基于双基区晶体管结构的光控振荡器

采用DUBAT(双基区晶体管)和光电二极管构成新型无电感光控振荡器,并对其等效电路进行了模拟,分析了工作原理.实验数据证明了该光控振荡器频率与光强成正比,可实现光的模数转化.由于DUBAT结构简单,与集成电路工艺兼容,成本低廉,为光控振荡器与功能电路的集成应用提供了新的实现方式.     

光控毫米波振荡器的新方法

本文提出了一种毫米波振荡器的光控新方法。与已有的方法不同,新的方法可给出正的光控频率变化。在我们的实验中,观察到了Ka波段Gunn氏振荡器150MHz的频率变化。     

光控微波及其在相控阵天线系统中的应用

本文讨论了光注入锁定技术的发展，给出了光控锁相技术对ＦＥＴ振荡器讯号频率和相位进行独立控制的方法，还给出了光控微波相移器的原理，由引获得新颖的光控相控阵天线波束成形与控制技术及具体的设计结构。     

光控介质谐振器振荡器的实验研究

本文报道了关于光控介质谐振器振荡器的实验结果。对一只9.5GHz的介质谐振器振荡器进行实验,用硅半导体光敏材料,入射15mW红光,光控频率调谐达17.5MHz,红光功率的平均频率调谐率为1.17MHz/mW。入射5.5mW紫光,光控频率调谐达到12.3MHz,紫光功率的平均频率调谐率为2.24MHz/mW。在整个调谐范围内振荡器的微波输出功率随光功率增加而略有上升。     

光控介质谐振器振荡器的实验研究

本文报道了关于光控介质谐振器振荡器的实验结果。对一只９。５ＧＨｚ的介质谐振器振荡器进行实验，和硅半导体光敏材料，入射１５ｍＷ红光，光控频率调谐达１７。５ＭＨｚ红光功率的平均频率调谐率为１。１７ＭＨｚ／ｍＷ．入射５。５ｍＷ紫光，光控频率调谐达到１２。３ＭＨｚ，紫光功率的平均频率调谐为２。２４ＭＨｚ／ｍＷ。在整个调谐范围内振荡器的微波输出功率随光功率增加而略有上升。     

W波段光迫使Gunn管谐波振荡器的实验研究

本文提出了Ｗ波段Ｇｕｎｎ管谐波型光控振荡器的设计方案。该方案在振荡器的基波腔内填充本征半导体Ｓｉ片，并通过光纤将半导体激光器产生的光束耦合到Ｓｉ片，以达到光对振荡器工作频率的控制。在实验中采用波长为０．８６３μｍ的激光照射Ｓｉ片，取得了光控频率达７ＭＨｚ的结果。     

W波段光控Gunn管谐波振荡器的实验研究

本文提出了Ｗ波段Ｇｕｎｎ管谐波型光控振荡器的设计方案，该方案在振荡器的基波腔内填充本征半导体Ｓｉ片，并通过光纤将半导体激光器产生的光束耦合到Ｓｉ片，以达到光对振荡器工作频率的控制，在实验中采用波长为０．８６３μｍ的激光照射Ｓｉ片，取得了光控频率达７ＭＨｚ的结果。     

光控介质谐振器的频率调谐

本文对置于金属屏蔽中介质基片上的叠片式介质谐振器进行了分析;给出了光控频率调谐的线性理论公式和叠片式介质谐振器的谐振频率公式。这些公式可用于光控介质谐振器振荡器的理论计算和频率稳定度极高的叠片式介质谐振器的工程设计。     

光电双基区晶体管中的光控电流开关效应

光电双基区晶体管体在光电混合模式工作条件下具有光控“Ｓ”型负阻特及其光控电流开关效应。测量了光照时ＩＢＥ－ＶＢＥ特性,Ｉｔｈ－Ｒｃ特性等曲线。并利用用电注入双基区晶体管的“Ｓ”型负阻产生机理解释了测得的结果。     

光敏开关器件微波传输特性的研究与分析

高性能的光敏开关器件是实现直接光控有源频率选择表面(AFSS)的关键。文中阐述了硫化镉光敏薄膜的优点和长引脚硫化镉光敏电阻器件的劣势,对四款不同的贴片硫化镉光敏电阻直流特性与微波特性进行了研究与分析。对加载有环保光敏电阻的圆环缝隙频率选择表面(FSS)进行实验验证,确定了单缝型微带线光控开关作为直接光控AFSS基础模型的有效性。同时,对直接光控AFSS中常用半导体硅和同族体锗进行了微波微带开关测试,表明锗并不适用于光控微波开关。最后对潜在可用于直接光控的新型半导体材料进行了展望。     

基于DUBAT的新型压控振荡器研究

本文首次研制了一种基于双基区晶体管(DUBAT)的无电感新型压控振荡器(VCO).文中详细分析了其工作原理,并给出了它的等效电路,模拟结果与实验结果是一致的.由于DUBAT结构简单,工艺与双极集成电路工艺完全相容,从而为压控振荡器结合其它功能电路的大规模集成提供了一种新的实现方式.     

一种新型结构的InGaP/GaAs负阻异质结晶体管

利用硅双基区晶体管（DUBAT）产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT (NDRHBT) . 经过特性和参数测试,证明此种NDRHBT具有显著的微分负阻效应,并发现负电流区负阻效应和光照可改变其I-V特性,器件模拟结果和测试结果基本一致.     

非线性光耦合器及其响应保持功能

将发光器件和硅光电负阻器件面对面地封装在一起,其间实现电隔离,构成一种新型光耦合器.由于光电负阻器件具有双稳和自锁特性,这种非线性光耦合器具有响应保持功能.文章以PDUBAT为例从实验方面证实了响应保持功能的存在,并提出利用PLBT实现响应保持功能的设想.     

MOS环振式数字加速度传感器

提出了一种新的环振式数字加速度传感器,它采用做在硅梁上的MOS环形振荡器作为敏感元件,两个反方向变化的环振输出信号通过集成在片内的混频器实现频率相减.该传感器具有准数字输出、灵敏度高、温度系数低以及制作工艺简单等特点.分析了环形振荡器的频率特性,以及环形振荡器的谐振频率和加速度的关系,分析并设计了加速度传感器的环形振荡器电路、混频器电路、物理结构以及制作工艺,并制作了样品,其灵敏度为6 .91k Hz/g.     

Theoretical and experimental characterization of the DUal-BAse transistor (DUBAT)

A new A-type integrated voltage controlled differential negative resistance device using an extra effective base region to form a lateral pnp (npn) bipolar transistor beside the original base region of a vertical npn (pnp) bipolar junction transistor, and so called the DUal BAse Transistor (DUBAT), is studied both experimentally and theoretically, The DUBAT has three terminals and is fully comparible with the existing bipolar integrated circuits technologies. Based upon the equivalent circuit of the DUBAT, a simple first-order analytical theory is developed, and important device parameters, such as: the I–V characteristic, the differential negative resistance, and the peak and valley points, are also characterized. One of the proposed integrated structures of the DUBAT, which is similar in structure to I²L but with similar high density and a normally operated vertical npn transistor, has been successfully fabricated and studied. Comparisons between the experimental data and theoretical analyses are made, and show in satisfactory agreements.     

硅光电负阻器件的构成原理与分类

将三端负阻器件与硅光电探测器相结合 ,通过新的构思成功地提出并构成了一类新型光电器件——硅光电负阻器件。文中报道了该器件构成的一般性原理 ,以及依据此构成原理确定的分类方法     

以混频器作为信号处理单􀀂 元的环振式压力传感器

提出了一种新的环振式数字压力传感器，它采用做在硅梁上的MOS环形振荡器作为敏感元件，两个反方向变化的环形振荡器的输出信号通过集成在片内的混频器实现频率相减，分析了环形振荡器的频率特性，以及环形振荡器的谐振频率和压力的关系，分析并设计了压力传感器的环形振荡器电路、混频器电路、物理结构以及制作工艺，并制作了样品，其灵敏度为1．52kHz／kPa。     

DUBAT负阻参数的推导和功率DUBAT的设计与研制

本文第一部分用较简单而不同于文献[1]的方法推导出双基区晶体管(DUBAT)有关的负阻参数,与实验结果符合良好;第二部分对功率型DUBAT进行了设计并初步制成这种器件。     

A Novel SiGe PIN Diode SPST Switch for Broadband T/R Module

A novel octagonal SiGe p-type intrinsic n-type (PIN) diode single pole single throw (SPST) switch is first implemented in a standard 0.18-mum SiGe BiCMOS technology. Distinctive radio frequency performance of monolithic silicon PIN diode switch is achieved for broadband applications with improvement of its geometry. Over the 2-16GHz frequency band, the PIN diode SPST switch exhibits an insertion loss of less than 1dB and isolation between 42dB to 19dB. An accurate small signal model of series PIN diode is also presented     

硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性

在本文中,一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究,另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究.硅光电负阻器件包括有各种类型,本文主要对"λ"型双极光电负阻晶体管(PLBT)以电阻和光电二极管作为负载的情况进行了讨论.