共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
提出了一种采用电流源开关的低噪声开关跨导有源下变频混频器.使用正弦波本振大信号驱动可以避免因为脉冲本振谐波诱发的噪声叠加效应;利用LC谐振结构来缓解尾节点寄生电容充电和放电对电路高频工作时的限制.提出的混频器采用65 nm CMOS工艺实现,工作在5.2 GHz的RF频段下,最大转换增益为11.6 dB,输入三阶交调截取点(IIP3)为5.5 dBm。对于5.2 GHz的LO频率点,分别在fIF=10/200 MHz时测得4.3/3.3 dB的双边带噪声系数(NF).在1.2 V的供电电压下,所设计芯片功耗仅为8.4 mW. 相似文献
3.
采用ADS的CMOS双平衡混频器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了Gilbert结构有源双平衡混频器的工作机理,以及混频器的转换增益、线性度与跨导、CMOS沟道尺寸等相关电路参数间的关系,并据此使用ADS软件进行设计及优化。在采用TSMC 0.25μm CMOS工艺,射频信号为2.5GHz,本振信号为2.25GHz、中频信号为250MHz时,2.5V工作电压的情况下仿真得到的转换增益为10.975dB,单边带噪声系数为9.09dB,1dB压缩点为1.2dBm,输出三阶交调截止点为11.354dBm,功耗为20mW。 相似文献
4.
在射频电路的前端,混频器是实现频谱搬移的重要器件,是十分重要的模块。采用Win公司砷化镓工艺,设计了一款二极管双平衡混频器,其中巴伦采用平面螺旋式结构,用ADS软件进行各部分电路设计、仿真,从功能仿真图中看到输出信号的频谱中有需要的中频频率成分,验证了混频器频谱搬移的功能,在所设计的频段耦合度和隔离度能够满足要求。其中射频端口和本振端口的频率为0.8~1.2 GHz,中频频率DC~300 MHz,变频损耗8~10 dB,噪声系数9 dB左右,芯片面积0.9 mm×1 mm。 相似文献
5.
6.
本文介绍了一种微带巴伦多倍频程微波集成双平衡混频器。它是由宽带微带巴伦和二极管电桥组成。这种微带巴伦双平衡混频器显示了良好的噪声特性和隔离特性。在1-18GHz工作频率范围内,最大双边带噪声系数为8.7dB,平均双边带噪声系数约6dB;本振端一信号端、本振端一中频端隔离度均大于15dB。 相似文献
7.
8.
刘志学 《内蒙古广播与电视技术》1997,(3):29-31
随着我国广播电视事业的发展,电视发射设备已经多次更新换代。电视发射机混频电路不断更新、不断采用新器件。国内外电视发射机生产厂家都投人了相当的力量研制、设计出新的电路,从而使电视发射机电路较为简练。而双平衡混频器在新的一代电视发射机混频电路中的应用,明显地表现出了新一代电视发射产品的技术特点。往往新技术、新器件的应用,都需要一个理解、消化的过程,再加上电视发射机生产厂家,在产品技术说明中对其技术特性也没有更多的说明,就会给用户在维修设备时带来困难。我们结合实际维修中的情况,查阅有关技术资料,介绍给… 相似文献
9.
10.
11.
12.
2 GHz下变频混频器的设计与实现 总被引:3,自引:1,他引:2
设计并实现了一个工作于2 GHz的下变频混频器.在混频器的设计与仿真过程中,同时考虑到了压焊线、焊盘、ESD电路的影响.并给出了在电路与版图设计过程中降低高频信号对其它信号影响的方法.测试结果表明,此混频器的增益为0.6 dB,IIP3为6 dBm,噪声系数NF为18.7 dB. 相似文献
13.
低噪声和高增益CMOS下变频混频器设计 总被引:1,自引:1,他引:1
设计并实现了一个用于GPS接收机射频前端的CMOS下变频混频器.基于对有源混频器的噪声机制的物理理解,电路中采用了噪声消除技术,以减少Gilbert型混频器中开关管的闪烁噪声,并引入一个额外的电感与开关对共源节点的寄生电容谐振,改善整个电路的噪声系数和转换增益等关键性能指标.电路采用TSMC 0.25 μm RF CMOS工艺实现,SSB噪声系数为7 dB,电压转换增益为10.4 dB,输入1 dB压缩点为-22 dBm,且输入阻抗匹配良好,输入反射系数为-17.8 dB.全差分电路在2.5 V供电电压下的功耗为10 mW,可满足GPS接收机射频前端对低噪声、高增益的要求. 相似文献
14.
《固体电子学研究与进展》2013,(6)
首次基于新型超宽带平面巴伦,设计了工作于超宽带(3.110.6GHz)频段的二极管双平衡混频器。微带到槽线过渡巴伦具有高通性质,可以阻断直流和中频分量,而微带到共面带线(CPS)过渡巴伦可以提供中频和直流回路,二者与交叉二极管对一起构成平面超宽带双平衡混频器。同时,可在中频端口串接宽阻带低通滤波器,进一步改善射频(RF)和本振(LO)端口到中频(IF)端口的隔离度。根据测试结果,当射频和本振信号工作于3.110.6GHz)频段的二极管双平衡混频器。微带到槽线过渡巴伦具有高通性质,可以阻断直流和中频分量,而微带到共面带线(CPS)过渡巴伦可以提供中频和直流回路,二者与交叉二极管对一起构成平面超宽带双平衡混频器。同时,可在中频端口串接宽阻带低通滤波器,进一步改善射频(RF)和本振(LO)端口到中频(IF)端口的隔离度。根据测试结果,当射频和本振信号工作于3.110.6GHz,中频在DC10.6GHz,中频在DC100MHz时,变频损耗小于13dB,三个端口之间的隔离度大于25dB。 相似文献
15.
CMOS混频器设计现状与进展 总被引:6,自引:1,他引:6
详细阐述了CMOS混频器设计技术的进展,着重介绍了CMOS混频器各项性能优化技术的现状与进展,探讨了各种技术的优缺点。最后,总结了CMOS混频器有关转换增益、线性度以及噪声系数的成果报道。 相似文献
16.
采用正交反馈的跨导级设计了一种基于数字电视调谐芯片中的高线性度的下变频混频器,该混频器在3.3V的工作电压下,采用改进的Gilbert单元,使用基于Chartered0.25μm标准CMOS工艺进行流片测试,结果表明该混频器IIP3可达到15dBm,增益达到9dB。 相似文献
17.
2.1 GHz射频CMOS混频器设计 总被引:2,自引:0,他引:2
设计了一个用于第三代移动通信的2.1 GHz CMOS下变频混频器,采用TsMC 0.25 μm CMOS工艺.在设计中,用LC振荡回路作电流源实现低电压;并用增大电流和降低跨导的方法提高线性度.在Cadence RF仿真器中对电路进行了模拟,在1.8 V电源电压下,仿真结果为:1 dB压缩点PtdB-10.65 dBm,lIP3 1.25 dBm,转换增益7 dB,噪声系数10.8 dB,功耗14.4 mW,且输入输出端口实现了良好的阻抗匹配.并用Cadence中的Virtuoso Layout Editor软件绘制了电路的版图. 相似文献
18.
采用线性化技术改进的混频器结构提高了线性度.采用TSMC 0.18 μm RF CMOS模型进行了电路仿真.仿真结果:在电源电压为1.8 V时,输入三阶截断点(IIP3)为10.3 dBm,输入1dB压缩点(P-1dB)为-3.5 dBm,增益为9.2 dB,单边带噪声系数为17 dB. 相似文献
19.