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采用传统陶瓷烧结工艺制备了(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xLiNbO3无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的结构、烧结特性及电性能特征.制备的(K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3陶瓷为单一的钙钦矿结构,室温下其相结构随LiNbO3含量增加逐渐由正交相向四方相转变,显微结构也由于LiNbO3含量的不同而表现出很大差异.与(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷相比,(K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3陶瓷的烧结温度降低,烧结特性得到改善.(K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3陶瓷表现出优越的压电性能,其中0.94(K0.5Na0.5)NbO3—0.06LiNbO3(x=0.06)陶瓷的压电常数d33达到205pC/N,机电耦合系数kp为40.3%,kt达到49.8%. 相似文献
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采用常压烧结方法制备了Mn掺杂的(K0.5Na0.5)0.96Sr0.02Nb1-xMnxO3无铅压电陶瓷.研究了Mn含量对该体系材料的相组成、微观结构、介电、压电和热稳定性能的影响.XRD表明随着Mn含量的增加,体系由正交相过渡到赝四方相;而且,富Na的第二相消失,得到纯净的钙钛矿相结构.在Mn含量为x=0.03和0.04时,观察到了两个温度(200和390℃)处的介电反常,这和晶格畸变引起的复晶胞结构有关.Mn含量为x=0.02时,得到综合性能优良的压电超声换能器用材料:介电常数ε^T33/ε0=479,压电常数d33=121pC/N,机电耦合系数Kp=41%,机械品质因子Qm=298,介电损耗tanδ=1.6%,居里温度Tc=391℃,谐振频率αfr和机电耦合系数Kp随温度的变化率αfr(80℃)和αKp(80℃)分别为-1.85%和1.19%. 相似文献
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流延成型制备(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5TiO3陶瓷的显微结构及性能 总被引:3,自引:0,他引:3
采用流延成型工艺制备了(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷,研究了陶瓷退火前后的显微组织结构,结果表明陶瓷主晶相为钙钛矿相结构,并伴随有形貌呈针状的第二相K2Ti6O13出现;陶瓷断面和表面的晶粒形貌有差别,采用退火处理无法消除第二相K2Ti6O13,但可有效改善陶瓷断面的晶粒形貌,同时增大材料的矫顽场,并使剩余极化强度(Pr)、压电常数(d33)、介电常数(ε)与介电损耗(tanδ)变小.(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷的电滞回线表现出明显铁电体的特征,其矫顽场为2680V/mm,Pr达36.6μC/cm^2,d33达113pC/N,‰为0.27,Qm达154. 相似文献
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以传统电子陶瓷工艺制备了(K0.5Na0.5)1-2xSrx(Nb0.94 Sb0.06)O3 无铅压电陶瓷,研究了适量锶、锑取代对陶瓷结构及电性能的影响. 结果表明,少量的锶、锑取代没有改变(K0.5Na0.5) NbO3陶瓷的相结构,仍为单相正交结构的钙钛矿型铁电体;适量的锶取代使得晶粒大小均匀一致,提高了陶瓷的致密度;锶、锑取代降低了陶瓷的居里温度,但对正交四方相变温度的影响不大,且在0~200℃的温度范围,介电常数几乎不依赖频率的变化而变化;在x=0.008处,得到较好综合性能的陶瓷材料:d33=155pC/N,kp=0.361,Qm=120,Np=2862,Pr=23μC/cm2,Ec=1.4kV/mm,ρ=4.411g/cm3. 相似文献
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(NaBi)0.5TiO3基无铅压电陶瓷研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
综述了钙钛矿结构(NaBi)0.5TiO3基无铅压电陶瓷的研究现状.评价了(NaBi)0.5TiO3基无铅压电陶瓷的三种改性方法:氧化物掺杂改性、固溶体改性和工艺改性.研究表明:几种方法复合改性效果更佳,无铅压电织构陶瓷压电性能远远优于传统工艺制备的无铅压电陶瓷. 相似文献
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为了探索无铅压电陶瓷凝胶注模技术,对0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3陶瓷的水基凝胶注模成型方法以及对材料结构和性能的影响进行了研究.研究结果表明,在陶瓷浆料悬浮液中加入0.5wt%聚甲基丙烯酸铵(PMAA-NH4)分散剂,调节pH值为9.2,可以得到高固相含量(50vol%),低粘度(<1Pa·s)的稳定陶瓷浆料悬浮液·并用浓度为10wt%的过硫酸铵溶液对生坯进行了8~10h的浸泡预处理,使后续干燥过程容易进行,易于得到无缺陷的陶瓷坯体. SEM形貌分析表明,经凝胶注模工艺制备的陶瓷,其晶粒均匀,结构致密,压电性能优良,其d33=132pC/N,εr=1319,tgδ=0.019. 相似文献
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采用传统的固相反应烧结方法制备了稀土Sm3+掺杂的(Bi0.5Na0.5)TiO3无铅压电陶瓷。系统分析了掺杂浓度、烧结温度和离子补偿对发光特性的影响。稀土Sm3+离子的加入实现了(Bi0.5Na0.5)TiO3陶瓷的红绿光发射, 其激发光波段位于400~500 nm范围内, 与已经成熟的蓝光LED芯片的发射光谱充分匹配。当烧结温度为1100℃, Sm3+离子的掺杂浓度为0.015 mol时, 陶瓷样品呈现最强的发光强度。同时, 通过Li+、Na+、K+离子进行电荷补偿, 有效提高了陶瓷样品的发光性能, 发光强度随离子半径增大而增强。可见, Sm3+掺杂的(Bi0.5Na0.5)TiO3材料在光电集成器件中具有很好的应用前景。 相似文献
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柠檬酸盐法制备(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3无铅压电陶瓷的研究 总被引:10,自引:0,他引:10
用柠檬酸盐法制备了(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷。陶瓷的体积密度比传统固相法所得陶瓷的体积密度有所增加,可达到98%理论密度。热重-差热(TG-DTA)分析显示,BNBT6陶瓷粉体的柠檬酸盐法合成温度比传统固相合成温度低300℃左右。d33测试表明,陶瓷的d33值可达110pC/N。 相似文献
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采用传统陶瓷工艺制备了Bi0.5(Na0.90-xKxLi0.10)0.5TiO3-KNbO3无铅压电陶瓷,利用XRD,SEM 等测试技术分析表征了陶瓷的结构、表面形貌、介电、压电与铁电性能.结果表明:该体系陶瓷具有单相钙钛矿结构,KNbO3的引入使体系的居里温度和铁电-反铁电相变温度降低;随着钾含量的增加,KNbO3对体系性能的影响越明显.在室温下,该体系表现出良好的压电与铁电性能:压电常数d33和机电耦合系数kp分别达到195pC/N和31.9%,陶瓷样品表现出明显的铁电体特征,剩余极化强度Pr达到34.8μC/cm2,矫顽场强Ec为3.2kV/mm. 相似文献
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(Bi0.5Na0.5)TiO3系无铅压电陶瓷研究现状与展望 总被引:2,自引:0,他引:2
BNT陶瓷由于具有良好的压电性、高居里温度和烧结过程中无毒、易控制性等优点而倍受青睐.本文介绍了无铅压电陶瓷的研究概况、相变过程及其基本性质、制备工艺,根据已有的研究经验着重对BNT陶瓷掺杂改性进行了探讨,并展望了它的发展前景. 相似文献
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Yunwen Liao ) Dingquan Xiao) ) Institute of Applied Chemistry China West Normal University Nanchong China ) 《材料科学技术学报》2009,(6)
Lead-free piezoelectric ceramics (1-y)Bi0.5(Na1-xLix)0.5TiO3-yBaTiO3 with x=0-0.125 and y=0.02-0.12 were fabricated by a solid-state reaction process, and their dielectric, piezoelectric and ferroelectric properties were investigated. The results show that the addition of Li+ significantly improves the sintering performance and piezoelectric properties of the ceramics. X-ray diffraction (XRD) patterns indicate that the ceramics possess pure perovskite structure. At room temperature, the ceramics provide hig... 相似文献