1982年国际激光会议

1982年国际激光会议于12月13~17日在美国南方海滨城市新奥尔良召开。自1978年由美国光学学会与量子电子学学会主持召开第一次会议以来，这样的会议每年召开一次,这已是第五次了。     

1982年英国国际电光会议

1982年英国国际电光会议和展览会于3月23日到25日在英国海滨城市布赖顿举行。会议主席是英国索斯安普敦大学物理系H.G.杰拉德博士。会议议程有三:电光技术——光学系统设计、激光技术、光学元件测试和调准、红外探测器阵列等;激光——遥感和激光污染监视技术、光学处理、激光无损测试、材料加工、测距、跟踪和制导等;专业课程——几何光学和成像、衍射理论、显示等。     

1982年国际固体器件会议简介

<正>1982年国际固体器件会议(ICSSD)于8月24至26日在日本东京召开.这次国际会议规模较大,学术涉及面较广.出席会议的有来自12个国家的近700名学者和专家.会议共宣读了136篇论文(其中特邀报告24篇),日本是东道国,共宣读了92篇论文.其他国家按发表论文的多     

1982年国际固体器件会议简介

<正> 1982年国际固体器件会议于8月24日至8月26日在日本东京召开,我电子工业部组成五人代表团和以王守武为首的中国科学院半导体所的三人代表团出席了会议。会议于8月24日正式开幕,上午进行四篇大会特邀报告,下午开始分三个会场进行专题报告。这次国际会议规模较大,出席会议的有来自12个国家的600多名学者和专家,会上共宣读了136篇论文。日本是东道国,宣读了92篇论文,其他是美国23篇,中国4篇(包括台湾2篇),英国4篇,法国3篇,西德3篇,苏联2篇,荷兰、委内瑞拉、南朝鲜、加拿大、     

国际会议消息

科学和技术发展国际协会(IASTED)决定明年(1990)六月18-21日,在端士卢加诺召开信号处理和数字滤波国际会议。IASTED还邀请我国中科院声学所候朝焕研究员担任国际程序委员会委员。会议内容包括了信号处理和数字滤波的所有方向,并特别侧重于各领域应用。征收论文包括正式论文、短文、综述和导论等多种形式。论文作者必须在1990年2     

国际会议消息

1973年激光工学应用会议将于1973年5月30日～6月1日在美国华盛顿召开。主办单位是IEEE量子电子学会议和美国光学协会。主要内容有:激光及有关器件工学;光通信方式、装置及元件;激光测距;大气污染观测;光偏转(包括显示技术);光信息处理、记忆及检索(包括全息照像);激光精密测量(激光陀螺仪、干涉仪等);激光束的传播及传递,光调制及光检波;非线性光学装置;激光加工(切割、熔接、微调等)新装置,激光的新应用;光集成回路。     

国际会议消息

1988年8月29日—9月3日将在罗马尼亚举行TQE’88会议,现将会议通告刊登如下:     

1982年国际电子器件会议微波管进展评述

第二十八届国际电子器件会议(IEDM)于82年12月13至15日在美国旧金山召开。会议分31个专业组,论文188篇,其中有关微波管的论文22篇,比上届会议上的数量多一倍,分布在行波管、微波管理论与工艺和回旋管与回旋行波管三个专业组内。从这部分论文的内容上可看出,国际上微波管当前的主要研究动态如下:     

1982年的日本半导体市场

日本1982年的半导体产品亦将迅速增长,因而市场销售量将随之增长。预计1982年市场销售量总数将达60多亿美元,仅次于美国而远远超过西欧。现将主要产品的销售量罗列如下:     

1982年的西欧半导体市场

1982年西欧的半导体产品销售量将逐步增长,预计增长率为1981年的12％。西德、法国、英国、意大利、斯堪的纳维亚各国、比利时、荷兰、卢森堡及瑞士等国的销售量将都有明显的增长。现列表如下:     

1982年的美国半导体市场

美国半导体工业协会在年初对美国1982年的半导体市场作了预测,预计今年半导体产品将比去年增长19.3％,销售额将达80多亿美元。集成电路将以18％的速率增长,其中线性电路的增长速率为22％,分立元件的增长率为5.8％。现将主要产品销售量列表如下:     

1973年国际半金属和窄带半导体会议

据日本《物理学会志》(1974年)报导,这次会议由法国国家科学研究中心(CNRS)和英国威尔士大学科学技术学院(UWIST)共同举办。会议一半在法国南部尼斯召开,一半在威尔士大学召开,于1973年9月10～14日举行。本文主要介绍尼斯会议。尼斯会议于1973年9月10～12日召开。主要是讨论窄带半导体问题。到会者150余     

布加勒斯特1982国际激光会议简介

应罗马尼亚中央物理研究所总所长伊瓦斯库(M. Ivascu)教授的邀请,中国科学院派出干福熹等八位同志，出席了九月八日至十一日在布加勒斯特举行的第一届量子电子学发展趋势国际会议。会前还参加了八月三十日至九月七日同地举办的第三届相干光学国际讲习班。这次会议和讲习班定名为1982年“激光和激光应用”国际会议和讲习班，缩写为LAICS′82。     

2006年国际化合物半导体制造技术会议简介

2006年国际化合物半导体制造技术会议（International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology）于4月24日至27日在加拿大美丽的海滨城市温哥华举行，来自世界各地的297名代表参加了这次年会。会议共有71篇报告，涉及到世界各地的超过50个企业、政府和高校，另外会议还收到约80篇学生论文，其中有12篇被录用，显示出化合物半导体事业正健康地发展。     

1989年会议消息

会议名称 时间(1989年)地点举办单位物理学应用中非线性导波(循轨)现象研讨会波导光学、光电子学中数字模拟与分析讨论会休斯顿休斯顿美国光学学会美国光学学会OFC,89第5届光导纤维及应用讨论会第7届国际集成光学及光纤通信会议 (IOOC产89)2月24日2月5日 2月6~9日 2月15、17日休斯顿}美国光学学会7月ECOC尹89光纤传感器会议(OFS尹89)18~27日 9月10~14日 9月18~20日华沙日本瑞典巴黎波兰华沙技术大学IOOC产89会务处Chalmers技术学院全国第四届光纤通信学术会议10月上海中国电子学会通信学会中国通信学会光通信专业 委员会1989年会议…     

1982年联合王国第七届国际电光激光会议追记

由北方工业公司、昆明物理所、西安应用光学所和成都西南技术物理所组成的五人小组,于1982年3月23日至25日在英格兰南部的布赖顿参加了联合王国第七届国际电光激光会议,会后对联合王国的一些激光和红外专业单位进行了参观访问.本文报导这次会议的激光部份情况,有关参观访问的纪实将另文介绍.     

1982年激光与电光会议

1982年4月14~16日，在美国亚利桑那州菲尼克斯市召开了1982年度激光与电光会议。约有3500名代表参加了这次会议和展览会，同时还举行了光纤通信专业会议。 在六个同时举行的会议上共收到340多篇论文。以下摘录部分报告内容。     

半导体学报第3卷1982年总目录

第1期GaAs一A10.3Gao.泣,DH激光器近场光谱的研究··················……张敬明郑宝真(1)掖相外延生长的Al二Gal一rAs/GaAs异质结构的俄歇电子能谱·····················…… ·····················,··……余金中鞠静丽石志文马国荣刘福源王维明(8)双异质结(DH)激光器一光纤高效藕合·········~····……周汝生朱柏生张伦(15)用椭圆偏振光谱法研究溅射无定形硅的光学性质···……陈树光叶贤京莫党(23)金属一n型GaAs界面物理特性研究··········…     

II-VI族半导体化合物国际会议

去年9月,在美帝布朗大学召开了II-VI族半导体化合物国际会议。会议历时三天,分十二个专题进行活动。参加者约三百人,提出论文报告九十四篇。今摘录其中与激光有关的部分。     

一九八六年光通信会议消息

1.国际海底光缆会议1986.2.18—21 法国巴黎2.美国光纤通信会1986.2.24—26 美国亚特兰大3.集成光学与导波光学会议1986.2.26—28 美国华盛顿4.第四届国际纤维光学会议1986.4.29—5.1 英国伦敦5.美国光纤地区网络会议1986.6.25—27 美国波斯顿6.第十二届欧洲光通信会议