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相似文献
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1.
本文进行了对模具表面离子镀TiN薄膜的研究,本实验采用直流二极型离子镀,实验设备是由一台真空镀膜机改装而成。离子镀是一个很复杂的过程,这是由于此过程中的参数很多,例如,基体与蒸发源间的距离、活化反应过程中的氮分压与氩分压、基偏压、蒸发电流、基体温度等。在我们的实验条件下,模具的表面得到了理想的镀层,TiN镀层呈金黄色,其平均厚度为2.5—3.0μm、显微硬度达2000—2200kg/mm~2,附着力为1.5—2.0kg/mm~2。这种经离子镀处理过的模具,其使用寿命可以延长3—4倍。  相似文献   

2.
为了研究在铝合金上硬质膜的性能,促进硬质TiN膜在铝合金构件上的应用,利用电弧离子镀在7075铝合金上沉积TiN膜层,并通过改变脉冲偏压幅值研究其对薄膜生长过程的影响.结果表明,生长的TiN膜具有柱状特征,在无偏压或低偏压时,柱状特征明显,但随着负偏压值的增大,柱状特征变得不明显,膜层中Ti和N的原子比率增加,由无偏压、低偏压时近似为1.0增加到-200V偏压时的1.2.在0~-200V偏压范围内,沉积膜的平均生长速率由1.5μm/h增加到11.3μm/h.随着负偏压的增加,TiN膜的(111)方向的择优取向越来越明显,而(200)方向强度越来越小.沉积膜呈柱状生长,具有明显的择优取向,其程度受脉冲偏压影响.  相似文献   

3.
用封闭式电子回旋共振(MCECR)等离子体溅射的方法在硅(100)基片上沉积了碳氮膜(CNx),膜层厚度约80 nm.采用Ar/N2等离子体溅射纯石墨靶,研究了基片偏压对CNx膜机械特性和微观结构的影响,详细分析了基片偏压对CNx膜性能影响的机理.实验结果表明,当基片偏压为 30 V时,CNx膜层性能良好,硬度约为31.48 Gpa,摩擦系数约为0.14,磨损率为6.75×10-15m3/m,系数x接近于4/3.  相似文献   

4.
试验证明,利用非热平衡态的直流等离子体,可使 TiN 的化学气相沉积温度山普通 CVD 的1000℃左右降到500℃左右,膜的硬度达2000kg/mm~2(维氏)以上。研究了气压、气体配比及放电参数对膜沉积速度、硬度及结构的影响。  相似文献   

5.
多层复合TiN镀层的研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
TiN镀层已获得广泛的应用.为克服单一TiN镀层的不足和进一步改善TiN镀层的性能,近年来,对TiN镀层进行了深入的研究.本文综述了多层复合TiN镀层研究的最新进展,详述了TiN/氮化、TiN/Ni-P、TiN/TaN、TiN/SiC、TiN/TiCrN/CrN/CrTiN、Ti(C,N)/TiN、TiN-MoS2/Ti、TiN-DLC多层复合镀层的工艺、结构和性能,指出了今后TiN镀层的研究方向.  相似文献   

6.
为了探索电弧离子镀技术制备银薄膜中相关的工艺参数,利用直流磁过滤电弧源在K9玻璃和硅片上制备了银膜,通过白光干涉仪和剥离实验对所制备银膜的厚度、表面粗糙度和附着力进行检测,分析靶电流、基片偏压和过渡层对银薄膜沉积速率、粗糙度及附着力等特性的影响.实验结果表明:当靶电流为90.0A时,沉积速率为1.84nm/s,在偏压为+10V时,得到膜层粗糙度为0.5355nm;利用过渡层的辅助,通过电弧离子镀有效地提高了银膜的附着力.  相似文献   

7.
脉冲多弧离子源所镀膜层均匀性的实验研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
为了解决脉冲多弧离子源镀制膜层的均匀性问题,文中首先分析了不同阴极尺寸、不同辅助阳极尺寸、不同引弧方法以及不同基片距阴极的距离引起所镀膜层透过率曲线的改变,进而讨论了脉冲多弧离子源电极几何尺寸对膜厚均匀性的影响.采用在基片下加一个圆筒形负电位电极实现了脉冲多弧离子源镀膜的均匀性.实验结果表明,在直径70mm范围内透过率相对误差为±6.7%,小于所要求的±10%.  相似文献   

8.
采用真空离子镀膜机在SiO2玻璃基片表面分别蒸镀Cu和Al薄膜,3组参数6次制备12个铝或铜薄膜试样.实验表明:相同工艺条件下,铝膜较铜膜附着力更强,膜厚更大,更易形成薄膜且结构均匀致密.经测试可知:当铝膜的轰击电压为175V,烘烤电压为160V,蒸镀时间为2h、铜膜的轰击电压为200V,烘烤电压为100V,蒸镀时间为1.8h,制得的样品纯度高,杂质含量少,微观结构与膜厚最理想,界面结构规范,平滑,吸附力强,薄膜界面微观粗糙性和形状较佳.  相似文献   

9.
粉末特性对钙锶铋钛陶瓷厚膜性能的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用粉末溶胶法在Pt/Ti/SiO2>/Si基片上制备了厚度约为1.50μm,铁电性能优良的CSBT铁电厚膜.研究了粉末的烧结温度对CSBT铁电厚膜的结构及性能的影响.结果表明:适当的粉末烧结温度有利于制备表面致密、晶粒发育良好的厚膜,从而有利于厚膜的铁电性能.750℃烧结的粉末制备的厚膜具有最佳的铁电性能.其Pr和Ec分别为13.3μC/cm2,46.2 kV/cm,具有较高的应用价值.  相似文献   

10.
采用反应磁控溅射工艺,在W18Cr4V高速钢基片上制备TiN薄膜;运用正交设计方法选取工艺参数,研究溅射电流、N_2流量、Ar流量、负偏压等工艺参数对TiN薄膜硬度的影响;并进一步研究了负偏压对薄膜硬度影响。结果表明,各参数对硬度的影响次序由大到小依次为:负偏压、N_2流量、溅射电流、Ar流量。当负偏压小于100V时,负偏压可增加离子对基片的轰击作用,提高致密度,从而提高薄膜硬度;当负偏压大于100V时,过强的离子轰击使薄膜产生更多的缺陷,使薄膜硬度降低。  相似文献   

11.
探讨了 Banach 代数中的行列式理论.给出了具有单位元的迹 Banach 代数具有行列式的充要条件.  相似文献   

12.
对近年来非织造布滤料的研究进展做了简要综述,介绍了内部结构的研究及表征、过滤性能及其影响因素、过滤过程的计算机模拟,指出进一步发展所需要解决的问题。  相似文献   

13.
<正>May 26,2014,BeijingScience is a human enterprise in the pursuit of knowledge.The scientific revolution that occurred in the 17th Century initiated the advances of modern science.The scientific knowledge system created by human beings,the tremendous productivity brought about by science,and the spirit,methodologies and norms formulated in scientific practice since the 17~(th)Century have long become essential elements of  相似文献   

14.
15.
单面约束系统的微分变分原理与运动方程   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究单面约束力学系统的微分变分原理和运动方程。方法利用D'Alembert原理建立D'Alembert-Lagrange原理.Jourdain原理和Gauss原理,结果与结论得到系统的微分变分原理和带乘子的Euler-Lagrange形式,Nielsen形式和Appell形式的运动方程。  相似文献   

16.
q 是一个正整数,所谓 q-树的图是递归定义的:最小的 q-树是完全图 Kq,一个 n+1阶的 q-树是通过在 n 阶 q-树上加上一个新点并连接这点与 n 阶 q-树中任意 q 个互相邻接的点而获得,其中 n≥q.1-树我们通常称为树.在本文中,证明了对任意正整数 q,q-树是可重构的.  相似文献   

17.
采用毛细管区带电泳模式,以β-环糊精为手性选择剂分离了药物扑尔敏的光学对映体.考察了在不同背景电解质 pH 值尤其是较低 pH 值下环糊精浓度对对映体表观淌度差的影响,并研究了有机改性剂尿素在分离中的作用.  相似文献   

18.
利用层状球形夹杂在无限大基体中的局部化关系及平均应力场理论,给出了一种方法来分析含 n 种层状球形夹杂所构成复合材料的弹性模量.对于文献给出的空心玻璃球和高分子基构成的复合材料,该理论的预测与实验吻合很好.当表层稍失时,该理论退化为传统的 Mori-Tanaka平均应力场理论.  相似文献   

19.
通过系统的实验研究和理论分析,揭示了 CVD(化学气相沉积)涂层硬质合金刀具在磨损和破损状态下的不同的失效机理,并在机理分析的基础上,阐明了涂层硬质合金刀具对于切削条件的特殊适应性.  相似文献   

20.
从并行工程的原理出发,提出了一个基于特征的并行 CAPP 系统.在特征建模的基础上,系统能够推理特征之间的关系,产生零件的特征向量图;利用加工知识库,通过动态规则匹配,系统可以确定特征的加工方法、加工参数及其加工顺序;通过优化确定最佳的工艺计划.  相似文献   

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