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本文简要介绍了ZnO薄膜的制作,ZnO/玻璃层状结构这种SAW基片材料的几个主要性能以及ZnO薄膜SAW TV IF滤波器的制作和应用。 相似文献
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ZnO薄膜是一种性能优良的多功能电子材料,用途十分广泛。本文介绍了我所研制的RF同轴磁控溅射装置及成膜技术。用此设备已制作出c轴择优取向的ZnO薄膜,并经各种检测证明膜质优良。用这种技术溅射制作的ZnO薄膜彩电中频滤波器性能良好,完全满足器件要求。本装置制作的薄膜膜厚均匀区宽、膜质好,不仅适用于ZnO薄膜的小批量生产,也可用于溅射沉积其它各种介质膜和金属膜。 相似文献
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相对介电常数大于100的BST(钛酸锶钡)薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
南京电子器件研究所采用 RF磁控溅射法成功研制出室温下相对介电常数高于 1 0 0的 BST薄膜。采用具有自主知识产权的工艺技术制作了大直径 BST溅射靶材 ,用这种靶材制作 Pt/BST/Pt薄膜电容 ,在 Si/Si O2 衬底上溅射 BST,其膜厚典型值 2 80 nm。该技术采用了在 RF磁控溅射 BST时 相似文献
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本文介绍在直径为80μm的熔石英单模光纤的一侧直接溅射沉积取向ZnO薄膜的工艺。一个由这种薄膜复合而成的4GHz压电换能器验证了薄膜的取向性。频率扫描的换能器输入阻抗矢量给出了光纤中存在声波的证据。直接制作在光纤上的声换能器由于有效的声-光互作用而在光纤中心产生场聚焦,有可能制作许多新的光纤-光学信号处理器件。 相似文献
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报道了采用CuTCNQ有机分子薄膜制作器件的尝试。在厚度为100nm的铜膜上,利用液相自蚀生长法制备得到CuTCNQ有机薄膜。不同生长温度及时间下,生长薄膜的形态结构不同,这表明时间和温度是影响CuTCNQ生长的重要因素。采用半导体器件平面制作工艺,制备出了金属—CuTCNQ—金属结构的二端器件,并进行了器件电学特性的测量,发现这种结构的CuTCNQ器件存在明显的整流特性。 相似文献
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详细介绍了二元光学元件制作的光刻技术和一些新的制作工艺,包括薄膜沉积法、激光束或电子束直接写入法和准分子激光加工法.针对用于CO2激光器模式优化的二元光学反射镜,分析了元件制作误差,包括掩模对准误差、台阶刻蚀深度误差和台阶刻蚀宽度误差对谐振腔振荡模式的影响. 相似文献
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激光物激光烧蚀法制备铁电和压电薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
本文叙述用激发物光辉烧蚀法沉积几种铁电和压电薄膜的制备法和性能,并介绍了这种些薄膜在微电子学器件和微波声学器件方面的应用。 相似文献
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液晶含量对聚合物/液晶复合膜电光特性的影响--从正型向反型显示模式的转变 总被引:3,自引:2,他引:1
预聚物与正性液晶以适量配比合成的聚合物/液晶复合膜通常呈正型显示,即膜在关态时呈散射态,在开态时呈透射态。然而实验发现,用高的液晶配比合成的膜在适度电压驱动下能呈现反型显示,即这种膜在关态时呈透射态,在适度电压作用下呈散射态。在制膜过程中,如能将液晶做沿面取向处理,则膜的反型效应更加明显。用聚合物/液晶复合膜的反型显示机理,可开发出一系列新的光学显示器件。本实验研究了这种反型模式器件的电光特性,并建立相关的结构模型解释了实验结果。 相似文献
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激励态向列微滴散射理论的修正及其参量拟合 总被引:3,自引:2,他引:3
用反常衍射(ADA)理论与实验数据优化拟合方法分析了聚合物分散液晶(PDLC)微滴在633nm激光照射下的散射特性与微滴尺寸、聚合物折射率的关系。在聚合物分散液晶中除了液晶微滴本身的散射以外,还有例如界面散射、杂质散射、材料折射率不均匀等附加散射因子,考虑这些因素以后对反常衍射散射理论进行了修正,提出用参量拟合来测量聚合物分散液晶中聚合物折射率、微滴半径以及液晶体积百分数等参量的方法。测量了微滴的直径在2μm左右聚合物分散液晶的参量。结果表明,对聚合物分散液晶聚合物折射率的误差在5%以内,而对液晶体积分数的测试误差较大,达到10%左右。 相似文献
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PDLC膜电学特性的研究 总被引:4,自引:3,他引:1
采用球形液晶微泣均匀分布在聚合物中的物理模型,导出了PDLC膜的介导常数和电场强度的表达式,得到液晶微滴内的电场为均匀电场且方向与外加电场方向一致。讨论了材料的平均介电常数和电导率、外加电场的频率以及液晶微滴的体积比对液晶微滴内电场的影响。 相似文献