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FRAM是一种新型非易失性存储器,这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制,本文介绍其基本工作原理和结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。 相似文献
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引言 本世纪末,存储器市场的预测表明,存储器将占集成电路总市场份额的二分之一。 当然,这个市场的主要部分是由DRAM所占有,但与此同时,非易失性存储器(NVM)显得越来越重要,它们将占总市场的11%。在非易失性存储器市场中,闪速存储器预计占60%以上的份额。事实上,闪速存储器对整个非易失性存储器市场来讲将成为非常重要的分支。 相似文献
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面向纳电子时代的非易失性存储器 总被引:1,自引:0,他引:1
Roberto Bez 《电子设计技术》2010,17(3)
目前,业界对两大类全新的非易失性存储器进行了可行性调研,其中一类是基于无机材料的存储器技术,如铁电存储器(FeRAM)、磁阻存储器(MRAM)或相变存储器(PCM),另一类存储器技术则基于有机材料,铁电或导电开关聚 相似文献
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详细说明了ONO结构在ETOX和SONOS两种存储管中的应用,分析了EEPROM和Flash中存储阵列的结构和工作原理,介绍了ONO结构应用的新进展。文中也提及了作者在ONO结构应用方面所作过的一些工作。 相似文献
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引言 本世纪末,存储器市场的预计表明,存储器将占集成电路总数的二分之一。 当然,这个市场的主要部分是被DRAM所占有,但与此同时,非易失性存储器(NVM)显得越来越重要,这样,它们将占总市场的11%。在非易失性存储器市场中,闪速存储器预计占60%以上的份额。事实上,闪速存储器对整个非易失性存储器市场来讲将 相似文献
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在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM)。首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介绍了NVSRAM的基本工作原理和特点,针对NVSRAM在解决传统SRAM掉电数据储存问题、加快读取速度以及减少功耗等方面的优势进行阐述。对近年来基于阻变存储器的NVSRAM的研究背景和国内外研究现状进行了调研,着重比较和分析了已有结构的优缺点,重点探讨了提高恢复率、减少漏电流和降低功耗的关键优化技术。最后,展望了NVSRAM未来的应用和研究发展方向。 相似文献
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在宽带隙半导体碳桂材料上,将一个npn双极存取晶体管和一个pnp存储电容器合并成垂直集成的一晶体管存储单元,大大地降低了热产生速率,通过将高温下获得的电荷恢复数据外推,表明存储器单元的室温恢复时间可超过10^6年。 相似文献
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嵌入式非易失性存储器在SoC物理设计中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
嵌入式非易失性存储器以其同时具备数据可更改性及掉电保存性而已被越来越广泛的应用于SoC物理设计。文中结合一款电力网控制芯片R36的实际设计案例,分析了该器件的应用特点,并从用途、性能、容量选择等方面说明了通过非易失性存储器对降低芯片成本、提高速度及可靠性应用方法。 相似文献
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通过研究铁电存储器、磁性随机存储器、相变存储器和阻变存储器4种新型非易失性存储器的抗辐射能力,总结了每种非易失性存储器的总剂量效应和单粒子效应。针对总剂量效应和单粒子效应进行了对比与分析,得到了目前的新型非易失性存储器的抗辐射能力仍然取决于存储单元以外的互补金属氧化物半导体(CMOS)外围电路的抗辐射能力。该结论为抗辐射非易失性存储器的研究提供了参考。 相似文献
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带幻像时钟的非易失性存储器DS1244Y的使用方法 总被引:1,自引:0,他引:1
DS1244Y是带幻像时钟的存储器芯片,该芯片将嵌入式实时时钟和32K×8非易失性存储器功能合二为一。本文介绍DS1244Y的使用方法,给出了它和AT89C52的接口电路图及读写幻像时钟的子程序。 相似文献
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富士通公司和精工爱普生公司近日宣布,双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器(Ferroelectric Random Access Memory,FRAM)非易失性存储器技术。 相似文献
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Todd Wallinger 《集成电路应用》2008,(1):40-42
在系统级芯片(SoC)应用中,SONOS(硅/二氧化硅/氮化硅/二氧化硅/硅)为其非易失性存储器(NVM)的集成提供了解决方案。 相似文献