中介相碳小球及其热处理产物的研究

中介相碳小球（ＭＣＭＢ）的碳化和石墨化产物可以作为锂离子电池的电极材料，其产物结构直接影响电极性能。本文主要利用原子力显微镜（ＡＦＭ），同时配合透射电镜（ＴＥＭ）以及密度测定研究了ＭＣＭＢ及其不同温度下的碳化和石黑化产物０．５μｍ以下颗粒的大小、形貌、结构的变化。结构表明：２８００℃的碳化产物，颗粒体积最小，密度最大。     

GaAs MESFET大信号瞬态模拟

本文采用了大信号瞬态分析方法，从砷化镓（ＧａＡｓ）材料参数和器件几何参数出发，通过求解Ｐｏｉｓｓｉｏｎ方程和连续性方程，模拟出ＦＥＴ器件端口特性，得到了大小信号器件模型不同的定量依据，并在此基础上提取出了ＦＥＴ非线性模型参数．本文所开发的软件，其有效性在从材料器件物理参数出发，一步设计出微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）的ＣＡＤ过程中得到了验证．     

SiC功率器件

本文采用计算材料优值和器件模拟的方法预测了ＳｉＣ的高频大功率特性，综述了目前ＳｉＣ功率器件的发展最高水平，高压整流器和晶体管如功率ＭＯＳＦＥＴｓ，ＪＦＥＴｓ，ＭＥＳＦＥＴｓ都具有较小的有源面积，而性能已初步显示出ＳｉＣ高温大功率工作的优势。     

美国的LSI产业主要规划

１ＨＴＭＴ规划 在以网络为中心的信息通信产业发展中要掌握霸权，美国政府以此思路，制定了力图提高计算机外围器件技术基础的产学研共同规划 ＨＴＭＴ（Ｈｙｂｒｉｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｍｕｌｔｉｔｈｒｅａｄ－ｅｄ）（表 １）。此规划由国家提供资金，每年２４０万美元。力图利用半导体、光器件、超导器件的组合，使现有技术能实现的性能大幅度提高，完成１０１５级计算机试制，在２００６－２００７年计划试制出实用计算机。１．１耗电增大成为ＣＭＯＳ的瓶颈 现在的超级计算机中，广泛地使用半导体微处理器。实际上，把许多ＣＭＯ…     

HEMT器件的非线性模型分析

本文提出了一种新的ＨＥＭＴ器件非线性ＣＡＤ模拟方法，即可以利用ＰＳＰＩＣＥ程序中ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的非线性ＣＡＤ模型（Ｓｔａｔｚ模型）对ＨＥＭＴ器件进行非线性模拟，并用实验验证了这种方法的正确性。     

SiC器件──物理与数值模拟

从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ～ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ￣（－）－ｎ￣（＋）二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二极管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣ　ｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓｉ略高。这种缺点可用６Ｈ－ＳｉＣ肖特基二极管克服。Ｓｉ、３Ｃ－ＳｉＣ和６Ｈ－ＳｉＣ垂直功率ＭＯＳＦＥＴ的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下，这种ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开态电阻低于０．１Ωｃｍ￣２，可在高达５０００Ｖ阻塞能力下工作，而ＳｉＭＯＳＦＥＴ则限于５００Ｖ以下。这一点通过用ＰＩＳＣＥＳ计算６Ｈ－ＳｉＣ１２００ＶＭＯＳ－ＦＥＴ的特性得以验证。在低于２００Ｖ的电压区，由于硅的迁移率较高且阈值电压较低，故性能更优良。在上述的６Ｈ－ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约４×１０￣６Ｖ／ｃｍ的电场。为了研究ＳｉＣ器件的高频性能，提出了６Ｈ－ＳｉＣ发射极的异质双极晶体管?     

一种新型结构的LB膜化学场效应晶体管的气敏特性研究

合成了新型的有机半导体ＬＢ膜气敏材料（ＣＯＴＤＭＡＰＰ），其ＬＢ多层膜拉制在场效应晶体管上，形成了具有ＬＢ－ＯＳＦＥＴ结构的化学场效应晶体管（ＣｈｅｒｎＦＥＴ），该器件置于ＮＯ２，ＮＨ３，ＣＯ和Ｈ２Ｓ等有害气体中，结果表明在ＮＯ２气氛中元件漏电流ＩＤＳ发生变化，并可检测到２ｐｐｍ的ＮＯ２．这种器件的气敏特性在于ＦＥＴ的电流放大作用及ＬＢ膜的有序性的影响．     

固态功率放大器和行波管放大器的可靠性

两项大范围的通信卫星可靠性研究于１９９１年和１９９３年实施，这些研究使热离子器件（ＴＷＴ／ＴＷＴＡ）与固态器件（ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ／ＳＳＰＡ）之间能在Ｃ波段作直接的“轨道上”对比。两种微波功率放大器都获得优良的性能，寿命和可靠度，然而，出乎意料，两项研究都记录到ＳＳＰＡ比ＴＷＴＡ高的失效率。     

元器件快讯

３２位混合信号处理器ＴＭＳ３２０Ｆ２８１０／２８１２ＤＳＰ德州仪器公司（ＴＩ）推出的ＴＭＳ３２０Ｆ２８１０与ＴＭＳ３２０Ｆ２８１２型ＤＳＰ可实现高性能数字信号处理器（ＤＳＰ）与高精度模拟及闪存的完美结合。新型混合信号３２位ＤＳＰ可提供每秒１．５亿次指令（ＭＩＰＳ） ,单周期３２×３２位ＭＡＣ功能 ,０．２５ＭＢ的片上闪存以及１２位模数转换器（ＡＤＣ）。这些器件均基于Ｃ／Ｃ + +高效３２位ＴＭＳ３２０Ｃ２８ｘＴＭＤＳＰ核心 ,并可由虚拟浮点数学函数库来提供支持 ,该函数库可显著简化多应用开发系统。该新型器件…     

市区多径衰落信道中的TCM DS／SSMA系统性能分析

本文将网络编码调制（ＴＣＭ）应用于市区多径衰落信道下的直接序列扩频多址（ＤＳ／ＳＳＭＡ）系统中，应用ＤＳ条件下市区多径衰落信道的等效模型，提出了一种采用理论分析和数值模拟相结合分析ＴＣＭＤＳ／ＳＳＭＡ系统在该信道下性能的新方法，并将传统的Ｕｎｇｅｒｂｏｅｃｋ型ＴＣＭ才本文所构成的若干种低码率ＴＣＭＤＳ／ＳＳＭＡ系统的性能进行了比较。     

控制场效应晶体管（CFET）──一种新型的MMIC控制器件

控制场效应晶体管（ＣＦＥＴ）──一种新型的ＭＭＩＣ控制器件据《ＩＥＥＥ１９９５Ｍ．＆ＭＭ．Ｗ．Ｍｏｎｏｌ．Ｃｉｒｃ．Ｓｙｍｐ》报道，ＤａｖｉｄＪ．Ｓｅｙｍｏｕｒ等研制成一种微波单片控制电路用的新型ＧａＡｓ器件──控制场效应晶体管（ＣＦＥＴ）。为了降低...     

德翻州新型数字信号处理器TMS320C64x^DSP为第三代无线产业、宽带基础设施和

２００１年２月,德州仪器公司（ＴＩ）宣布推出业界最高性能系列可编程数字信号处理器（ＤＳＰ）的三个新成员ＴＭＳ３２０Ｃ６４１４、ＴＭＳ３２０Ｃ６４１５和ＴＭＳ３２０Ｃ６４１６。ＴＭＳ３２０Ｃ６４ｘＴＭ　ＤＳＰ基于Ｃ６４ｘＴＭ　ＤＳＰ内核,具有可伸缩的先进超长指令字（ＶＬＩＭ）结构。 Ｃ６４ｘ系列产品设计面向第三代（３Ｇ）无线和宽代基础设施,以及影像／视频应用。新型的ＴＭＳ３２０Ｃ６０００ＴＭ ＤＳＰ系列产品的运行速度高达６００ＭＨｚ,所提供的性能是目前市场上宽带应用的任何ＤＳＰ性能的１０倍,也是目前…     

功率双基区晶体管（DUBAT）及其压（流）控调频效应

在重点考虑了提高击穿电压和增大电流容量的基础上，设计并研制出功率型ＤＵＢＡＴ。其主要参数达到：ＢＶ（ＣＥ０）≥１２０Ｖ，Ｉ（ＣＭ）≥２Ａ，ＲＮ≈５０～１１０Ω，Ｐ（ＣＭ）≥１０Ｗ。并在此器件上首次发现了电压（流）控制调节脉冲频率效应。     

高电子迁移率晶体管器件模型

（Ａｌ．Ｇａ）Ａｓ－ＧａＡｓ高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）具有跨导大、截止频率高、噪声低、开关速度快以及功耗低等特点。是一种比ＭＥＳＦＥＴ优越的新型器件。在器件模拟这一领域，已经发展了一维分析模型、二维数值模型或半数值模型以及针对小尺寸器件的Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ模型。对部分一维和二维器件模型作了综合介绍和分析。     

PECVDSiN及其在GaAsMESFET中的应用第Ⅱ部分：PECVDSiN的性质及其对GaAs器件性能的影响

ＰＥＣＶＤＳｉＮ及其在ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ中的应用第Ⅱ部分：ＰＥＣＶＤＳｉＮ的性质及其对ＧａＡｓ器件性能的影响罗海云（电子部第１３研究所，石家庄，０５００５１）ＰＥＣＶＤＳｉＮａｎｄＩｔｓＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｉｎＧａＡｓＭＥＳＦＥＴＰａｒｔⅡ：Ｐｒ...     

三元合金锗硅碳的器件应用研究

碳的加入改进了锗硅材料的性能，同时也为半导体器件的研制开发创造了条件，增加了硅基器件设计的灵活性。本文介绍了ＳｉＧｅＣ材料在硅基器件方面的应用，包括光探测器、ＭＯＳ场效应晶体管、ＨＢＴ等。     

数字信号处理器TMS320C25之等待电路设计

ＴＭＳ３２０Ｃ２５数字信号处理器是一种高性能的单片信号处理器。它不仅广泛应用于各种信号处理系统，也广泛应用于各种控制系统。由于ＴＭＳ３２０Ｃ２５信号处理器各方面的优越性，故采用它作为中央处理单元（ＣＰＵ）构成的系统越来越多。在用ＴＭＳ３２０Ｃ２５构成的系统中，为了使此高速ＣＰＵ能够与低速外围器件接口，系统中必须设置等待电路。等待电路是以ＴＭＳ３２０Ｃ２５为ＣＰＵ所构成的系统的基本配置。本文提出了一种有别于ＴＭＳ３２０Ｃ２５用户手册的等待电路的设计，并在实际中得到了应用。     

元器件快讯

新型ＤＳＰ芯片ＴＭＳ３２０Ｃ５４７０／５４７１德州仪器（ＴＩ）公司最近又推出两款新型ＤＳＰ芯片ＴＭＳ３２０Ｃ５４７０和ＴＭＳ３２０Ｃ５４７１ ,通过这两款集成高效可编程ＴＭＳ３２０ＤＳＰ和ＲＩＳＣ处理器可支持嵌入式操作系统 ,并可在功耗降低约３０%的同时使成本和尺寸再缩减４０ %。这两款器件将可编程ＴＭＳ３２０Ｃ５０００ＤＳＰ与ＡＲＭ７Ｔｈｕｍｂ精简指令集（ＲＩＳＣ）处理器结合在一起 ,因而可支持那些已被广泛应用的嵌入式操作系统。同时可加快实时应用产品的上市时间 ,其中包括文本语音转换、无线数据、语音识别…     

碲镉汞晶片表面加工损伤的电化学腐蚀观察方法

本文报道一种新的观察碲镉汞（ＣＭＴ）晶片表面加工损伤的方法──电化学腐蚀法。文中讨论了电化学腐蚀法的原理，给出了实验结果。实验表明：机械磨抛的ＣＭＴ晶片表面的加工损伤可用电化学腐蚀法清楚地揭示出来；磨抛产生的机械划痕在电化学腐蚀前后一一对应，而且腐蚀后可清晰、直观地看到腐蚀前看不见的机械划痕；结合化学腐蚀的方法测量了一定磨抛条件下Ｗ３．５磨料在ＣＭＴ晶片表面产生的最大加工损伤深度约３２～４０ｐｍ；机械磨抛产生的划痕和其在表面留下的应力沟道区是ＣＭＴ晶片表面在磨抛加工中受到损伤的主要机构。分析认为平均损伤深度主要影响磨抛ＣＭＴ晶片的表面复合速度，而最大加工损伤深度则对ＣＭＴ器件、特别是多元器件性能参数的均匀性影响比较大；故控制好ＣＭＴ晶片表面加工的最大损伤深度也是制备性能均匀的ＣＭＴ多元探测器的一个重要环节。     

基于精确模型的毫米波单片集成电路设计

介绍了毫米波单片集成电路设计中的两个关键技术，有源器件（如ＰＨＥＭＴ）等效电路模型的建立和无源元件（如微带Ｔ形结、十字结、转角等）精确电磁场模型的建立，同时介绍了毫米波单片放大器的ＣＡＤ设计过程。