（英）界面极化层引起P(VDF-TrFE)电容器的电容-电压的不对称

通过研究Au/P(VDF-TrFE)/Al 电容器的变温(200 K 到310 K)电容-电压曲线,室温下观察到两个极化方向下的电容不对称,这个现象可以应用于非挥发性存储器.电容不对称程度随着温度的降低而变小,当温度低于230 K,电容不对称现象消失.P(VDF-TrFE)与Al电极之间的界面极化层可以解释观察到的电容不对称现象.     

P(VDF-TrFE)/Ag复合薄膜的铁电以及介电性能研究

利用旋涂法制备并采用氢气退火处理得到P(VDF-TrFE)/Ag复合薄膜,在XRD图像上可以观察到在2θ=38.1°的Ag(111)相的衍射峰,同样在SEM图像上观察到银纳米粒子的存在.在薄膜的红外透射光谱上可以观察到β相特征峰的蓝移,这可归结为银纳米粒子与偶极子的相互作用.银纳米粒子的掺杂增强了薄膜的铁电和介电性能.与传统退火方式处理的纯P(VDF-TrFE)薄膜相比,纳米银掺杂比例为10％的P(VDF-TrFE)/Ag复合薄膜的铁电剩余极化强度和介电常数分别提高了32.5％和13.3％.介电损耗不随纳米银掺杂比例的增加而变化的现象不符合渗流理论.     

自支撑P(VDF-TrFE)红外探测器（英文）

制备了具有自支撑绝热结构的Al/P(VDF-TrFE)/NiCr红外探测器单元,其中NiCr半透明膜作为探测器的上电极和吸收层.实验结果表明:P(VDF-TrFE)薄膜具有很好的铁电性和热释电性,其铁电剩余极化强度和热释电系数分别为7.1μC/cm~2和27μC/m~2K;探测器单元在10 Hz工作频率下对黑体温度500 K的辐射源的电压响应率和探测率分别为1500 V/W和5×10~7 cmHz~(1/2)W~(-1);通过对电压响应率随频率变化的实验数据进行拟合,得到探测器单位面积的热导和吸收率分别为2.5×10~(-3) W/cm~2K和0.1;利用P(VDF-TrFE)探测器单元可对目标物体实现热成像.     

自支撑P(VDF-TrFE)红外探测器

本文中制备了具有自支撑绝热结构的Al/P(VDF/TrFE)/NiCr红外探测器单元,其中NiCr半透明膜作为探测器的上电极和吸收层。实验结果表明：P(VDF/TrFE)薄膜具有很好的铁电性和热释电性,其铁电剩余极化强度和热释电系数分别为7.1 μC/cm2 和27 μC/m2K;探测器单元在500 K温度下的电压响应率和探测率分别为4436 V/W和3.3×108 cmHz1/2W-1;通过对电压响应率随频率变化的实验数据进行拟合,得到探测器单位面积的热导和吸收率分别为2.6×10-3 W/cm2K 和0.1;利用P(VDF-TrFE)探测器单元可对目标物体实现热成像。     

PVDF/P(VDF-TrFE)混合薄膜形貌的原子力显微镜研究

利用原子力显微镜研究PVDF/P（VDF-TrFE）混合薄膜的结晶形貌受退火温度的影响,发现随着退火温度的升高,两种成份的结晶情况各异,并受到分子链间的作用而互相影响。α相的PVDF大球晶结构受P（VDF-TrFE）分子链的影响不易转化成β相的小球晶。在P（VDF-TrFE）的熔融温度以上退火后,P（VDF-TrFE）结晶成长纤维状晶体,并随着退火温度的升高而长大。共混薄膜中发生了两种类型的相分离,P（VDF-TrFE）的结晶可以使整个混合薄膜的宏观相容性得到提高,使两种成份的分层现象消失。     

利用二次谐波产生研究Al2O3/Al(111)表面的动力学变化

主要介绍了当激光入射到单晶金属Al2O3／Al(111)表面时将发生二次谐波产生(SHG)现象的实验装置和实验方法,利用该装置可以研究SHG和从Al2O3／Al(111)表面反射的SHG在空间各向异性的变化情况,从而可以探测Al2O3／Al(111)表面结构对称性。实验中发现,当脉冲激光功率在2×106 W／cm2-9．6×106W／cm2范围内变化时,没有检测到SHG信号的各向异性变化;当使用P-极化泵浦激光时,发现Al2O3／Al(111)样品绕法线旋转360度时,P-极化的SHG信号在空间三个方向上呈现最大值相等;当使用脉冲强度为12×100 W／cm2的1064 nm P-极化泵浦激光时, Al2O3／Al(111)表面被损坏,损坏后的表面其SHG信号并不呈现对称的各向异性变化,当使用脉冲强度为11×106W／cm2的1064 nm P-极化泵浦激光时产生表面退火现象,从退火表面所产生的反射532 nm P-极化SHG信号中发现,SHG信号呈现衰减的各向异性成分。     

发光二极管负电容与角频率的关系

利用正向交流(AC)小信号方法对发光二极管(LED)的电容-电压特性进行测量,可以观察到发光二极管中的负电容现象.提出了测量到的负电容现象是表象,不存在负电容;发光二极管p-n结的结电容在特定的正向电压范围内等效于可变电容.分析可变电容对交流小信号响应得到:特定参数的可变电容使电流的相位移相π,使得在测量中表现为负电容;得到了发光二极管负电容与角频率的关系表达式.     

发光二极管负电容与角频率的关系

利用正向交流(AC)小信号方法对发光二极管(LED)的电容-电压特性进行测量,可以观察到发光二极管中的负电容现象.提出了测量到的负电容现象是表象,不存在负电容;发光二极管p-n结的结电容在特定的正向电压范围内等效于可变电容.分析可变电容对交流小信号响应得到:特定参数的可变电容使电流的相位移相π,使得在测量中表现为负电容;得到了发光二极管负电容与角频率的关系表达式.     

铁电薄膜电滞回线测量的快速数值补偿方法研究

测量铁电薄膜电滞回线必须补偿漏电阻和线性电容的影响.本文采用Sawyer-Tower改进电路,分析了在正弦激励电场下漏电阻和线性电容对自发极化的影响,指出二者分别关于饱和极化点奇对称和偶对称;利用正峰值饱和极化点及其前后相邻两点共3对激励电压和极化电压,推导出漏电阻和线性电容计算公式,进而可实现电滞回线快速数值补偿.本算法漏电阻和线性电容的计算时间仅为二分法用时的2%.     

ALD氧化铝薄膜介电性能及其在硅电容器的应用

硅基高密度电容器是利用半导体3D深硅槽技术和应用高介电常数(高K)材料制作的电容。相比钽电容和多层陶瓷电容(MLCC),硅基电容具有十年以上的寿命、工作温度范围大、容值温度系数小以及损耗低等优点。文章研究原子层沉积(ALD)制备的Al2O3薄膜的介电特性,通过优化ALD原子沉积温度和退火工艺,发现在沉积温度420℃和O3气氛退火5 min下,ALD生长的Al2O3薄膜击穿强度可大于0.7 V/nm,相对介电常数达8.7。制成的硅基电容器电容密度达到50 nF/mm2,漏电流小于5 nA/mm2。     

硅P-N结电场对金施主中心空穴热发射率的影响

在115.2K到162.3K的温度范围内,用电容瞬态技术研究了P-N结电场对硅中金施主中心空穴热发射率的影响.测量结果表明电场对热发射率有很强的增强作用,这种作用强烈地依赖于温度.用电场降低极化势垒效应可以解释这种作用.极化势垒的形式为V(r)=-Ar~(-4),实验定出上述温度范围的A从8.8 × 10~(-27)变到1.1×10~(-27)eVcm~4.在测量方法方面,首次考虑了空间电荷区边界层对热发射率-电场关系测量结果的影响,提出了修正这种影响的具体方法.     

P(VDF-TrFE)/Ag复合薄膜的铁电以及介电性能研究

利用旋涂法制备并采用氢气退火处理得到P(VDF-TrFE)/Ag复合薄膜,在XRD图像上可以观察在2θ=38.1?的Ag(111)相得衍射峰,同样在SEM图像上观察到银纳米粒子的存在。在薄膜的红外透射光谱上可以观察到β相特征峰的蓝移可归结为银纳米粒子与偶极子的相互作用。银纳米粒子的掺杂增强了薄膜的铁电和介电性能。介电损耗随着掺杂比例的增加而降低的趋势不符合渗流理论。     

发光二极管中负电容现象分析

利用正向交流(ac)小信号方法对发光二极管(LED)的电容-电压特性进行测量,可以观察到发光二极管中的负电容现象。首次提出测量到的负电容现象是表象,不存在负电容;首次提出发光二极管P-N结的结电容在特定的正向电压范围内等效于可变电容,特定参数的可变电容使电流的相位移相π,使得在测量中表现为负电容。     

量子阱平面光学各向异性的偏振差分反射谱研究

在室温下用偏振差分反射谱技术观察到了 Ga As/Al Ga As、In Ga As/Ga As和 In Ga As/In P三种量子阱材料的平面光学各向异性。我们发现 Ga As/Al Ga As量子阱 1 h→ 1 e跃迁的偏振度与阱宽成反比 ,与 In Ga As/In P量子阱的报道结果类似。 Ga原子偏析引起的界面不对称可以很好地解释这种行为。与之相反 ,In Ga As/Ga As量子阱的光学各向异性倾向于与阱宽成正比。目前还不能很好地解释这种现象。     

光纤Bragg光栅液氦环境下温度传感特性的研究

进行了液氦温度(4.2 K)到室温(298 K)温区内光纤Bragg光栅(FBG)温度传感性能的实验研究.重点分析了液氦温度(4.2 K)到液氮温度(77 K)FBG的温度传感特性.实验表明:FBG传感特性与温度相关.在50 K以下,温度响应基本没有变化;50 K-77 K,波长偏移量随温度上升变化不规律;150 K-298 K传感特性近似成线性.对比裸光栅与涂敷光栅,涂敷光栅的温度灵敏度远大于裸光栅的温度灵敏度.选用外加热膨胀系数大的聚合物封装,可以显著提高FBG的温敏系数和线性度.     

LB法制备的P(VDF-TrFE)共聚物薄膜其光学和电学特性研究

运用郎缪尔-布尔吉特法在聚酰亚胺衬底上制备聚偏氟乙烯及三氟乙烯(P(VDF-TrFE))共聚物薄膜.不同厚度薄膜的X射线衍射结果表明,薄膜具有良好的结晶特性,取向为(110).运用波长范围为300～1300nm的椭圆偏振光谱仪对薄膜光学特性进行了表征;运用Cauchy模型对不同角度(θ=75°和85°)测得的Ψ和Δ数据进行了拟合.获得了P(VDF-TrFE)薄膜的光学参数n, k, α以及薄膜的厚度.另外对薄膜的铁电性质的测量,其剩余极化达到了6.3μC/cm2, 矫顽电场为100MV/cm.介电测量得到了薄膜两个明显的相变,铁电-介电相变以及β弛豫.     

HgCdTe共振缺陷态的电容谱研究

提出一种测量HgCdTe量子电容谱、研究共振缺陷态的方法.利用高精度差分电容测量方法,在4.2K下测量了一系列受主浓度为3×10~(16)～4×10~(17)cm~(-3)的P型HgCdTe MIS样品的C-V曲线.对浓度约10~(17)cm~(-3)的强P型Hg_0.79Cd_0.21Te体材料样品,在C-V曲线上耗尽区和反型层交界的偏压区域观察到一个附加峰,该峰起源于导带底以上45meV的一个共振缺陷态,分析表明是氧占据Hg空位的杂质缺陷态.     

混合式直接注入红外CCD的注入实验及其注入效率的初步估算

初步开展了InSb—Si CCD(锑化铟—硅CCD)、HgCdTe—Si CCD(碲镉汞—硅CCD)的直接注入实验;在低频范围内,观察到了注入现象,在500°K黑体温度下,对注入效率进行了初步估算,证明现行热扩散工艺所制备的光伏器件,也可以观察到注入现象。此外,本文对注入效率进行了初步估算,并对注入效应也进行了一些初步讨论。     

热电探测器评论

热电探测器是热探测器,它对吸收辐射变热产生的极化变化响应。在平衡态,极化被自由载流子补偿。当入射辐射迅速波动时(比自由载流子再分配时间短),温度变化引起极化变化。极化的这个变化使淀积于表面的电极(一般是镍铬合金丝)感应电荷。探测器在本质上是个电容,在它的两端由于辐射显示出电压。若提高到居里点以上的温度,这些探测器就失去它们的极化。若提高到探测器的居里温度以上,探测器不致损坏,但     

非平稳信道下极化码的评估

极化码是基于信道极化现象的一种新的信道编码方法。直到现在,许多研究极化码的学者仍致力于在平稳信道下对极化码进行应用研究。在此,主要研究将极化码应用于非平稳信道,此研究需要利用蒙特卡洛方法来进行。将一个特殊二进制对称信道(BSC)的交叉概率的变化视为服从正弦函数分布。根据大量的实验结果发现,当极化码应用于非平稳信道下时,仍然存在信道极化现象,但是其极化现象并没有像极化码应用于平稳信道那样的显著。