片式厚膜高压高阻电阻器

本文综述了高压高阻电阻器国内外发展现状,以及设计制造片式厚膜高压高阻电阻器的基本工艺、难点及相关的测试技术和条件。此外,还介绍了厚膜高压高阻电阻器的应用领域。     

探析金属膜电阻器的可靠性

在现代的电子设备中,由于电阻器的使用量非常大,所以,电子设备出现故障的原因有大约百分之十五是由电阻器失效而引起的,其比例非常的高。因此,电阻器的可靠性就变得尤为重要,本文将对影响金属膜电阻器可靠性的几项重要因素,如可靠性的设计方面、选材方面、制造工艺方面、可靠性保障体系控制方面等进行分析,提出如何提高金属膜电阻器可靠性的方法。     

电阻器的可靠性应用选择

文章从电阻器的选择和使用等诸多方面,讨论电阻器在电路设计应用中的可靠性,以及合理选择原则。     

熔断电阻器化学沉积膜工艺的研究

从熔断电阻器化学沉积膜的工艺原理、工艺过程到五种不同成膜液的配方，分析了不同的配方所形成的化学沉积膜的性质差异，指出影响熔断电阻器化学沉积膜工艺的主要因素有镀液的配方、PH值、温度及镀膜工艺等，从而为我们进一步研究熔断电阻器的化学沉积工艺，提高熔断电阻器的质量有一定的指导意义。     

金属膜电阻器可靠性技术探讨

本文从可靠性设计、可靠性保证体系、原材料的选择、制造过程的控制、可靠性试验、应用等方面做了较详细阐述,探讨了如何提高金属膜电阻器可靠性方法,其目的在于提高金属电阻器的可靠性。     

推荐合作项目(包括但不限于)

正精密薄膜片式电阻器项目项目内容:新建军民两用产品精密薄膜片式电阻器生产厂房1栋,占地面积1024m~2,5层框架结构,总建筑面积5120m~2,按工艺流程合理规划使用;购置匀胶机、在线式多靶溅射系统、双面光刻机、激光调阻机、丝网印刷机等自动化设备共103台(套),最终建成年产1亿只精密薄膜片式固定电阻器     

RY-2W-15kΩ电阻器失效机理电子显微分析

利用电子显微分析法对失效电阻作了电子显微分析,查明了劣质的电阻器绝缘涂复层的防潮性能和防腐性能差。由于电阻器吸入了水汽和腐蚀性气体,引起电阻器的导电膜被电解腐蚀,最终导致电阻器失效。     

新型精密薄膜片式电阻器

介绍薄膜片式电阻器的特点、结构、工艺流程及试验程序,并给出其特征描述曲线,指出薄膜片式电阻器的应用与前景.     

薄膜电阻器常见失效模式的分析和改进途径

本文简单介绍了薄膜电阻器的制造过程,薄膜电阻器常见的失效模式和失效机理,并结合实践,简要介绍了电阻器失效分析和改进的途径及失效分析技术的延伸。     

氧化锌压敏电阻器的导电机理及实验

叙述了ZnO压敏电阻器的结构和性能,分析了它的导电机理。并依据此理论进行了工艺实验,研制出了彩电用压敏电阻器。其压敏电压、漏电流和非线性系数等重要参数都达到了彩电元件国产化标准的要求,经用户上机实验,证明设计合理,性能良好。     

电压-温度变换特性的线性化的数值计算

讨论一种数值计算方法．通过该方法的计算来设置以热敏电阻为主要传感元件的TS-B3型温度传感器的综合技术参数，使得电压-温度变化特性线性化．基于这种设计方法，该温度传感器电压-温度变化线性特性稳定，达到准确测量和控制的要求．     

MOS电阻阵的非均匀性测量及补偿方法研究

红外MOS电阻阵列是现代红外成像仿真系统中的关键元件。由于MOS电阻阵具有较强的热非均匀性,因此在进行红外仿真时必须对其进行实时补偿。文中对基于MOS电阻阵的关键技术——MOS电阻阵帧元非均匀性补偿技术进行深入探讨和研究,并提出了相应的解决方案:通过离线测试,实测得到每一帧元的电压温度特性曲线,建立电压温度补偿数据表格,使得驱动MOS热电阻面阵的灰度数据与表格数据相匹配,从而实现对MOS电阻阵的修正。实验证明,文中提出的方法能够很好地解决对MOS电阻阵非均匀特性进行补偿的问题,并已在基于MOS电阻阵的红外场景生成器中应用,取得了满意的效果。     

基于同步补偿法的精密温度测控系统设计

设计了一种高精度温度测控系统。在恒流源测温电路中接入基准电阻作为系统测温的零度基准,放大电路对基准电阻与铂电阻两端的电压差进行放大;采用同步补偿法,在测温电路中接入采样电阻以获取A/D转换所需的参考电压,消除了恒流源电流的波动对系统测温性能的影响;通过分段线性化的方法对铂电阻测温的非线性进行补偿。基于MAX1968构建了高集成度的TEC驱动电路,采用增量式PID控制算法实现高精度的温度控制。实验结果表明,系统测温标准差为0.024℃,控温精度为±0.119℃。     

非线性电路的插值迭代计算法

本文提出一种新的迭代计算法──拉格朗日插值迭代计算法。借助于拉格朗日插值公式，先假设一个电流Ｉ０，可算得与假设电流Ｉ０相对应的非线性电阻上的电压Ｕ０，根据欧姆定津算得非线性电阻阻值，再结合节点电压方程，算得节点电压ＵＮ，然后再运用电路中的ＶＣＲ确定电流Ｉ１的数值，并与假设电流Ｉ０进行比较直至其误差在规定范围之内。此方法尤其适用于含有多个非线性电阻元件和受控源电路的分析和设计。计算方法简单，迭代次数少，精度较高。     

检测电阻电流型电子式电压互感器

针对目前各种电压互感器存在的技术问题,提出通过检测耦合电阻电流实现的电子式电压互感器（ETV）的新原理和新方法.详细分析新型EVT的传感原理,建立了电压互感器一次侧等值电路,给出误差计算公式;并对影响测量精度的高压电阻特性和杂散电容因素进行理论性分析,提出相应的改进方案。研制了10 kV电子式电压互感器样机,准确度测试结果表明：该互感器准确度满足IEC 60044-7标准要求,准确度达0.2级.     

一种用于低频微弱信号采集的通用放大器设计

采用CSMC 0.5μm 2P3M工艺设计用于低频微弱信号采集的通用前置放大器. 放大器采用全差分的交流耦合-电容反馈结构, 提高输入阻抗. 采用PMOS伪电阻技术, 高通截止点可随栅极偏压调节, 适用于采集不同频率范围的低频信号. 测试放大器增益为45.2dB, 高通截止点在1Hz～10kHz范围内调节, 放大器的低通截止点为7kHz. 100~7000 Hz范围内放大器的等效输入噪声电压为17.8μV.     

DDDMOS特性研究与建模

从TCAD实验出发，研究Double Diffused Drain MOSFET（简称DDDMOS）漂移区电阻与终端电压的非线性关系以及大电流效应等；以单位面积下漂移区自由载流子浓度为基础，得出漂移区电阻的解析模型。DDDMOS可以简化成低压MOSFET与漂移区电阻的串联网络，结合低压MOSFET模型和漂移区电阻模型，求解等效网络得出DDDMOS完整的模型。该模型在不同的电压区域都能够较好地反应TCAD模拟结果。     

斜率可调微分负阻双口的设计

本文提出了一种用两个场效应管实现的压控线性电阻电路。借助于该电路,在微分负阻单口电路的基础上实现了斜率可调压控微分负阻双口。理论分析与实验结果具有良好的吻合。     

基于电阻分压器的10kV电子式电压互感器的研制

基于电阻分压器的电子式电压互感器(EVT)的原理、结构和输出信号等与传统的电压互感器有很大的不同,其性能主要受电阻特性和杂散电容的影响。本文利用ansoft软件包建立了分压器的有限元二维模型并对电场进行了分析,根据电场分布确定了电子式互感器的屏蔽罩及均压环的设计。在静电场分析基础上,研制了一台电阻分压式的10kV电子式电压互感器,并对准确度进行了测试。测试结果表明,本文设计的10kV电子式电压互感器满足GB/T 20840.7-2007标准要求,准确度达0.2级。     

High voltage detection circuit for power over the ethernet

A novel high voltage detection circuit with a high accuracy and low temperature coefficient for Power over the Ethernet (PoE) application is presented. The proposed detection circuit uses a bandgap comparator to detect the input voltage without an extra comparator and a voltage reference circuit, which reduces the chip area and detection time. In order to overcome the effect of the Ethernet resistor and avoid the circulating change of the detection circuit between the detection state and classification state, the proposed circuit uses a feedback circuit to realize the hysteresis function. The proposed detection circuit is implemented in 0.5μm65 V BCD process which occupies an active area of 590μm×310 μm. The measured results show that the temperature coefficient of the threshold voltage is 26.5×10^-6／℃ over the temperature range of -40℃ to 125℃. According to the measured results of 20 chips, the average value of the threshold voltage is 11.9V±0.25V, with a standard deviation of 0.138V.