基于DPV的高效率蓝光有机电致发光器件

制备了基于荧光染料2-diphenylamino-7-(2,2 diphenylvinyl)-9,9'-spriobifluoreme(DPV)的高效率蓝光有机电致发光器件(OLED).器件的结构为ITO/m-MTDATA(30 nm)/NPB(20 nm)/DPV(d nm)/BCP(10 nm)/Alq3(30 n...     

TBP掺杂比例对OLED蓝光器件的影响

制备了以AND为主体的蓝光器件,发现AND厚度对器件发光特性有一定影响.当AND/Alq3厚度比为4∶3且厚度为40 nm时,所制器件启亮电压低,发光特性好.另外,掺杂TBP后,改变了器件的能级结构,可有效输入电子而阻挡空穴输出,提高激子在AND中的复合.TBP掺杂比例存在一最佳值,实验发现,当掺杂比例为2%时,器件有最佳发光特性和色纯度.     

染料掺杂型有机电致发光器件

叙述了采用共蒸发法进行有机小分子掺杂对有机ＥＬ器件效率、寿命和发光色的影响规律。结果表明,小分子掺杂法不但可以大幅度提高有机ＥＬ寿命,还可以获得希望的发光色,同时还提出了掺杂剂的选择标准。     

表面活性剂掺杂的聚芴类蓝光器件

用PVK作空穴传输／电子阻挡层．提高了ITO／PEDOT／PVK／PDOF／Ba／Al器件的发光效率，但器件的启亮电压也增加。同PDOF单层器件相比，相同驱动电压下双层器件的电流明显减小而器件的发光效率却提高。在芴均聚物(PEOF)和芴共聚物(PF10T)中掺杂Li—NPTEOS表面活性剂可以提高器件的EL效率，有效地抑制EL光谱红移现象。掺杂浓度在10％～20％(质量分数)，PVK作为电子阻挡层的蓝光器件的EL效率可达1％。掺杂引起的PFO能级的改变降低了空穴注入的势垒高度．使电子和空穴注入趋于平衡以及在电场作用下Li-NPTEOS的偶极取向作用可能是提高量子效率、降低启亮电压和工作电压的根本原因。     

蓝光钙钛矿材料及其电致发光器件

金属卤化物钙钛矿材料具有带隙可调、半峰宽窄、载流子迁移率高和荧光量子效率高等特点,在照明和显示领域显示出良好的应用潜力.通过对钙钛矿薄膜组分和器件结构的优化,红光和绿光钙钛矿发光二极管(PeLEDs)的外量子效率均已超过了20％,蓝光钙钛矿材料存在稳定性差、深能级陷阱多和电荷注入困难等问题,限制了蓝光PeLEDs的发展...     

高效率非掺杂型白色有机电致发光器件

制备了基于rubrene超薄层和NPBX做激子阻挡层的高效率的非掺杂型白色有机电致发光器件.器件结构为:ITO/2T-NATA(20 nm)/NPBX(25-d nm)/rubrene(0.2 nm)/NPBX(d nm)/DPVBi(30 nm)/Alq(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al.器件的电致发光光谱依靠激子阻挡层NPBX厚度d的变化而变化,当NPBX厚度d为5 nm时,器件色坐标从7 V变化到16 V时均在白光的中心区域,有最大电流效率7.91 cd/A(V=7 V)和最大亮度13 540 cd/m2 (V=16 V).     

有机电致发光器件的Buffer Layer及其金属掺杂

描述了电极与有机层之间的薄层（０．１～１ｎｍ）Ｂｕｆｆｅｒ Ｌａｙｅｒ（缓冲层,特别是ＬｉＦ）对ＯＥＬ器件性能,特别是亮度效率的提高及其增强机制,评述了复合电极及金属掺杂有机物层对ＯＥＬ器件亮度和效率的增强现象。     

空穴传输层NPB中掺杂Alq3制备高性能的蓝光器件

研究了在空穴传输层NPB中掺杂Alq3制备高性能的蓝光有机电致发光器件（OLED）。采用传统的材料和结构，在空穴传输层NPB中掺杂Alq3，在掺杂浓度为3％时，OLED的色坐标为（0．17，0．19）、亮度为10770cd／m^2（在13V时）和最大效率为4．1cd／A。在同等条件下，Alq3掺杂降低了开启电压，在7V时亮度达到了118．8cd／m^2。研究分析表明，OLED性能的提高是由于NPB的HOMO能级比Alq3的HOMO能级高，掺杂剂Alq3对空穴有散射作用，阻挡了部分空穴的传输，降低了空穴的迁移率；而Alq3又是很好的电子传输材料，Alq3掺杂提高了空穴和电子在发光层中的注入平衡，有利于激子的形成，从而提高了器件的性能。     

利用辅助掺杂改善红光有机电致发光器件的性能

以Coumarin(C545)做辅助掺杂剂,制作了结构为氧化铟锡(ITO)/N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4,-4′-二胺(NPB)/8-羟基喹啉铝(Alq3):C545:4-二氰亚甲基-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久咯呢定基-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)/Alq3/LiF/Al的红光有机电致发光器件(OLED).研究了不同掺杂质量分数对器件性能的影响,结果发现,掺C545和DCJTB的器件性能与只掺DCJTB的器件相比较,其色纯度、亮度及效率均有所提高,器件性能的改善主要是由于掺入的C545提高了由基质Alq3向红光染料DCJTB进行能量传递的效率.     

多层掺杂白光有机电致发光器件的光谱稳定性

分析了分别以Al/LiF为复合阴极和以Ca:Al合金为阴极的两种掺杂型白光有机电致发光器件在不同驱动电流下的EL光谱以及色坐标的变化。器件结构分别为:Al/LiF/Alq3:C545T/Alq3:DCJTB/ADN:TBP/NPB/2T-NATA/ITO/Glass;Ca:Al/Alq3:C545T/Alq3:DCJTB/AND:TBP/NPB/2T-NATA/ITO/Glass。并利用直接载流子俘获(DCT)过程和能量传递(ET)过程对器件的发光机理进行了讨论。结果发现:两种白光器件的EL光谱波峰位置几乎是相同的,且不随电流的改变而变化;在相同驱动电流下,以Al/LiF为复合阴极的器件的绝对光谱较强;随着驱动电流的变化,对于Ca:Al合金为阴极的白光器件,其相对光谱及色坐标的变化相对较小,并且在较低的驱动电流下色坐标就能达到比较稳定的状态。说明以Ca:Al合金为阴极有利于提高OLEDs的EL光谱的稳定性。     

NPB蓝色有机电致发光器件的性能优化研究

基于结构为ITO/NPB/BCP/Alq3/Mg:Ag的NPB(N,N’-bis(1-naphthyl)-N,N’-diphenyl-1,1’-biphenyl-4,4’-diamine)蓝色有机电致发光器件,利用Alq3的空穴阻挡能力及高的荧光效率优化了器件结构。具有不同厚度Alq3空穴阻挡层的器件性能测试结果表明,Alq3对器件发光亮度影响明显,选择适当的Alq3厚度可使得器件的发光亮度提高大约两倍。电致发光光谱测试结果表明,器件的发光基本来自NPB的蓝色发光,而Alq3扮演了辅助发光层的作用。     

基于DSA-ph的高效率超薄层蓝色有机电致发光器件

讨论了基于蓝色荧光染料DSA-ph作为发光层的蓝色有机电致发光器件,器件结构为：ITO/2T-NATA/NPBX/DSA-ph（xnm）/TAZ/Bphen/LiF/Al。通过改变DSA-ph的超薄层厚度,相应器件的性能指标也有所不同。研究表明,在超薄层厚度为0.5nm,驱动电压为4V时,器件的最大发光效率为6.57cd/A;在超薄层厚度为0.3nm时,驱动电压为10V时,器件的最大亮度为5 122cd/m^2。器件的色坐标在（0.17,0.36）附近,属于蓝光发射。     

OLED显示技术近期进展及赶超机遇

新型有机发光显示技术拥有诸多优势,而成为平板显示领域的研究热点.目前,大尺寸、彩色化、白光光源和柔性显示等已成为有机发光显示器技术发展的主流方向.     

A Highly Efficient Host/Dopant Combination for Blue Organic Electrophosphorescence Devices

We have synthesized a new blue‐emitting iridium complex, FIrpytz (iridium(III) bis(4,6‐difluorophenylpyridinato)‐4‐(pyridin‐2‐yl)‐1,2,3‐triazolate), and two new bis(triphenylsilyl) derivatives, BSB (4,4'‐bis‐triphenylsilanyl‐biphenyl) and BST (4,4″‐bis(triphenylsilanyl)‐(1,1′,4′,1″)‐terphenyl) as hosts for blue phosphorescence devices. The photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL) properties of different host/dopant combinations were studied in details. These two arylsilanes showed glass transition temperatures (T_gs) ≥ 100 °C higher than those of UGH1 (diphenyl‐di(o‐tolyl)silane) and UGH2 (1,4‐bis(triphenylsilyl)benzene), the common arylsilane‐based hosts. The band gaps for BSB and BST are 4.16 and 3.78 eV, respectively, lower than that of UGH2 of 4.40 eV. The FIrpytz‐doped UGH2, BSB and BST films exhibit PL quantum yields of 0.58, 0.83 and 0.48, respectively. The EL devices using FIrpytz or FIrpic (iridium(III) bis(4,6‐difluorophenylpyridinato)‐picolinate) as the blue phosphorescence dopants and UGH2, BSB and BST as the hosts also showed that BSB‐based devices gave the best device efficiencies. Both PL and EL studies show that BSB is better than UGH2 and BST as the host material for FIrpytz and FIrpic. In particular, the use of FIrpytz as dopant, BSB as host and LiF/Al as cathode provides a remarkably efficient combination for blue electrophosphorescence device reaching a very high external quantum efficiency of 19.3% at 8.5 V and a high luminance level of 20500 cd m⁻² at 19.3 V after electroluminescence started at 5.1 V.     

采用反射式液晶显示器和有机电致发光器件前后双置组合而成的高环境对比度显示器

一种高环境对比度(A-CR)和大开口率的显示器已经从理论上证明,并通过把一个正常显黑反射型显示器(NB-RLCD)和一个有机电致发光器件(OLED)堆垛的实验加以证明。这种前后双置(以下称为tandem型)的器件组合可以分别在明亮或昏暗的环境下切换NB-RLCD模式或OLED模式。RLCD的正常显黑特性也可以提升OLED模式工作时的A-CR性能。为了在RLCD模式下获得更好的图像品质,一个复杂并且具有传输功能的结构被用于消除镜面反射和提高可视角至CR﹥2:1超过55°的锥面可视角度。另外,这样的结构也可以提高OLED49.4%的表面量子效率。在我们的实验里,忽略环境亮度因素并使A-CR保持在100:1以上。     

发光层混合掺杂的白光OLED器件

制备了白光OLED器件,器件结构为:ITO/2T-NATA(15nm)/NPB(25nm)/ADN:TBPe[(20-x)]nm、ADN:TBPe:DCJTB(xnm)/Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。研究了ADN:TBPE:DCJTB层厚度从0～8nm变化时对器件发光的影响。实验结果表明,当ADN:TBPE:DCJTB层厚度为0时,器件发蓝光;随着ADN:TBPE:DCJTB层厚度的增加,器件发光的色坐标从蓝光区进入白光区,在ADN:TBPE:DCJTB层厚度为6～8nm时得到色坐标较好的白光器件。     

基于超薄发光层的有机发光二极管器件的研究

文章采用具有电子捕捉能力的橙红色磷光材料iridium(Ⅲ)bis(2-methyldibenzo-[f,h] quinoxaline) (acetylacetonate) (Ir(MDQ)2 (acac))作为超薄发光层应用于有机发光二极管中.通过对其厚度的优化,发现当发光层厚度为0.1 nm时,器件性能最好,最大电流效率达到了28.1 cd/A,明显优于采用掺杂发光层的器件.分析了发光材料的载流子捕捉作用对器件载流子平衡及器件电流效率的影响,发现超薄发光层结构几乎不改变器件的电学特性,不会进一步破坏器件载流子平衡,正因如此,大多数磷光材料都可以采用超薄发光层获得很高的效率.     

基于ADN的非掺杂高效蓝色OLED器件

采用真空蒸镀的方法,制备了以ADN为发光层的高效率非掺杂蓝色有机电致发光器件.器件的结构为ITO/2T-NATA(15 nm)/NPBx(15 nm)/ADN(25+d nm)/BCP(8 nm)/ Alq_3(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al.通过调整ADN层的厚度,研究了器件的发光性能.测试结果表明,器件在6 V电压时电流效率达到最大,为2.77 cd/A;在16 V时亮度达到最大,为7 227 cd/m~2.当ADN的厚度为30 nm、器件的电压从5 V变化到16 V时,色坐标在(0.21,0.32)至(0.19,0.29)之间,均在蓝光区域.

Abstract：

Using ADN as the emitting layer, high efficient undoped blue organic light-emitting diodes(OLEDs) with a typical structure of (ITO)/ 2T-NATA(15 nm)/ NPBx(15 nm)/ ADN(25+d nm)/BCP(8 nm)/Alq_3 (30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al were fabricated via thermal vacuum deposition method. This device has a maximum luminous efficiency of 2.77 cd/A at 6 V and maximum luminance of 7 227 cd/m~2 at 16 V. The CIE coordinates of the device are within the blue region when the thickness of ADN is 30 nm and the voltage changes among the range of 6～16 V.     

基于DSA-ph的高效蓝色有机电致发光器件

以NPBX掺杂3%的DSA-ph作为发光层,BCP或TAZ作为空穴阻挡层,Alq3或Bphen作为电子传输层制作了一组蓝色有机电致发光器件。通过调整不同的空穴阻挡层与电子传输层之间的组合,得到了一组高效的蓝光OLED。测试结果表明,当空穴阻挡层为TAZ,电子传输层为Bphen时,器件的性能最优。当驱动电压为5V时,器件最大电流效率为4.59cd/A。在12V时亮度最大,为6 087cd/m2。