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CMOS电路X射线辐射剂量增强效应 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了CMOS电路在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应,测量了相对剂量增强系数,对不同工艺CMOS电路的剂量增强系数进行了比较,并对高原子序数材料的X射线剂量增强机理进行了讨论。 相似文献
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X射线剂量增强环境下电子系统辐射效应和加固 总被引:1,自引:0,他引:1
陈盘训 《核电子学与探测技术》1997,17(2):81-85
本文研究在X射线剂量增强环境下电子系统的薄弱性及应采取的加固方法,给出了组成电子系统各类器件和集成电路剂量增强系数,从实验结果出发,指出最佳的屏蔽X射线的方法。 相似文献
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在器件的金属化层及封装等结构中,高原子序数材料在低能X射线的辐照下,会在相邻的低原子序数材料中产生剂量增强效应,从而使得器件性能严重退化。主要介绍了柯伐封装的CMOS器件,在X射线和γ射线辐照下,其辐照敏感参数阈值电压和漏电流随总剂量的变化关系。并对实验结果进行了比较,得出低能X射线辐照对器件损伤程度大于γ射线,对剂量增强效应进行了有益的探讨。 相似文献
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对三种双极晶体管3DG4C、3DG6D和3DK9D(每种100只)作了失效概率P_F和γ总剂量D关系的研究。辐射实验表明,用Weibull分布可以较好地描述P_F和D的关系。取h(D)/h(O)=80%、70%、50%为器件失效判据,实验结果表明,失效分布曲线取决于失效判据。3DG6D的P_F~D曲线由两种斜率的直线组成,这意味着样品组中存在着不同工艺的器件。失效分布曲线斜率揭示了器件抗总剂量特性的均匀度。它可用来作为器件加固工艺的质量监督。当将P_F~D直线外推到低P_F区时,有些器件失效概率为0.1%和0.01%的失效总剂量仅为几十Gy。 相似文献
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CHEN Panxun XIE Zeyuan 《中国核科技报告》2002,(1)
对三种双极晶体管3DK9D,3DG6D和3DG4C(每种100只)作了失效概率PF与γ总剂量D关系的研究。辐射实验表明,用Weibull分布可以较好地描述PF和D的关系。取hFE(D)/hFE(O)=80%,70%,50%为器件失效判据,实验结果表明,失效分布曲线取决于失效判据。3DG6D的PF-D曲线由两种斜率的直线组成,这意味着样品组中存在着不同工艺的器件。失效分布曲线斜率揭示了器件抗总剂量特性的均匀度,它可以用来作为器件加固工艺的质量监督。当将PF-D直线外推到低PF区时,有些器件失效概率为0.1%和0.01%的失效总剂量仅为几十戈瑞(Gy(Si))。 相似文献
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采用标准分立双极元件,对双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法进行了实验验证。给出了双极晶体管瞬态辐射响应及光电流分流补偿原理,比较了带补偿与不带补偿电路的瞬态响应波形。实验结果对双极晶体管集成电路瞬态辐射加固具有指导意义。 相似文献
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为了研究X射线入射方向对界面剂量增强的影响,通过建立一个典型的金/硅界面结构模型,采用MCNP蒙卡计算程序计算50keV能量X射线以不同的方向入射界面时在规定的区域内产生的能量沉积,进而得到剂量增强系数. 相似文献
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当X射线入射到不同材料组成的界面时,在低Z材料的一侧将产生剂量增强。本文介绍了界面剂量增强效应的基本原理,并用蒙特卡罗程序EGSnrcMP模拟计算了钨和硅、钽和硅界面的剂量增强因子。计算结果表明,在X射线能量为30~200 keV时,界面附近硅一侧存在较大的剂量增强效应。 相似文献
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120-Ⅱ型X射线源是便携式XP-Ⅱ型闪光X射线成像检测仪的重要组成部分,它利用冷阴极电子轰击W-阳极靶出射X射线的脉冲源,脉冲宽度约150 ns。利用LiF剂量片测量距离中心30cm处横截面上不同位置的剂量分布,根据实验结果可确定操作人员设备实施操作的绝对安全距离。 相似文献
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曹建中 《核电子学与探测技术》1989,9(3):167-173
本文介绍了剂量增强效应的起因、定义以及器件和电容器的剂量增强效应;提供了一般电子系统中使用的器件在X,γ射线环境中的剂量增强系数参考数据,有较宽的适应范围。 相似文献