Ｃ：Ｎ）。通过改变反应气中氮气分压，得到不同掺氮含量的ａ－Ｃ：Ｎ膜，该膜的显微硬度高达３９００ｋｇ．ｆ／ｍｍ２。电阻率和掺氮量随反应气氛中氮分压的升高而增加。ＸＰＳ分析表明，ａ－Ｃ：Ｎ膜中可能存在三种不同的Ｃ－Ｎ键合状态，键能分别位于４０１．０ｅＶ、３９９．０ｅＶ和３９８．０ｅＶ，红外吸收谱分析表明掺入的氨是以化学键的形式存在于膜中。     

注氮硅中光致发光现象及其机制的研究

通过能量为１００ｋｅＶ，剂量为１×１０１８ｃｍ－２的Ｎ＋注入到硅基体中，经１０００～１２００℃之间快速退火后，形成了含氧的硅与氮化硅镶嵌结构的薄膜层．在室温下观测到主要来自于４５ｎｍ表面层的能量分别为：３．３ｅＶ、３．０ｅＶ、２．８ｅＶ和２．２ｅＶ的光致发光．通过ＸＰＳ、ＡＥＳ的分析，确认了由于氧的插入，样品中Ｎ－Ｓｉ－Ｏ缺陷，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面发光中心，分别是引起３．０ｅＶ和２．２ｅＶ的光致发光的主要原因．     

GeSi／Si应变结构内应力纵向分布

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究分子束外延ｎ－Ｇｅ０．２Ｓｉ０．８／Ｓｉ应变超晶格，观察到两个与位错有关的深中心，其中一个能级位置在ＥＣ＝０．４２ｅＶ，另一个随着偏压变化而发生明显的移动，深能级位置从ＥＣ＝０．２１ｅＶ变化到ＥＣ＝０．２７６ｅＶ，我们认为是内应力引起的．取该深能级的流体静压力系数γ＝６．５９ｍｅＶ／Ｋｂａ，求出超晶格中的应力分布与计算值符合较好．在此基础上提出了一种通过测量深能级随应力移动效应来确定应变结构内应力纵向分布的新方法．     

CdS／CuInSe_2异质结内建电压测试理论和方法的研究

本文提出了精确测量内建电压Ｖ_Ｄ的Ｗ（结宽）－Ｎ（Ｎｅｆｆ为有效空间电荷密度）新方法．文中严格证明了由Ｗ－Ｎ曲线的斜率可计算异质结的ＶＤ．在零偏压下测量了ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ２异质结的ＶＤ，样品ＣＩＳ－１的ＶＤ为０．４３７Ｖ，样品ＣＩＳ－２的ＶＤ为０．２９３Ｖ．我们的测量结果表明，光照不改变ＶＤ，但使异质结变窄．内建电压是异质结的固有参量．利用Ｗ－Ｎ方法可以详细研究偏压对异质结电特性和其它参量的影响．     

电化学还原法制备PZT薄膜

以Ｐｂ（ＮＯ３）２、ＴｉＣｌ３为电解质，利用电化学还原方法在不锈钢基底上制备了钙钛矿型ＰＺＴ薄膜，并对薄膜样品性能进行了测试，其介电系数接近１３００，介质损耗０．６，剩余极化强度１２μＣ／ｃｍ＾２，矫顽场强６３ｋＶ／ｃｍ。     

多孔化PECVD硅薄膜的室温光致发光

本文采用阳极氧化腐蚀技术对等离子ＣＶＤ方法制备的微晶硅薄膜进行了多孔化处理．在室温下用Ｎ２激光激发，在多孔化微晶硅薄膜上观测到了强的可见荧光，其荧光谱中包含１．９４ｅＶ和２．８６ｅＶ两个峰．我们还对其激发谱进行了研究，发现除与跃迁有关的吸收峰（３．４ｅＶ）外，在２—３ｅＶ间还有新的吸收峰．此结果与Ｆ．Ｂｕｄａ等人最近对硅量子线的理论计算相符合．     

Ge_(0.4)Si_(0.6)/Si多量子阱与Ge/Si短周期超晶格样品中的深中心

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了分子束外延生长的Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱与Ｇｅ／Ｓｉ应变超晶格样品中深能级中心的性质．在两种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心．在Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱样品中深中心Ｅ２的能级位置为ＥＣ－０．３０ｅＶ,Ｅ３的能级位置为ＥＣ－０．２２ｅＶ．并且在正向注入下随着Ｅ２峰的消失观测到一个少数载流子峰ＳＨ１,其能级位置为ＥＶ＋０．６８ｅＶ．在Ｇｅ／Ｓｉ应变超晶格中,深中心Ｈ１的能级位置为ＥＶ＋０．４４ｅＶ,深中心Ｈ２的能级位置为ＥＶ＋０．２４ｅＶ     

高迁移率Si／Si_（0．7）Ge_（0．3）／Si调制掺杂异质结构的生长和输运性质

采用计算机控制的快速辐射加热、超低压ＣＶＤ（ＲＲＨ／ＶＬＰ－ＣＶＤ）方法生长了Ｓｉ／Ｓｉ０．７Ｇｅ０．３／Ｓｉｐ－型调制掺杂双异质结构．研究了该结构的输运性质，其空穴霍尔迁移率高达３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（３００Ｋ，薄层载流于浓度ｐｓ为２．６e１３ｃｍ－２）和８４００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（７７Ｋ，ｐｓ为１．１e１３ｃｍ－２）．     

HgCdTe分子束外延薄膜的研制

本文概要报导我们ＨｇＣｄＴｅＭＢＥ上作的最近进展。一批面积２．０－１６．６ｃｍ２，组份ｘ０．１８８－０．３０，载流子浓度７．８１×１０１４～１．０×１０１６ｃｍ－３，迁移率１．０×１０４～１．４５×１０５ｃｍ２ｖ－１．ｓ－１和ｘ射线双晶衍射半峰宽（ＦＷＨＭ）６４～１００ａｒｃｓｅｃ的Ｎ型原生ＨｇＣｄＴｅ外延膜已经得到，某些参数已接近或达到国外报导的典型值，并在国内首先研制了直径为５０ｍｍ的ＨｇＣｄＴｅ外延膜。为了评价材料的特性，用一块Ｘ＝０．２４３的外延膜经适当热处理后研制了光伏探测器试验阵列，其最好的一元探测率Ｄλ＊＝２．４４×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１（λｃ＝７．９μｍ）。     

金刚石-铜复合薄膜热沉基底

本文介绍用ＣＶＤ法在铜的基底上合成金刚石薄膜,并获得金刚石－铜复合材料的方法,测量了金钢石－铜复合薄膜电阻与温度的关系．得到了类金刚石薄膜的能隙宽度为０．７～２．５ｅＶ,多晶金刚石薄膜的禁带宽度为２．６～３．１ｅＶ,金刚石－铜复合薄膜的热导率约为铜的２倍     

Ge0.4Si0.6／Si多量子阱与Ｇe／Si周期超晶格样品中的深中心

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了分子束外延生长的Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱与Ｇｅ／Ｓｉ为超晶格样品中深能级中心的性质,在种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心,在Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱样品深中心Ｅ２的能级位置为ＥＣ－０．３０ｅＶ,Ｅ３的能级位置为Ｅｃ－０．２２ｅＶ,并且在正向注入下随着Ｅ２峰的消失到一个少数载流子峰ＳＨ１,其能级位置为ＥＶ＋０．６８ｅＶ,在Ｇｅ／     

N—CODEⅡ／M9638型机上变换器（机外型电视遥控器）的工作原理（艺通专栏）（二）

Ｎ－ＣＯＤＥⅡ／Ｍ９６３８型机上变换器（机外型电视遥控器）的工作原理（艺通专栏）（二）□林必强（加拿大ＥＡＳＴＯＮＫ国际集团公司中国代表处３５０００７）２．３．３电参数极限值Ｖｃｃ７Ｖ一切输入和输出脚（以Ｖｓ为基准）－０．６～Ｖｃｃ＋１．０Ｖ储存温度...     

微波等离子体化学气相沉积法制备C3N4薄膜的研究

本文采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）,高纯Ｎ２（９９．９９９％）和ＣＨ４（９９．９％）作反应气体,在多晶Ｐｔ（９９．９９％）基片上沉积Ｃ３Ｎ４薄膜。Ｘ－射线能谱（ＥＤＸ）分析结果表明Ｎ／Ｃ原子比为１．０～１．４,接近Ｃ３Ｎ４的化学比;Ｘ射线衍射谱说明薄膜主要由β和α－Ｃ３Ｎ４组成;ＦＴ－ＩＲ谱和Ｒａｍａｎ谱支持Ｃ－Ｎ键的存在。     

小型电压控制振荡器

小型电压控制振荡器ＭＯＧ系列电压控制振荡器（ＶＣＯ）是日本村田制作所推出的新产品，重０．２２ｇ，外形尺寸为６．６ｍｍ×６．３ｍｍ×２．３５ｍｍ，比市场同类产品约小３５％。工作频率范围：１．１－２．４ＧＨｚ，适用于无线局域网（ＬＡＮ）和移动通信设备。为...     

高T_cPTC陶瓷材料的配方研究

选用国产原材料，在（Ｂａ０．３Ｐｂ０．７）ＴｉＯ３＋４％ＡＳＴ＋０．０８％Ｍｎ（ＮＯ３）２材料中，添加（０．２～０．４）％（Ｎｂ２Ｏ５＋Ｙ２Ｏ３）＋０．２％ＢＮ＋（３～５）％ＣａＴｉＯ３（全为摩尔比）。采用传统陶瓷工艺，经１１５０℃适当烧结，可获得ρ２５ｃ≤１０４Ω·ｃｍ，Ｔｃ≥３８０℃，ρｍａｘ／ρｍｉｎ≥１０３，Ｖｂ≥６５０Ｖ的实用高ＴｃＰＴＣ陶瓷材料。     

SiGe外延层中硼注入和退火

对采用快速加热、超低压－化学汽相沉积（ＲＴＰ／ＶＬＰ－ＶＣＤ）技术生长的Ｓｉ０．８Ｇｅ０．２／Ｓｉ应变外延层进行硼注入，注入能量为４０ｋｅＶ，注入剂量为２．５×１０＾１４ｃｍ＾－２。然后，进行不同时间、不同温度的快热退为（ＲＴＡ）稳态炉退火。结果表明，ＲＴＡ优于稳态炉退火，其最佳条件下：退火时间为１０ｓ，退火温度范围为７５０℃－８５０℃，或者退火温度为７００℃，时间为４０ｓ，基本可消除由注入引起的     

直接光CVD类金刚石碳膜的初期成膜结构

以微波激励氙（Ｘｅ） 发射的真空紫外光（ＶＵＶ） 作光源,乙炔（Ｃ２Ｈ２） 作反应气体,采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ） 工艺,在硅（Ｓｉ） 、钼（ Ｍｏ） 及玻璃衬底上,１２０ ℃的低温下进行了类金刚石碳（ＤＬＣ） 膜的试生长。用Ｘ 射线光电子能谱（ＸＰＳ） 、扫描电子显微镜（ＳＥＭ） 等手段进行了初期成膜结构的测试分析。测试结果表明,在所有三种衬底上均能淀积生成ＤＬＣ 膜。其中Ｃ１ｓ 态原子的含量在６９ ．９８ ％ ～７４ ．６０ ％ 之间,相应的键合能为２８５ ．０ ～２８５ ．６ ｅＶ。淀积膜是以ＳＰ２ 键结构为主的ＤＬＣ膜。实验结果也表明,氧在成膜过程中是影响最大的因素。     

Zn—Se—Te三元系富Te区的液固平衡以及ZnSe0.52Te0.48薄膜在（100）In…

本文运用Ｒ．Ａ．Ｓ（Ｒｅｇｕｌａｒ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ）模型的基本原理，导出了简明的适用于Ａ＾ＩＩ－Ｂ＾Ｖｉ－Ｃ＾ＶＩ三元系富ＶＩ族区的液固平衡方程，并由此计算了Ｚｎ－Ｓｅ－Ｔｅ三元系富Ｔｅ区的液固平衡曲线，计算结果与已有的实验数据符合，最后，对ＺｎＳｅ０．５２Ｔｅ０．４８在（１００）ＩｎＰ衬底上的液相外延生长进行了实验研究。     

Fe膜流化法制备FeS2薄膜

由于ＦｅＳ２具有窄的禁带宽度（Ｅｇ＝０．９５ｅＶ）和高的吸收系数（ａ〉６×１０＾５ｃｍ＾－１），使它成为一种很有发展前途的太阳能材料。本文主要介绍了用射频溅射制备铁膜，然后在真空中（１０＾－１Ｐａ），通过控制时间和温度进行硫化。经ＸＲＤ和ＡＥＳ对薄膜进行分析，表明试样在硫化温度Ｔ＝４００℃，时间ｔ＝４８ｈ的条件下，Ｆｅ膜转变为ＦｅＳ２膜。     

横向光泵获得S_2紫外激光

用ＸｅＣｌ准分于激光器（３０８．１ｎｍ）横向泵浦Ｓ２激光器，又成功地实现了Ｓ２Ｂ－Ｘ态近ＵＶ波段的激光振荡。在波长３３０．９～３９０．０ｎｍ范围内观测到６条近ＵＶ激光输出。测量了有关的激光参数。