系统级封装设计套件实现系统级IC与封装的协同设计

系统级封装设计套件包括Cadence Radio Frequency SiP Methodology Kit、两款新的RFSiP产品（Cadence SiP RF架构和Cadence SiP RF版图）以及三款新的数字SiP产品（Cadence SiP数字架构，Cadence SiP数字信号完整和Cadence SiP数字版图）。     

CADENCE最新套件推动系统级封装设计主流化

法国尼斯CDNLive大会消息：Cadence设计系统有限公司宣布推出业界第一套完整的、能够推动SiP IC设计主流化的EDA产品。Cadence解决方案针对目前SiP设计中依赖‘专家工程’的方式存在的固有局限性，提供了一套自动化、整合的、可信赖并可反复采用的工艺，以满足无线和消费产品不断提升的需求。这套新产品包括Cadence Radio Frequency SiP Methodology Kit，两款新的RFSiP产品（Cadence SiP RF架构和Cadence SiP RF版图）以及三款新的数字SiP产品（Cadence SiP数字架构，Cadence SiP数字信号完整和Cadence SiP数字版图）。     

Cadence最新套件推动系统级封装设计主流化

近日．Cadence设计系统有限公司宣布推出业界第一套完整的能够推动SiPIC设计主流化的EDA产品。Cadence解决方案针对目前SiP设计中依赖“专家工程”方式存在的固有局限性．提供了一套自动化、整合的、可信赖并可反复采用的工艺以满足无线和消费产品不断提升的需求。这套新产品包括Cadence Radio Frequency SiP Methodology Kit、两款新的RF SiP产品（Cadence SiP RF架构和Cadence SiP RF版图）以及3款新的数字SiP产品（Cadence SiP数字架构、Cadence SiP数字信号完整和Cadence SiP数字版图）。     

SiP协调设计与PI解析(1)

概述了SiP协调设计和PI解析: (1)SiP与协调设计,(2)SiP的形态.     

系统级封装的片上和板级协同ESD保护方案

提出了一种面向系统级封装(SiP)的片上和板级协同设计方案,提升了电路的ESD性能。该SiP系统集成了若干驱动放大器、ADC和电阻电容。虽然集成的芯片引脚均可满足2 000 V的HBM ESD能力,但因为封装尺寸为0402的高精度薄膜电阻会受到损伤,所以SiP仅能承受600 V的ESD冲击。在SiP中增加了高速开关二极管1N4148,以泄放ESD冲击电流,使得该SiP集成电路系统的ESD能力从600 V提升至2 500 V。片上与板级协同设计方法能显著提升产品的可靠性,可广泛应用于SiP产品中。     

系统级封装(SiP)技术研究现状与发展趋势

系统级封装(System in Package,SiP)已经成为重要的先进封装和系统集成技术,是未来电子产品小型化和多功能化的重要技术路线,在微电子和电子制造领域具有广阔的应用市场和发展前景,发展也极为迅速。对目前SiP技术的研究现状和发展趋势进行了综述,重点关注了国际上半导体产业和重要的研究机构在SiP技术领域的研究和开发,对我国SiP技术的发展做了简单的回顾和展望。     

LTCC在SiP中的应用与发展

SiP是实现先进电子设备小型化、多功能化和高可靠性的有效途径。SiP的组装和封装载体是基板。LTCC通过采用更小的通孔直径、更细的线宽/线间距和更多的布线层数能实现SiP复杂系统大容量的布线。通过采用空腔结构可以优化系统元器件的组装,提高散热能力。利用埋置无源元件,可以减少SiP表贴元件的数量。利用3D-MCM和一体化封装可以进一步减少系统的面积和体积,缩短互连线。未来SiP的发展要求LTCC具有更好的散热能力、更高的基板制作精度和更多无源元件的集成。     

系统级封装技术现状与发展趋势

目前应用的系统级封装SiP还只是制造商们简单制作的芯片组合体,而今后为了真正普及SiP,还有若干个残留课题,如芯片的测试、多个芯片组合时回路的控制等.叙述SiP技术的现状和将来的展望及课题.     

基于 CPU 和 DDR 芯片的 SiP 封装可靠性研究

利用 Abaqus 有限元分析方法分析了温度循环条件下 CPU 和 DDR 双芯片 SiP 封装体的应力和应变分布。比较了相同的热载荷下模块尺寸以及粘结层和塑封体的材料属性对 SiP 封装体应力应变的影响。结果表明，底层芯片、粘结层和塑封体相接触的四个边角承受最大的应力应变。芯片越薄，SiP 封装体所承受的应力越大；粘结层越薄，SiP 封装体所承受的应力越小。塑封体的材料属性比粘结层的材料属性更显著影响 SiP 封装体应力应变，当塑封体的热膨胀系数或杨氏模量越大时，SiP 封装体所受应力也越大。     

基于SiP技术的多片DDR3高速动态存储器设计

基于系统级封装(System in Package,SiP)技术,结合自研自主可控DSP处理器“魂芯”II-A和多片DDR3颗粒,详细介绍了一款高速动态存储控制一体化SiP设备的设计方案和仿真验证分析结果。重点介绍了此款SiP的电路拓扑设计、版图设计,并从拓扑结构波形仿真、DDR3时序裕量计算、与板级实现方案对比三方面对其PCB后仿进行了分析和验证,仿真结果符合规范要求,证明了所采用的Fly-By拓扑适用于CPU与多片DDR3颗粒所组成的一体化SiP设备,且SiP设备性能优于板级实现方案。