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探究半导体激光照射与微波联用药物治疗护理带状疱疹后遗神经痛( post-herpetic neuralgia, PHN)的疗效。选择78例带状疱疹后遗神经痛患者,随机分为对照组和观察组,各39例。对照组采取微波联用口服维生素B1、甲钴胺及曲马多,观察组在此基础上采用半导体激光照射治疗。治疗1个疗程后据患者疼痛视觉模拟评分( VAS)对两组疗效进行比较。对照组痊愈4例,显效14例;观察组痊愈12例,显效17例。观察组疗效明显优于对照组( Z=3.391, P=0.001)。半导体激光与微波联用药物能有效护理治疗PHN。 相似文献
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目的:观察氦氖激光联合椎旁神经阻滞综合治疗急性带状疱疹的临床疗效。方法:采用随机对照试验设计方法,将2012年6月至2014年5月所收治的急性带状疱疹患者92例,采用随机数字表法分为治疗组(46例)和观察组(46例)两组。两组患者均常规抗病毒、营养神经药物治疗,治疗组加氦氖激光联合椎旁神经阻滞综合治疗;观察组仅加椎旁神经阻滞治疗。观察两组患者治疗完成后1周、1个月及3个月,两组患者的疼痛NRS评分及后遗神经痛的发生率。结果:两组患者疼痛NRS评分及后遗神经痛的发生率比较,均有显著性统计学意义(P0.05)。结论:氦氖激光联合椎旁神经阻滞综合治疗急性带状疱疹临床疗效显著。 相似文献
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目的:观察鼠神经生长因子联合椎旁神经根阻滞治疗肺癌併发带状疱疹神经痛的临床疗效。方法:将40例具有典型带状疱疹神经痛表现的肺癌患者随机分为A组(实验组)和B组(对照组)各20例。治疗组给予鼠神经生长因子肌注1支每日一次+椎旁神经根阻滞每周2次;对照组给予椎旁神经阻滞每周2次。观察治疗后1周、2周疼痛指标及1月后的随访结果。结果:比较两组患者的疼痛指标及总体疗效,A组优于B组,有显著性意义P0.05。结论:鼠神经生长因子联合椎旁神经根治疗肺癌伴带状疱疹神经痛优于单纯椎旁神经阻滞治疗。 相似文献
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目的:探讨红光照射联合护理干预及药物治疗糖尿病合并带状疱疹神经痛的疗效。方法:选取此类患者56例,随机分为观察组和对照组,各28例。对照组用更昔洛韦加泼尼松、甲钴胺片、维生素B1片进行治疗,观察组在对照组治疗的基础上加用红光照射,两组护理干预方法保持一致,2周后评价疗效。结果:对照组治愈率为32.1%,总愈显率为60.7%,观察组上述数据分别为64.3%、89.3%,观察组疗效显著优于对照组。结论:红光照射联合护理干预及药物治疗糖尿病合并带状疱疹神经痛疗效显著,值得临床推广。 相似文献
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目的:探讨超声联合神经刺激器引导下臂丛神经阻滞在上肢手术中的应用效果。方法:选择上肢手术120例,随机分为3组,每组40例。A组为传统方法定位组,B组为神经刺激器定位组,C组为超声联合神经刺激器定位组。观察三组的臂丛神经阻滞麻醉起效时间、麻醉效果、麻醉持续时间、静脉辅助用药情况、不良反应(穿刺针误入血管、局麻药毒性反应、神经损伤、气胸)。结果:C组麻醉起效时间短于A组及B组(P<0.05),C组麻醉效果优于A组及B组(P<0.05),C组麻醉持续时间长于A组(P<0.05),C组静脉辅助用药少于A组及B组(P<0.05), C组不良反应发生率小于A组及B组(P<0.05)。结论:在上肢手术中使用超声联合神经刺激器引导下臂丛神经阻滞麻醉效果好,不良反应发生率低,值得临床推广。 相似文献
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正带状疱疹后遗神经痛(post-herpetic neuralgia,PHN)是指带状疱疹皮损在2至3周后逐渐结痂,水痘-带状疱疹病毒侵犯神经及皮肤而产生的顽固性疼痛[1]。PHN是带状疱疹严重并发症之一,在老年患者及免疫功能缺陷的患者发生率较高,发病机制较复杂;迄今,仍没有找到一种长期治愈的方法,因此有效治疗方法仍然是目前研究的难点[2-3]。为了缩短患者的病程、增加治疗的有效性,我科于2013年3至12月采用消痛型穴位贴敷配合半导体激光治疗PHN48例,取得了满意疗效,现报道如下。 相似文献
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通过使用查表、概率量化和修改的重正化操作的方法,给出了一个简单的无乘法的二值分组算术编码方案。实验结果显示其平均码字长度比常用的快速编码器更接近于源编码理论的理论下限。 相似文献
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目的:探讨射频阻断鼻腔副交感神经治疗常年忭变应性鼻炎的疗效.方法:常年性变应性鼻炎(PAR)患者77例随机分为两组:观察组40例,应用鼻内镜下射频热凝鼻后下神经、筛前神经及下鼻甲治疗;对照组37例,应用鼻内类固醇激素治疗.随访6月以上,采用症状体征积分和鼻声反射检查两项指标对远期疗效进行对比.结果:观察组总有效率为90.0%(其中显效27例),明显高于对照组(62.2%,其中显效9例),P<0.01.鼻声反射检查示鼻腔最小截面积和鼻阻力较术前有改善(P<0.05).结论:鼻内镜辅助下射频热凝鼻后下神经和筛前神经治疗PAR,不仅对喷嚏、鼻痒等症状控制作用显著,对于鼻腔通气功能的改善亦较明显. 相似文献
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Jing Yu Abdulsalam Aji Suleiman Zhi Zheng Xing Zhou Tianyou Zhai 《Advanced functional materials》2020,30(24)
Layered tin disulfide (SnS2) is a vital semiconductor with versatile functionality due to its high carrier mobility and excellent photoresponsivity. However, the intrinsic defects Vs (sulfur vacancies), which cause Fermi level pinning (significant metal contact resistance), hinder its electrical and optoelectrical performance. Herein, oxygen plasma treatment is employed to enhance the optoelectronic performance of SnS2 flakes, which results in artificial sub‐bandgap in SnS2. Consequently, the broadband photosensing (300–750 nm) is remarkably improved. Specifically, under 350 nm illumination, the O2‐plasma‐treated SnS2 photodetector exhibits an enhanced photoresponsivity from 385 to 860 A W?1, the external quantum efficiency and the detectivity improve by one order of magnitude as well as increase the photoswitching response improvement by two orders of magnitude for both rising (τr) and decay (τd) time. This artificial sub‐bandgap can both improve the photoresponse and broaden the response spectra, which paves a new path for the applications of optoelectronics. 相似文献
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