金属有机物分解法制备的La—Sr—Mn—O薄膜的磁输运特性

利用金属有机物分解法在非晶石英衬义牙成功地制备了具有（202）择优取向的多晶La1-x-SrxMnOx薄膜。原子力显微镜观察显示薄膜具有疏松的结构缺陷。在室温下,观察到薄膜磁电阻随外加磁场变化具有优良的线性特征,10kOe磁场下,磁电阻值达到5％。在77K低温下,薄膜具有显著的低场磁电阻效应,2kOe磁场下的磁电阻值达到11％。薄膜的电阻－温度关系具有平缓的金属－绝缘体转变,转变温度远低于其居里温度;在8kOe磁场下,薄膜的磁电阻随温度下降而单调上升。上述薄膜的磁输运特性与其结构缺陷（包括晶界及疏松）有关。     

金属有机物分解法制备的La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_z薄膜的磁输运特性

利用金属有机物分解法在石英衬底上制备了多晶Ｌａ０．６７Ｃａ０．３３ＭｎＯｘ薄膜。研究了薄膜输运特性及其与温度的关系,发现薄膜的金属一半导体转变温度Ｔｐ（约１７２Ｋ）远低于其居里温度（约２４７Ｋ）;在平行于膜面的ＩＴ磁场下,７７Ｋ～３０２Ｋ温度范围内,没有磁电阻（ＭＲ）峰,而是在Ｔｐ温度以下,有一定的平台,平台处ＭＲ值约为２１％～２４％,在Ｔｐ温度以上,ＭＲ随温度上升而迅速降低;在７７Ｋ温度下,薄膜具有显著的低场磁电阻效应。上述磁输运特性与载流子在晶界附近的输运行为如强的自旋相关散射和晶粒间自旋极化隧道效应等有关。在７７Ｋ温度下,还观察到了退磁效应引起的磁电阻垂直各向导性。     

金属有机物分解法制备的La0.67Ca0.33MnOz薄膜的磁输运特性

利用金属有机物分解法在石英衬底上制备了多晶La0.67Ca0.33MnOx薄膜。研究了薄膜输运特性及其与温度的关系,发现薄膜的金属－半导体转变温度Tp(约172K）远低于其居里温度（约247K）;在平行于膜面的1T磁场下,77K－302K温度范围内,没有磁电阻（MR）峰,而是在Tp温度以下,有一宽的平台,平台处MR值约为21％－24％,在Tp温度以上,MR随温度上升而迅速降低;在77K温度上,薄膜具有显著的低场磁电阻效应。上述磁输运特性与载流子在晶界附近的输运行为如强的自旋相关散射和晶粒间自旋极化隧道效应等有关。在77K温度下,还观察到退磁效应引起的磁电阻垂直各向异性。     

金属有机物分解法制备SrBi2Ta2O9铁电薄膜的开关特性

用金属有机物分解（MOD）以及sol-gel方法制备了SiBi2Ta2O9（STB）铁电薄膜。经测量在750℃晶化的SBT薄膜具有很好的铁电性能。通过对SBT样品极化反转过程进行测试,得出了外加电压（0．5－5V）与SBT薄膜的开关时间（100－600ms）及极化反转电荷的关系。并研究了不同气氛不退火对SBT铁电薄膜形状特性的影响。     

NiFe和NiFe/Cr/NiFe薄膜的磁电阻特性与膜厚关系

本文研究了采用离子束溅射技术制备的 NiFe 薄膜及层状结构 NiFe/Cr/NiFe 薄膜的磁电阻特性与膜厚的关系。用四探针法测量薄膜的磁电阻。由实验结果得到磁电阻特性与膜厚及 Cr 夹层厚度的关系。分析了 NiFe/Cr/NiFe 膜中两层 NiFe 膜之间存在反铁磁交换耦合时,磁电阻效应显著增强的现象,NiFe/Cr/NiFe 膜各向异性磁电阻系数△ρ/ρ_(av)达5.1%。     

水基金属有机物分解法制备Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜的研究

制备了水基Ｂａ＾２＋、Ｓｒ＾２＋、Ｔｉ＾４＋三元有机物溶液。根据红外光 谱测定及对比实验分析了溶液配制过程中化学反应机理。采用金属有机物分解法（ＭＯＤ）制备Ｂａ０．５Ｓｒ０．５ＴｉＯ３（ＢＳＴ）薄膜。通过ＸＲＤ、ＳＥ趱 阻抗分析仪等分析测试手段,薄膜的相结构、微观形态及电性能。结果表明,所制备ＢＳＴ薄 数矿晶相结构,结晶完整晶粒小（１０－５０ｎｍ）,显微结构均匀致密,并具有良好的电性能（电容密度为     

氧化物La—Ca—Mn—O巨磁电阻薄膜的制备有其结构特性的研究

采用磁控溅射方法在ＺｒＯ２（００１），Ｓｉ（００１）和玻璃衬底上成功地制备了Ｌａ－Ｃａ－Ｍｎ－Ｏ巨磁电阻薄膜。Ｘ－射线分析表明，ＺｒＯ２的晶格常数与ＬＣＭＯ的晶格常数失配虽然较大，仍可得到较好的ＬＣＭＯ薄。膜。在Ｓｉ片上难以制备出致密完整的ＬＣＭＯ薄膜，其原因有待查明。     

二氧化锡薄膜的MOD法制备和表征

采用新颖的金属有机物热分解方法（MOD）制备了二氧化锡薄膜,红外分析和热分析表明,先体制备过程中生成了锡的有机物,这对制备质量良好的光学薄膜起了决定作用。对薄膜的红外光谱和紫外－可见光谱的分表明,薄的热处理过程中经历了溶剂挥发、有机物燃烧和析晶等过程,随热处理温度的升高,薄膜的孔率显著减小,薄的结构致密,这是由制备过程的特点决定的。     

金属诱导晶化法制备多晶硅薄膜研究进展

本文介绍了金属诱导晶化非晶态硅制备多晶硅薄膜的新方法，综述了制备金属/非晶态硅复合薄膜的各种方法与晶化结果，着重介绍了金属低温诱导的机理及其在器件应用方面的可行性。     

分形基片上无序金属薄膜的阻—温特性

研究了沉积在具有无规分形结构的α－Ａｌ２Ｏ３陶瓷基底上的两侧非平整无序Ｐｔ和Ａｕ薄膜的异常Ｒ－Ｔ特性，在１２－２００Ｋ的温区内，当薄膜的方块电阻减小至１０＾２－１０＾３Ω量级时，基底上的分形结构开始对样品的Ｒ－Ｔ特性产物明显的影响，电阻温度系数中负急剧转化，分析认为，在低温区的此种异常现象是由薄膜中的电子相互作用和电子的弱局域效应经起的。     

溶胶-凝胶法制备三元金属氮化物薄膜及其最新研究进展

三元金属氮化物薄膜是一类在电子、铁磁等领域具有广阔应用前景的新材料,主要有立方金属(反)钙钛矿和立方η碳化物(η-carbide)两种结构类型,由于其卓越的性能如高硬度、超导性、催化性以及各种不同的磁学性能而引起人们广泛的研究。本文主要介绍了三元氮化物结构特性以及溶胶-凝胶法(Sol-gel)在这些氮化物制备方面的应用,阐述并分析了溶胶-凝胶法的优缺点;简述了溶胶-凝胶法制备其他三元金属氮化物薄膜(如铁磁薄膜)的应用;最后指出了溶胶-凝胶法目前存在的一些问题。     

氧化物La-Ca-Mn-O巨磁电阻薄膜的制备及其结构特性的研究

采用磁控溅射方法在ＺｒＯ２（００１）、Ｓｉ（００１）和玻璃衬底上成功地制备了ＬａＣａＭｎＯ（以下简称为ＬＣＭＯ）巨磁电阻薄膜。Ｘ－射线分析表明，ＺｒＯ２的晶格常数与ＬＣＭＯ的晶格常数失配虽然较大，仍可得到较好的ＬＣＭＯ薄膜。在Ｓｉ片上难以制备出致密完整的ＬＣＭＯ薄膜，其原因有待查明。玻璃衬底上可以获得纯相的ＬＣＭＯ巨磁电阻薄膜，在ＺｒＯ２衬底上制备的ＬＣＭＯ薄膜，其巨磁电阻效应在１５０Ｋ，３０００Ｇａｕｓ下达１３％左右。     

金属薄膜的散射光特性研究

较详细地介绍了金属薄膜对特殊条件下入射光的散射特性，一方面给出了产生这种现象的理论依据，另一方面给出了具有这种现象的几种金属膜的实验结果，并说明了这种现象的应用前景。     

Sol-gel法制备(BiAl)DyIG石榴石磁光记录薄膜

采用柠檬酸络合物型溶胶 凝胶法首次制备得到了具有垂直各向异性的(BiAl)DyIG石榴石磁光记录薄膜,并对材料结构和磁光性质进行了研究,结果得到石榴石磁光记录薄膜磁滞回线具有较好的矩形比,在430nm和520nm的品质因子为2°和1.5°,最佳晶化温度为675℃。     

金属诱导晶化法制备多晶硅薄膜研究进展

本文介绍了金属诱导晶化非晶态硅制备多晶硅薄膜的新方法 ,综述了制备金属 /非晶态硅复合薄膜的各种方法与晶化结果 ,着重介绍了金属低温诱导的机理及其在器件应用方面的可行性     

La2/3Sr1/3MnO3/ZnO混合物薄膜的磁电阻和伏安特性研究

利用脉冲激光沉积的方法在Si（100）氧化成SiO₂的基片上制备了(La_2/3Sr_1/3MnO₃)_x/(ZnO)_1-x混合物薄膜,研究了薄膜的磁电阻和伏安特性. X射线衍射分析表明,除了衬底SiO₂的衍射峰以外,分别出现了La_2/3Sr_1/3MnO₃（101）的衍射峰和ZnO（002）的衍射峰,且它们形成了两相共存体系. 实验表明：x=0.3的混合物薄膜表现为半导体导电特性,而x=0.4的样品则出现了典型的金属绝缘相变. 所制备的样品表现出了低场磁电阻效应和非线性伏安特性. 在0.7T磁场的作用下,x=0.3的样品在温度为60K时取得的最大磁电阻值为28.8%. 通过对伏安关系拟合表明,在La_2/3Sr_1/3MnO₃和ZnO颗粒之间存在一定的耗尽层,且产生了界面缺陷态.     

(Ni0.81Fe0.19)66Cr34缓冲层对Ni74Co26薄膜各向异性磁电阻的影响

用磁控溅射方法制备了以Ta和非磁性(Ni0.81Fe0.19)66Cr34为缓冲层的Ni74Co26薄膜,研究了它们的各向异性磁电阻效应.结果表明用厚度为4.5nm的非磁性(Ni0.81Fe0.19)66Cr34做缓冲层的Ni74Co26薄膜,其各向异性磁电阻(AMR)值比用10nm的Ta做缓冲层的同样厚度的Ni74Co26薄膜的AMR有较大的提高.比如,当Ni74Co26薄膜的厚度为12.5nm时,AMR值能提高43%.X射线衍射(XRD)研究表明缓冲层(Ni0.81Fe0.19)66Cr34与磁性层Ni74Co26有非常接近的晶格常数,因此产生了较大的AMR值.     

金属薄膜的散射光特性研究

较详细地介绍了金属薄膜对特殊条件下入射光的散射特性，一方面给出了产生这种现象的理论依据；另一方面给出了具有这种现象的几种金属膜的实验结果，并说明了这种现象的应用前景。     

射频溅射两步法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜

~~射频溅射两步法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜@冯贞健$北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室!北京100022 @邢光建$北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室!北京100022 @陈光华$北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室!北京100022 @于春娜$北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室!北京100022 @荣延栋$北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室!北京100022~~~~~~~~     

铜对双靶共溅制备热电薄膜输运性能的影响(英文)

采用双靶共溅法制备了铜掺杂的碲化铋锑热电薄膜,铜与碲化铋锑共溅的方法有利于形成沿c轴方向择优生长的碲化铋锑薄膜。结果表明,铜原子均匀的掺杂在碲化铋锑薄膜材料中。由于铜原子有利于提高载流子迁移率,薄膜材料的电导率随着铜掺杂比例的提高得到了极大的提升。当铜靶的溅射功率为20 W时,可以得到最高的电导率,同时功率因子的最佳值可提升到20μW/(cm·K2)。