（Sr,Pb）TiO3陶瓷的PTCR现象

通过化学共沉淀工艺制备（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３半导体陶瓷，首次获得了与ＢａＴｉＯ３陶瓷相类似的典型ＰＴＣ特性，样品耐压强度大，室温电阻率低于７０Ω·ｃｍ，升阻比超过１０＾６，烧结温度可以降低至１１００℃以下。     

施主掺杂多晶（Sr,Ba）TiO3微观结构和介电性能的研究

系统地研究了施主掺杂对多晶ＳｒＴｉＯ３（Ｓｒ，Ｂａ）ＴｉＯ３微观结构和介电性能的影响。ＳＥＭ观察表明：掺杂不同施主，对多晶ＳｒＴｉＯ３晶粒生长起着不同的作用。施主掺杂量影响多晶ＳｒＴｉＯ３，（Ｓｒ，Ｂａ）ＴｉＯ３晶粒的半导化程度及试样介电特性。     

Sr,Pb）TiO3系V型PTC材料研究

本文研究了（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３系Ｖ型ＰＴＣ材料的制备及导电机理。指出该材料的ＰＴＣ效应仍起源于受主态在晶界形成的势垒，其强烈的ＮＴＣ效应则是由于载流子的生成能和迁移激活能较大所引起。     

MgO对Ba0.6Sr0.4TiO3铁电陶瓷材料结构及低频特性的影响

研究了添加MgO的Ba0.6Sr0.4TiO3(BSTO)可调谐微波器件用铁电陶瓷材料的结构和低频下的介电性能.结果发现随着MgO添加量的增加,BSTO材料的相对介电常数大幅度下降,材料的密度和可调性也随之降低.SEM和XRD结果表明随MgO添加量的增加,材料晶粒尺寸减小,体系的晶胞参数略有下降,MgO在BSTO中以独立相的形式存在.制备出了相对介电常数较低(εr=181),介质损耗达4.7×10-3(在频率为10 kHz时),可调性为10.26%(电场为2.2 kV/mm)的适用于制作移相器的BSTO铁电陶瓷材料.     

烧结工艺对（SrPb）TiO3基陶瓷热敏特性的影响的研究

采用正交试验法,研究了烧结温度、保湿时间、升温制度及降温方式对（ＳｒＰｂ）ＴｉＯ３基陶瓷热敏特性的影响。指出,烧结温度是影响材料最低电阻率的主要因素,升温过程中的升温制度、降温方式分别对材料的正、负温度系数影响较大。     

（Pb0.3Sr0.7）1-xKxTiO3薄膜制备与介电调谐性能

采用溶胶-凝胶法在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的((Pb0.3Sr0.7)1-xKxTiO3)(x=0,1 mol%,2.5 mol%,5mol%多层均匀薄膜,井研究了它们的介电调谐性能.发现掺杂后薄膜的相结构没有发生变化,晶粒尺寸明显减小,介电常数降低及介电损耗减小.1MHz时,随K含量从0增加至5mool%,薄膜的介电常数从841降低至539,而介电损耗由0.134减小到0.0576,其微波介电综合性能改善.     

稀土氧化物在（Ba,Sr）TiO3基陶瓷材料中的应用

综述了稀土氧化物在各种作用的（Ba,Sr)TiO3基陶瓷中的掺杂改性和应用现状,详细讨论了稀土氧化物掺骠改性作用机理,分析了该领域应用研究的发展方向。为稀土氧化物掺杂改性（Ba,Sr)TiO3基陶瓷提供理论依据。     

铅系复合钙钛矿Pb（Fe1／2Ta1／2）O3铁电陶瓷的介电弛豫特性

用普通合成法制备了纯钙钛矿结构相的Ｐｂ（Ｆｅ１／２Ｔａ１／２）Ｏ３（ＰＦＴ）陶瓷，并进行了９００℃退火热处理。对其介电性质测试结果表明，未热处理与热处理过的ＰＦＴ陶瓷在０．１￣１００ＫＨｚ频率下均表现出介电弥散性转变。未热处理的ＰＦＴ陶瓷最大介电常数对应的温度（Ｔ０）不随测量频率变化；热处理过的ＰＦＴ陶瓷在此频率范围Ｔ０值表现出明显的频率依赖性（频率色散），即△Ｔ０＝５℃。由此可以认为ＰＦＴ是弛豫     

多层陶瓷电容器用(Ba,Sr,Cd)TiO3纳米粉体的制备

用溶胶-凝胶法,在乙醇溶液中以BaAc2、Sr(NO3)2、Cd(NO3)2、Ti(OC4H9)4,冰醋酸为原料制备了多层陶瓷电容器用(Ba0.7Sr0.25Cd0.05)TiO3(BSCT)纳米粉体.用热重-差示扫描量热法分析研究了由前驱体干凝胶形成纳米BSCT粉体的加热过程.用X射线衍射、比表面积测定等研究了加水量和热处理温度对BSCT纳米粉体的颗粒尺寸、物相组成和比表面积的影响.研究了凝胶温度对凝胶时间的影响.用扫描电镜和透射电镜观察了纳米BSCT粉体的形貌和颗粒尺寸.探讨了加水量、凝胶化温度和热处理温度对BSCT纳米粉体制备的影响机制.结果表明:随着加水量的增大,BSCT粉体的颗粒尺寸由大变小而后又变大,在0.015molTi(OC4H9)4中加水量为40mL时所制得的BSCT粉体的颗粒尺寸最小.随着凝胶化温度的升高,凝胶时间减少.随着热处理温度的升高,BSCT粉体的颗粒尺寸变大,比表面积减小,主晶相量增多,结晶度提高.BSCT纳米粉体制备的最佳工艺条件是:0.015molTi(OC4H9)4中加水量为40mL,pH值为3～4,凝胶化温度是65℃,热处理温度为950℃.所得到的BSCT粉体的主晶相为钙钛矿结构,其颗粒分散性好,颗粒尺寸为80nm左右,比表面积为13.64 m2/g.     

镁掺杂钛酸钡陶瓷的固相法制备及介电性能

采用固相法分别于1195,1210,1225,1240℃和1255℃下制备了不同掺镁量的Ba(1–x)MgxTiO3(x=0.03,0.06,0.09,0.12)陶瓷。借助X射线衍射和阻抗分析仪对其相结构和介电性能进行了测试。结果表明:随着Mg含量的增加,Ba(1–x)MgxTiO3陶瓷的立方相含量增加,四方相含量减小,介电常数减小,Curie温度降低,Curie峰明显展宽,出现明显的弥散现象。1225℃烧结的Ba0.97Mg0.03TiO3陶瓷的性能稳定,其介电常数和介电损耗分别为1600和0.002。     

CaZrO3掺杂对(Ba,Sr)TiO3铁电电容器陶瓷性能的影响

研究了CaZrO3掺杂量对(Ba,Sr)-TiO3(barium strontium tianate,BST)铁电电容器陶瓷介电性能的影响．得到了CaZrO3掺杂量与：BST性能的关系。用扫描电镜和X射线衍射研究了CaZrO3。掺杂量对BST陶瓷微观结构和相结构的影响,探讨了CaZrO3掺杂改性BST陶瓷的机理。结果表明：适量的CaZrO3掺杂,可得到最佳综合性能的BST。CaZrO3掺杂明显促使：BST细晶化,有较强的移峰和压峰效应,能使四方相晶轴比(c／c)降低,提高材料的介电常数并改善材料的介温特性,过量CaZrO3掺杂使衍射峰宽化,会使材料的介电常数下降。通过研究获得了高介高压高稳定的电容器陶瓷。     

钛酸锶铅基陶瓷材料的半导化研究

研究了（Ｓｒ０．４８Ｐｂ０．４８Ｙ０．０３Ｃａ０．０１）ＴｉＯ３基陶瓷的半导化行为。结果表明：ＰｂＯ适当过量有利于半导化。Ｒａｍａｎ光谱，ＡＥＳ分析表明，随着ＳｉＯ２含量的增量，氧空位浓度及Ｔｉ＾３＋浓度增大，ＸＲＤ分析表明，随ＳｉＯ２含量增大，轴比ｃ／ａ增大。     

Bi掺杂(Ba,Sr,Ca)TiO3陶瓷的结构及介电和铁电性能

采用固相反应技术制备了铋掺杂(Ba1-xCax)0.925Bi0.05TiO3(x=0.10,Bi-BCT)和(Ba1-xSrx/2Cax/2)0.925Bi0.05TiO3(Bi-BCST)(x=0.10,Bi-BSCT)铁电陶瓷,研究了样品的结构、介电和铁电性能。结果表明:在Bi-BCT陶瓷中存在一种弥散的老化效应,点缺陷引起的可逆畴翻转机制能够合理地解释Bi-BCT陶瓷中异常的双电滞回线,这种机制有望进一步解释Bi-BSCT陶瓷中异常的介电行为。     

掺杂中温烧结BaTiO_3陶瓷的壳－芯结构与组成、工艺的关系

研究了添加少量Ｎｂ，Ｂｉ，ＣＯ杂质及Ｂ，Ｚｎ玻璃相的ＢａＴｉＯ＿３系陶瓷介电性能与其组成、工艺及结构的关系。发现晶粒壳的Ｋ－Ｔ曲线为单峰，峰值在８０℃左右。陶瓷Ｋ－Ｔ曲线的双峰现象不随Ｎｂ，Ｂｉ添加量的增加而消失，但随Ｃｏ，Ｚｎ添加量增加或烧结温度的提高而向单峰过渡。研究结果表明Ｎｂ，Ｂｉ主要决定壳的成份，Ｃｏ可促进Ｎｂ，Ｂｉ离子向晶粒内部扩散，添加Ｚｎ，Ｃｏ或改变烧结工艺对壳的厚度及成份均有较大影响。     

Ba0.6Sr0.4TiO3-Mg2TiO4复合陶瓷材料的介电可调性及微波特性

采用常规的陶瓷工艺方法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3-Mg2TiO4(BST-MT)复合陶瓷材料,并对其相结构、介电以及可调性和微波特性进行了研究.X射线衍射和介电温度特性测试结果表明,BST-MT复合陶瓷具有BST和MT两相结构,非铁电相MT的增加降低了其铁电性,使其介电常数和介电损耗减小.介电偏压和微波性能测试结果表明,BST-MT复合材料仍能保持较高的可调性,且微波性能得到了明显改善.样品30%BST-70%MT(质量分数)在10 kHz下的介电常数为78,介电损耗为0.000 6,在外加3 kV/mm偏置电场作用下,可调性达到25%,在3.714 GHz频率下的介电损耗为0.0145.     

Pb(Zr0.53Ti0.47)O3陶瓷超细粉体制备及分散研究

用化学共沉淀法合成了陶瓷Pb(Zr0.53Ti0.47)O3超细粉体,以聚乙二醇(PEG)为分散剂对所得粉体进行分散。通过X衍射、扫描电镜分析,研究了合成条件和煅烧温度对PZT粉体性能的影响。结果表明,随着煅烧温度的升高,PZT超细粉晶化度提高,一次晶粒尺寸增加,而二次粒子尺寸却减小。当分散剂分子量为10000,用量为1%时,得到分散良好的超细粉体。测定了用合成的粉体烧结的PZT陶瓷的压电性能。