一种花菁染料超薄膜的激光诱导瞬态光栅

采用旋涂法制备了一种五甲川花菁染料的超薄膜,利用激光诱导瞬态光栅的方法研究染料薄膜的三阶,乃至更高阶的非线性光学特性.通过理论计算得到了该样品在不同浓度下的非线性光学信号的响应时间(59～102 ps),分析表明花菁染料五甲川链上的π-π*电子跃迁是引起该染料薄膜非线性光学效应(20.5×10-13esu～30.3×10-13esu)的主要原因.研究结果表明激光诱导瞬态光栅是研究介质高阶非线性光学特性一种非常有意义的实验方法.     

BDN染料调Q激光器速率方程的计算机解

一、引言 BDN染料的光化学稳定性好,工作寿命长,吸收谱线恰好在1.06μm,消光系数为2.5×10~4/克分子厘米,弛豫时间为10~(-9)秒,是Nd~(+3):YAG和钕玻璃激光的良好的调Q介质。我们使用H_(89)微型计算机和采用龙格—库塔法对BDN染料调Q激光器速率方程进行了计算机解,所得到的结果对于中小型固体染料调Q激光器的设计具有指导意义。     

放射线图象转换屏

日本专利:富士公司研制了二价铕激活氟卤化钡做基质的荧光材料,其化学式如下:(Ba_(1-a-(?)),M.Zn,)FX,cNaX′:xEu_2 式中:M 是碱土金属,选 Ca 和 Sr 中至少一种,X 或 X′是卤族元素 Cl,Br,I 中的一种。a=0—5×10~(-2), b=0—10~(-1),c=0—2.0,x=0—0.2。可供参考的选择为:a=5×10~(-4)—2×10~(-2),b=5×10~(-4)—10~(-2),C=10~(-5)—5×10~(-1),X 为 Br 或 I,X′为 Er。     

短腔染料激光器的光谱特性

本文用光学多道对不同腔长短腔染料激器(SCDL)激光谱进行了测量。染料为R6G,浓度为10~(-2)M/l,用TEA-N_2激光泵浦,泵浦能量是80μJ。结果表明在很宽的腔长变化范围(7.5mm～0.02     

光学材料

0207953超瑞利散射研究7-羟基喹啉的-阶超极化率[刊]/张桂兰//光电子.激光.—2001,12(12).—1292～1294(E)本文报道了利用超瑞利散射(HRS)技术研究7-羟基喹啉(7HQ)的二阶非线性光学性质。采用波长为1064nm、脉冲宽度为35ps 的激光作激发光,观测其超散射光强与入射光强的关系,得到7HQ 的一阶超极化率为32x10~(-29)esu。参5     

双光子泵浦可调频GaAs微微秒激光器

用钕玻璃染料锁模激光双光子同步泵浦GaAs晶体,与泵浦光垂直方向构成GaAs同步腔,其后反射镜在杜瓦瓶上为0.86微米宽带全反,输出片反射率为75％,输出锁模脉冲串中单个脉宽为10微微秒,我们使用4×5×10毫米的镓砷单晶作为样品,掺杂浓度为3.6×10~(17)硅原子/厘米~3,通过激光的面镀增透膜。单晶紧贴冷指,并用镍铬丝控温。我们适当加一绝缘层,使温度梯度集中在这一层,用液氮冷却时,晶体上下底之间的温差为10℃;用干冰则为150℃。当晶体温度达到热平衡,即其变化小于1℃时,用示波器8480、光栅单色仪7240及中性滤光片等进行量测。     

发射深红色激光的Ho:YLF

报导了2％Ho:YLF在室温下~5S_2→~5I_7跃迁的激光工作。用闪光灯和染料激光器泵浦的实验获得λ=750毫微米振荡。用上述泵浦测试阈值分别为4焦耳/厘米和3×10~(-4)焦耳/厘米。750毫微米的Ho:YLF是四能级激光器,其受激发射截面为σ=9.7×10~(-19)厘米~2。     

POCl_3-Z Cl_4-Nd(CF_3COO)_3和POCl_3-SnCl_4-Nd~(3 )激光液体的光谱参数

用光谱法求得POCl_3-ZrCl_4-Nd(CF_3COO)_3和POCl-SnCl_4-Nd~(3 )两种激光液体的Judd-Ofelt强度参数愿Ω_2、Ω_4、Ω_6分别为1.71、4.09、6.37和1.90、5.14、6.86(×10~(-20)厘米~2),从而计算了Nd~(3 )离子的~4F_(3/2)→~4I_J的辐射跃迁几率、荧光分支比、辐射寿命、辐射量子效率和~4F_3/2→~4I_(11/2)的诱导发射截面σ_p(分别为5.15×10~(-20)和5.69×10~(-20)厘米~2)。计算值与实验值符合较好。     

波长可调的ps超短腔染料激光器的研究

本文报道了用锁模磷酸盐玻璃激光的倍频光泵浦若丹明B超短腔染料激光器的实验装置和实验结果,用TPF和OSA的组合装置研究了磷酸盐玻璃激光器的最佳运转条件,得到了脉宽～5ps的锁模脉冲系列,以此ps光源泵浦的染料激光器获得了波长为620.1～641.6nm,脉冲宽度小于4ps的单模可调谐激光输出。     

掺半导体玻璃中的简波四波混频

本文报道了硼酸盐玻璃中掺杂半导体微晶CdS_xSe_(1-x)的简并四波混频。当实验中采用波长λ=0.532μm,脉宽t_p=8ns和t_p=6ps的脉冲进行四波混频时,测得CdS_xSe(1-x)。的三阶非线性极化率x~((3))的值分别为～10~(-9)—10~(-8)esu和10~(-11)esu,瞬态光栅的衰减寿命为30ps。实验装置的时间分辨率为6ps。     

注入式激光器泵浦YAG:Nd晶体的受激发射

本文介绍用波长0.81和0.88微米注入式半导体脉冲激光辐射激励时YAG:Nd激光器的工作特性。泵浦在激活元件端面进行。室温下尺寸为φ1×20毫米和φ2×20毫米晶体的振荡阈值分别为1×10~(-4)和3.7×10~(-4)焦耳。实验中超过阈值一倍。Nd~(3 )离子振荡引起峰值特性,峰值宽度不大于1微秒,峰值功率达100毫瓦。     

可调谐环形染料激光器的偏振法稳频器

本文介绍一种利用分析参考腔与输入激光的位相变化引起光的偏振性质变化,从而产生与激光频率变化相对应的误差信号,并制成了用此误差信号控制可调谐环形染料激光器(801A型)的偏振法稳频器。激光频率长期漂移达1小时58赫芝,短期稳定性(即有效线宽)优于2×10~(-9)。     

激光辐照固态Al膜制备p型重掺杂4H-SiC

通过激光辐照固态Al膜,制备了一种p型重掺杂4H-SiC,分析了Al膜厚度、激光脉冲个数对掺杂结果的影响,验证了不同工艺参数对p型掺杂层表面电学性能的调控作用。结果表明,当Al膜厚度为120nm,脉冲个数为50时,掺杂试样的最大载流子浓度为6.613×10~(17) cm~(-3),最小体电阻率为17.36Ω·cm,掺杂浓度(粒子数浓度)可达6.6×10~(19) cm~(-3)。4H-SiC的Al掺杂改性机理为:在紫外激光作用下,Si—C键断裂,Al原子替代Si原子形成p型掺杂层。     

双光子染料ps激光泵浦下的超辐射和腔激射

本文首次报道了ps激光脉冲泵浦下的有机染料的上转换腔激射，当用1064nm激光（40ps）激发有机染料PSPS[trans-4-（4′-pyrrolidinyl styryl)-N-methyl pyridinium methyl sulfate]时，可以得到中心波长分别为615nm和620nm的超辐射和腔激射，用再吸收现象解释了腔激射相对超辐射的红移现象，用不同条件下再吸收系数的不同解释了超辐射和腔激射相对双光子荧光的蓝移。该染料的399ps的荧光寿命有利于腔激射的产生。我们得到了远大于泵浦光脉冲宽厚的200ps激光振荡，并对此现象进行了解释。     

行波放大自发辐射产生超短光脉冲的研究

我们采用泵浦能量具有梯度分布的横向泵浦方案,以N_2激光(700ps)为泵浦源,获得约50ps的染料光脉冲输出,以锁模Nd:YAG倍频光(46ps)作泵浦源,获得8～15ps光脉冲输出。用条纹照相机和光学多道分析器测量了脉冲波形和光谱。实验研究了激发长度、染料浓度和激发能量等参数对光脉冲宽度的影响,比较了行波ASE和非行波ASE的波形和光谱。     

利用DFWM技术测量甲酚紫Xe^（3）的研究

本文对甲酚紫激光染料的非线性光学性质做了进一步的研究,利用简并四波混频技术测得甲酚紫甲醇溶液(浓度为5×10~(-4)M的三阶非线性极化率Ze~((3))=2.0×10~(-10)esu。实验结果表明,甲酚紫具有较大的三阶光学非线性。     

高钕浓度的玻璃态四磷酸盐的光谱特性

本文报道Nd~(3 )离子浓度从0.13×10~(21)(厘米~(-3)到4×1O~(21)(厘米~(-3))玻璃态四磷酸盐激光材料,并给出这类激光玻璃的一些光谱特性数据。着重讨论了这类材料中Nd~(3 )离子的浓度猝灭机理。     

科技进展

中科院西安光机所留英学者陈国夫及其研究小组,在英国苏格兰圣·安德罗斯大学物理系,经过两年的努力,所研制的脉冲碰撞、被动锁模棱镜补偿腔内群速度分散的环形染料激光器直接产生了脉宽为19飞秒(19×10~(-15)秒)的超短激光脉冲。这项     

碲镉汞离子注入结的性能

用离子注入Hg_(0.71)Cd_(0.29)Te形成的n—p结,其结构存在有离子注入损伤。在受主浓度为4×10~(16)cm~(-3)的p型衬底上,用Ar、B、Al和P离子注入,已制备出n—p结光电二极管。当注入剂量在10~(13)—5×10~(14)cm~(-2)范围内时,注入n型层的特点是薄层电子浓度为10~(14)—10~(15)cm~(-2),电子迁移率高于10~3cm~2V~(-1)s~(-1)。光电二极管截止波长为5.2μm,量子效率高于80%。77K时,动态电阻与表面积的乘积大于2000 Ω·cm~2。详细地研究了动态电阻对温度的依赖关系,结电容与反向电压的关系符合线性缓变结模型。用栅—控二极管对77K时的反向电流特性进行了研究。结果表明,对于表面电位的两极来说,反向击穿是由表面处场—感应结内的带问隧道决定的。     

10Gb/s光调制器InGaP/GaAs HBT驱动电路的研制

采用自行研发的4英寸InGaP/GaAs HBT技术,设计和制造了10Gb/s光调制器驱动电路.该驱动电路的输出电压摆幅达到3V_pp,上升时间为34.2ps(20~80%),下降时间为37.8ps(20~80%),输入端的阻抗匹配良好(S11=-12.3dB@10GHz),达到10Gb/s光通信系统(SONET OC-192,SDH STM-64)的要求.整个驱动电路采用-5.2V的单电源供电,总功耗为1.3W,芯片面积为2.01×1.38mm².