高密度、直立金属纳米线有序阵列的制备

本文提供了一种简单、可控的制备直立纳米线阵列的方法。采用循环伏安法在多孔阳极氧化铝模板中电沉积了Ag、Cu、Au金属纳米线阵列。SEM图片证明模板孔洞的填充率非常高。XRD分析结果表明,纳米线阵列都具有面心立方结构。采用循环伏安法可以方便地调节电沉积时间,进而有效地调控金属纳米线的长径比。去除模板后发现,当纳米线的长径比较大时,纳米线易于倒塌,聚集在一起。当纳米线的长径比在一定范围时,易于获得高密度、直立在导电衬底上的纳米线阵列。     

多孔氧化铝模板合成有序纳米结构材料的研究进展

模板法制备纳米结构是20世纪90年代中期发展起来的一种靠自组装构筑纳米结构的新工艺,在有序纳米结构的合成中有着广泛的应用.从多孔氧化铝模板独特的纳米孔结构出发,讨论了近年来该模板在纳米点、纳米线、纳米管、纳米异质节等纳米结构合成中的具体方法及应用,并展望了其发展前景.     

模板法合成分叉Ni纳米线阵列及其磁性能

首先采用三次阳极氧化法制备了具有Y形孔道的氧化铝(AAO)模板,然后采用直流电化学沉积法,在模板内成功合成了分叉Ni纳米线的有序阵列.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对所合成样品的晶体结构和形貌进行了表征测试.结果表明,制备的Ni纳米线分布均匀、排列有序,呈Y形分又结构,其...     

L-半胱氨酸法制备银纳米线材料及其电化学性能

为了加快银纳米线材料的合成速度,在制备过程中利用L-半胱氨酸作为反应过程中形成Ag2S胶体的硫源,将合成银纳米线的前驱体硝酸银的浓度提高到了1 mol/L,利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X射线衍射仪对制备的银纳米线材料进行了表征,利用循环伏安法和电化学阻抗法对银纳米线修饰的铂电极电化学性能进行了研究.结果表明:L-半胱氨酸的引入可以明显降低体系中硝酸的浓度,提高银纳米线的产量,使得银纳米线的合成时间降低到20 min;电化学实验结果表明:制备的银纳米线材料具备良好的电子传递能力、较大的比表面积和较强的电化学性能,利用这些特点有望改善无酶传感器的性能.     

一维纳米稀土氧化物的研究进展

概述了国内外在一维纳米稀土氧化物(纳米管、纳米棒、纳米线)方面的研究现状,介绍了硬模板法、软模板法、水热法、超声法和微乳液法制备一维纳米稀土氧化物的工艺方法和机理,并对这些方法的优缺点进行了比较,指出了当前一维纳米稀土氧化物合成中存在的不足,并对一维稀土纳米氧化物的应用作了展望.     

聚合物一维纳米材料的研究进展

综述了聚合物纳米线和纳米管等聚合物一维纳米材料的制备方法、机理和应用。聚合物纳米线的制备方法主要有静电纺丝法、多孔模板法、自组装法三种。聚合物纳米管的制备包括多孔模板法、线模板法、自组装法等方法。本文评述了其研究现状,展望了其可能的应用前景。     

纳米晶复合有序多孔材料的研究进展

有序多孔材料具有大小均匀、排列有序的孔道,并且其孔径在一定范围内连续可调,因此以有序多孔材料为模板,合成均匀负载的纳米粒子和有序阵列的纳米线得到广泛研究.综述了以氧化铝、氧化硅、氧化钛有序多孔材料为模板,合成纳米颗粒和纳米线阵列的方法.     

聚吡咯纳米线（管）的制备及应用前景

聚吡咯纳米线（管）是一种极具应用潜力的新材料。本文综述了聚吡咯纳米线（管）的制备方法,包括模板法、非模板法、自组装法的研究现状,展望了聚吡咯纳米线（管）在电极、光电化学、医学等领域的应用前景。     

Ag掺杂ZnO纳米线酒敏性能的研究

利用浸渍法将ZnO纳米线浸渍于AgNO3溶液中制备了Ag 掺杂的ZnO纳米线.借助X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)对纳米线的晶体结构和形貌进行了表征.结果表明纳米线既含面心立方结构的Ag又含有六方纤锌矿结构的ZnO.三维网络结构的ZnO纳米线被一层致密的Ag颗粒包裹并在其表面形成了大量的具有高比表面剂的孔洞结构.将纯的和Ag掺杂的ZnO 纳米线都作为酒敏传感材料,在酒精浓度为0.001%,工作温度为150～400℃的范围内测试了它们的气敏特性,结果显示,Ag掺杂的ZnO纳米线的酒精灵敏度比纯ZnO纳米线提高了14.在工作温度为350℃的条件下测试了它们的响应-恢复时间.气敏元件的酒敏特性主要归结于表面吸附效应.     

纳米线研究进展(1)：制备与生长机制

本文从纳米线的制备与生长机制、表征、性能和应用几方面综述了纳米线的最新研究进展。着重阐述了激光烧蚀法和模板法制备纳米线的过程及各自的生长机制。对纳米线的电、光、磁性能 ,及其潜在的应用前景作了介绍。