四坩埚磁偏转电子束蒸发源

在真空镀膜设备中,电子束蒸发源虽远较电阻加热式蒸发源复杂,但因其能蒸镀难熔材料,膜层纯度高,而优于电阻加热蒸发源。到七十年代中期,磁偏转电子束蒸发源蒸镀提高了淀积率,并克服了环形枪蒸镀时易发生气体放电、功率较小,以及直枪式蒸发源占用空间大,x射线二次电子损伤大的缺点,而获得广泛的应用,特别在集成电路工艺中应用,达到了很好的效果。使用多坩埚电子束蒸发源,可以在一次抽真空的过程中镀制多层膜或合金膜。     

第二十一讲真空卷绕镀膜

(接2020年第6期86页) 2.2.1 原理 电阻加热蒸发镀膜原理如图3所示.将卷筒状的待镀薄膜基材装在真空蒸镀机的放卷辊上,薄膜穿过导向辊和镀膜冷鼓卷绕在收卷辊上.抽真空,使蒸镀室中的真空度达到4×10-2Pa以上,加热蒸发舟或蒸发坩埚使高纯度的金属或化合物在气化温度下融化并蒸发.启动薄膜卷绕系统,当薄膜运行速度达...     

日本其他真空应用工业设备

我国为了要广泛了解真空技术在工业上 的应用,除对冶金、冷凉干燥、单晶制备、 真空泵等制造使用工厂外,也参观了真空蒸 馏,真空蒸镀等应用真空技术工业装置和使 用工厂。现在简略汇报如下: (一)真空蒸镀 日本制造真空蒸镀装置的工厂很多,凡 是制造真空设备工厂都生产蒸镀设备,大都 为小型种罩式,真空度为10-6～10-8,蒸发源 加热方式大都用电阻加熟,也有用感应加热, 电子束加热方式,也生产半连续式工件转动 特种型式蒸镀设备。真空蒸镀应用在光学镜 头镀膜,树脂薄膜,人造革纸金属化、玩 具、装饰品、反光镜蒸镀金属涂料薄膜,微 型电子器件制…     

石英生长坩埚镀碳工艺研究

研究了在AgGaS2晶体生长石英坩埚内壁镀碳的工艺,包含了镀碳温度、镀碳时间及冷去时间对碳膜质量的影响,从而获得了最佳镀碳工艺,即采用高纯甲烷在1040℃的高温下,热解60min,并冷却12h。采用该工艺镀碳的石英坩埚解决了AgGaS2晶体在高温下与石英坩埚的粘连问题,防止了坩埚杂质向晶体中的扩散,生长出表面光滑,完整性好,大尺寸的AgGaS2晶体。     

高耐溶剂复合分离膜

日本化学技术研究所用蒸镀聚合法成功地开发了耐溶剂性极高的复合分离膜。这项研究是作为下一代产业基础技术研究开发的“高效率高分子分离膜材料”的一个组成部分而进行的。用蒸镀聚合法制作聚酰亚胺分离膜,这在世界上还是第一次。这种膜不但能耐苯、甲苯、己烷等一般有机溶剂,而且也能耐强溶剂,可望用于有机溶剂的脱水等。作为化学气相制造法的一种,蒸镀聚合法制膜是在高真空的条件下,使单体蒸镀聚     

电子束蒸镀快速沉积铜膜研究

利用电子束蒸镀设备沉积金属薄膜是微电子领域最常见的薄膜沉积工艺之一。然而使用普通钨坩埚电子束蒸镀铜薄膜时，沉积速度非常低。这是因为熔融的铜与钨坩埚是浸润的，当提高电子枪功率时，液态铜的表面自由能随着温度的升高而降低，液态铜会沿着坩埚壁向上铺展，消耗电子束能量。为此，对钨衬埚壁进行结构优化，阻止了电子枪功率较高时液态铜的向上铺展，将铜膜的沉积速度从2?/s提高到20?/s，并对不同沉积速率制备的铜薄膜的粗糙度、均匀性、应力进行对比，验证了该方法的可行性。     

钨坩埚蒸镀金膜表面黑色颗粒的控制研究

采用钨坩埚进行电子束蒸镀金膜是微电子工艺制备电极常用工艺之一,然而在使用钨坩埚蒸发金时会有微小的黑色颗粒出现在金膜的表面,对微纳尺寸下金电极或引线的性能具有严重的影响。研究发现调整蒸镀功率和其他工艺条件,黑色颗粒数目有明显变化,随着功率的增加黑色颗粒数目先减少后增加。利用"咖啡环效应"原理,将电子束蒸发功率先升高再降低,既控制了蒸发速度,又成功减少了金膜表面的黑色颗粒,为教学实验、真空镀膜工艺和集成电路生产领域提供参考。     

功能性包装薄膜论略(二)

(上接《塑料包装》2015年第1期)二、功能性包装薄膜(一)蒸镀氧化物型阻隔性包装薄膜1、概述蒸镀氧化物型阻隔性包装薄膜中,蒸镀氧化硅型透明阻隔性包装薄膜,是开发应用比较成功的一个品种,也是二十世纪末期,复合软包装领域中,最引人注目的重大突破之一。蒸镀氧化硅型阻隔性包装薄膜,是透明蒸镀型阻隔型包装薄膜的代表性产品,被塑料软包装界认为是最有发展前途的软包装材料之一。蒸镀氧化硅型阻隔性包装薄膜和镀铝型阻隔     

钢板真空镀锌膜附着强度的研究

在普通冷轧钢板上真空镀Zn。用蒸镀法镀Zn,通过加入中间过渡层,得到了结合强度高的镀Zn钢板。用划痕法和拉倒法测定了钢板镀Zn膜的结合强度。在本试验条件下,基板温度高于180℃,可获得良好的结合强度。     

高阻隔透明陶瓷膜蒸镀技术

对高阻隔透明陶瓷膜的发展概况及应用进行了综述,介绍了陶瓷膜的真空蒸镀技术、PECVD蒸镀技术的原理、特点和应用,并对陶瓷膜蒸镀技术的发展趋势进行了展望.     

真空蒸镀钝化太安(PETN)薄膜的研究

对真空蒸镀钝化太安 (PETN)炸药薄膜进行了研究。分析了真空度、蒸镀温度、蒸发速率、基片表面状态等因素对形成薄膜的影响。得出了适宜蒸镀的真空条件、最佳蒸镀温度和蒸发速率 ;提出了增加薄膜和基片附着力的方法。     

金属蒸镀膜的附着力测定

1.前言 对于蒸镀膜在基板上的附着强度和把该膜从基板上剥离下来时的破坏过程的研究,在考虑蒸镀膜应用技术及其膜的持久性时是重要的。并且,做为蒸镀膜的物性研究也是很有兴趣的问题。 在这里通过真空蒸镀法就测定玻璃基板上蒸镀金属(银、铜、铝)的附着力、膜厚度的依存性以及基板温度的依存性的结果进行报告。 2.试验材料的制作 附着力测定时所用材料(银、铜、铝)的蒸镀是采用扩散泵排气系统进行排气的真空室。试验材料的纯度用99.999～99.99%在锦蒸发器中进行加热,其蒸发速度为2～4A/s。蒸镀过程中的真空度为4 × 10-3帕。基板采用 26 ×…     

真空蒸镀钝化太安（PETN）薄膜的研究

对真空蒸镀钝化太安(PETN)炸药薄膜进行了研究。分析了真空度、蒸镀温度、蒸发速率、基片表面状态等因素对形成薄膜的影响。得出了适宜蒸镀的真空条件、最佳蒸镀温度和蒸发速率；提出了增加薄膜和基片附着力的方法。     

Al／PET和Cu／PET蒸镀膜包装材料附着力及微观结构的研究

利用真空镀方法在聚酯(PET)薄膜上沉积Al(Cu),制得Al/PET(Cu/PET)复合薄膜包装材料。用直接牵引拉伸法和划痕法测定这两种薄膜的附着力,获得其附着力与蒸镀条件(真空度、温度、蒸发时间)的规律;用扫描电镜(SEM)观察镀层微观结构,得到镀层晶粒度与蒸镀条件的对应关系;用金相显微镜测量镀层厚度,获得镀层厚度与时间的对应关系。     

离子镀中放电等离子流的偏转方法

一、前言 在利用气体放电实际应用的离子镀设备中,把等离子源(阴极和中间电极)安装在真空容器侧面,使水平地发射等离子流在坩埚正上方偏转,自然符合重力规则。在等离子偏转的同时,必须满足下列条件: 1.等离子流应在坩埚上方聚束,大部分的放电功率应集中(这对于熔化和蒸发碎片的蒸镀金属非常必要); 2.不要放置偏转磁铁,以免扰乱离子镀范围; 3.不要降低蒸镀试件上的离子累积效率(这与等离子体的形状和磁场的强度有关)。 到目前为止,在本杂志上发表的离子镀论文[1～4]和其他论文中[5],作者还没有详细地探讨过等离子流的偏转方法。因此,虽然从原…     

钛合金表面高温真空蒸镀钛涂层的组成和结构

对钛合金表面高温真空蒸镀钛涂层进行了研究,并将钛合金表面蒸镀层及附近的组成和结构与未作蒸镀处理的钛合金的组成和结构作了对比分析,对经蒸镀处理后的钛合金试样表面元素含量的变化作出了初步的解释。     

硅蒸镀法制备低密度C/C复合材料表面SiC涂层

采用浆料法在低密度C/C复合材料表面制备了石墨涂层,然后利用硅蒸镀法使硅蒸气与石墨涂层反应生成SiC涂层.借助X射线衍射、扫描电子显微镜等研究了蒸镀温度、蒸镀时间、石墨涂层表面粗糙度、硅蒸发源及气氛条件对涂层微观结构、相组成、致密度、平整度以及涂层厚度的影响.结果表明:随着蒸镀温度的升高,涂层的表面平整度增加,当蒸镀温度为1550℃和1650℃时,涂层表面仅存在SiC;硅块为硅蒸发源,氩气为保护气氛均可提高涂层表面平整度;降低石墨涂层的表面粗糙度,涂层的致密度和连续性增大;随着蒸镀时间的增加,SiC涂层厚度和致密度逐渐增加.     

多功能的新型软包装材料——SIOx蒸镀薄膜

一、技术现状 硅蒸镀薄膜是利用一氧化硅(Siliconmonoxide)在真空中蒸镀形成的微米级薄膜。由于一氧化硅很不稳定,它很容易氧化成为二氧化硅,所以在分子式中常记为SiOx,其中x值在1-2之间。从原理上说,可用来真空镀膜的蒸发技术都可用来形成硅蒸镀膜,但不同的方法对蒸发源材料的组成有不同的要求,得到的膜组成也不同。除了利用通常的电阻加热或高频感应加热在真空室中可以蒸镀SiOx薄膜外,也可以用电子束(EB)和低温等离子体     

真空蒸镀氟化镁增透膜的厚度与均匀性控制

基于光学增透膜与真空蒸发镀膜的基本原理,从MgF2原料状态、原料蒸镀质量、蒸发源与基片间距等方面,研究了热电阻和电子束蒸镀的MgF2薄膜厚度与其均匀性的控制工艺,以制备出高效的MgF2增透膜。结果表明:对于颗粒度较小或熔点较低的原料,热电阻比电子束蒸镀更易控制,并可避免原料污染;原料实际蒸镀质量与膜厚呈较好的线性关系;实际蒸镀质量相同的多晶颗粒与粉末状原料相比,前者蒸镀膜更厚;基片置于旋转工转盘中心比其侧部区域蒸镀膜更厚、均匀性更好。最后利用旋转球面夹具的小平面源蒸发模型很好地解释了上述实验结果。     

化学蒸镀法制作透明导电膜

日本中国涂料公司,最近发表了采用有机锡化合物的化学蒸镀法(CVD法),制作透明导电膜的新技术。此法称为反跳反转化学蒸镀法,可防止过去化学蒸镀法白雾状浑浊的弊病。与物理蒸镀法制作透明导电膜相比,成本可更低,予期透明导电膜应用于工业的范围,将会有进一步扩大。一般电的良导体是不透过可见光的,然而透明导电膜是具有高导电性和透明性的特