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ＯＰＴＩＣＡＬＦＩＢＥＲ－ＭＯＢＩＬＥＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮ￥ＦＥＮＧＸｉ－Ｙｕ；ＳＵＮＴｉｅ－Ｃｈｅｎｇ（ＤａｌｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＤａｌｉａｎ１１６０２３）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｔｅｃｈｎｉｑｕｅｏｆｍｏｂｉｌ... 相似文献
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ＡＮｅｗＩｍａｇｅＣｏｄｉｎｇＡｌｇｏｒｉｔｈｍＢａｓｅｄｏｎＳｅｌｆ－ＯｒｇａｎｉｚｉｎｇＮｅｕｒａｌＮｅｔｗｏｒｋＬｉＨｏｎｇｓｏｎｇＡＮＤＱｕａｎＺｉｙｉ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＲａｄｉｏＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＢｅｉｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉ... 相似文献
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本文研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ／ＳｉＣｗ）的力学性能，同Ａ（Ａｌ２Ｏ３），ＡＰ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ），ＡＷ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ）和ＪＸ－１（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ）材料相比，ＪＸ－２－Ｉ具有较高的抗弯强度（σｂｂ）和断裂韧性ＫＩＣ，研究结果表明，在ＪＸ－２－Ｉ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强原协同作用，陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的主要增韧机理是界面解离，裂纹偏转和晶须拔 相似文献
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XIONG Zhibin WANG Chang''''an XU Zhongyang ZOU Xuemei ZHAO Bofang DAI Yongbing WAN Xinheng 《半导体光子学与技术》1997,(4)
ＤｅｐｅｎｄｅｎｃｅｏｆＴｈｒｅｓｈｏｌｄＶｏｌｔａｇｅｏｆａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴｏｎａ－ＳｉＮｘ：ＨＦｉｌｍ①ＸＩＯＮＧＺｈｉｂｉｎ，ＷＡＮＧＣｈａｎｇ’ａｎ，ＸＵＺｈｏｎｇｙａｎｇ，ＺＯＵＸｕｅｍｅｉ，ＺＨＡＯＢｏｆａｎｇ，ＤＡＩＹｏｎｇｂｉｎｇ，Ｗ... 相似文献
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《电信工程技术与标准化》2000,(3)
新世纪论坛日前,ＮＯＲＤＸ／ＣＤＴ公司在京举办布线新世纪论坛,论坛特邀了国际布线标准委员会主席ＰＡＵＬＫＩＳＨ先生为与会者带来国际布线标准最新动态,并就网络布线发展的未来等热点问题与国内信息产业部和建设部的多位国际知名专家展开热烈的讨论。会上,ＰａｕｌＫｉｓｈ还着重介绍ＴＩＢＤＮ超六类产品４８８ＬＸ系列及智能家居ＲＵＮ产品系列。这次论坛的主要发言人之一的Ｐａｕｌ Ｋｉｓｈ先生是电信工业协会（ＴＩＡ／ＥＩＡ）ＴＲ－４１．８分会的主席,兼任ＮＯＲＤＸ／ＣＤＴ公司的高级产品经理,在他的领导下,ＴＩＡ颁… 相似文献
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雷卡１Ｘ－ＡＩＭＥ（Ａｉｒ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｍｏｎｉｔｏｒ／Ｅｍｕｌａ－ｔｏｒ）系统是专门为手机的ｃｄｍａＯｎｅ及 ｃｄｍａ２０００ １Ｘ信令测试而设计的，广泛应用于新产品开发、兼容测试、评估和服务支持，是手机生产研发时必不可少的测试工具。 目前，１Ｘ－ＡＩＭＥ系统可支持ｃｄｍａＯｎｅ＋ｃｄｍａ２０００的标淮，包括：ＩＳ９５Ａ、ＩＳ９５Ｂ、Ｊ－ＳＴＤ－００８、ＡＲＩＢ－Ｔ５３、ＫＯＲＥＡＮ ８００ＭＨＺ、ＫＯＲＥＡＮ ＰＣＳ、ＩＳ－２０００ １Ｘ等，并且兼容ＣＤＧ２２、ＣＤＧ５３及ＣＤＧ５７的第二阶… 相似文献
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在音频信号降比特技术中，实现数字音频信号的记录和重放的关键技术是码率的压缩。本文介绍音频盒式磁带的精密自适应子频带编码技术和用于数字音频盒式磁带录音机的三片ＣＭＯＳＬＳＩ（ＭＮ６６７０１，ＭＮ６６７０２，ＭＮ６６７０３）和二片ＢｉＣＭＯＳＩＣ（ＡＮ７６３０ＳＢ，ＡＮ７６３１ＦＨＰ）。 相似文献
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ＡｌｇｏｒｉｔｈｍｏｆＡｄａｐｔｉｖｅＢｉｔＡｌｏｃａｔｉｏｎＷａｖｅｌｅｔＴｒａｎｓｆｏｒｍＡｕｄｉｏＣｏｄｉｎｇＭａＨｏｎｇｆｅｉＦａｎＣｈａｎｇｘｉｎＳｏｎｇＧｕｏｘｉａｎｇ（ＸｉｄｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｘｉ’ａｎ７１... 相似文献
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本文利用ＴＥＭ研究了新型复相陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的界面结构，结果表明，在ＪＸ－２－Ｉ中Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ（氧化铝／碳化硅晶须）界面和Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ（碳化硅颗粒）界面结合良好，形成了具有较高强度的微观结构，发现在ＳｉＣｗ，ＳｉＣｐ和Ａｌ２Ｏ３晶粒上均有位错产生，在ＳｉＣｐ和Ａｌ２Ｏ３上有孪晶产生，分析表明，位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能，提高材料的断裂韧性，改善ＪＸ－２－Ｉ材料的整体 相似文献
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本文研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ／ＳｉＣｗ）的力学性能，同Ａ（Ａｌ＿２Ｏ＿３）、ＡＰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ）、ＡＷ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）和Ｊｘ－１（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）材料相比，ＪＸ－２－Ⅰ具有较高的抗弯强度（σ＿（ｂｂ））和断裂韧性Ｋ＿（Ｉｃ）；研究结果表明，在ＪＸ－２－Ⅰ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强的协同作用，陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ的主要增韧机理是界面解离、裂纹偏转和晶须拔出。 相似文献
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对用户交换机进行详细的话务统计和分析可以帮助提高用户交换机的维护质量 ,提高全网接通率。下面结合实际对Ｓ１２用户交换机统计的方法进行比较。１一般统计（ＧＥＮＥＲＡＬＳＴＡＴＩＣＴＩＳ）采用一般统计法对Ｓ１２用户交换机进行统计 ,可分为两种方法。（１）对非商业性用户交换机群的一般统计（ＣＯＵＮＴＥＲＳＰＥＲＮＯＮＢＵＳＩＮＥＳＳＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮＧＲＯＵＰＰＡＢＸ）这种方法使用的计数器有 :１２２６:ＴＥＲＭＡＴＴ-ＰＢＸＧ１２２８:ＴＥＲＭＣＯＮＧ -ＰＢＸＧ１２４０:ＴＥＲＭ -ＯＣＣ -ＰＢＸＧ１２… 相似文献
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利用薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ工艺成功地研制了沟道长度为１．０μｍ的薄膜抗辐照ＳＩＭＯＸＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ反相器和环振电路，Ｎ和ＰＭＯＳＦＥＴ在辐照剂量分别为３ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）和７ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）时的阈值电压漂移均小于１Ｖ，１９级ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ环振经过５ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）剂量的电离辐照后仍能正常工作，其门延迟时间由辐照前的２３７ｐｓ变为３２８ｐｓ。 相似文献
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介绍了国产操作系统ＣＯＳＩＸＶ１．２和ＣＯＳＩＸＶ．２０国产系统软件平台ＣＯＳＡＶ１．０。ＣＯＳＡＶ１．０由国产操作系统ＣＯＳＩＸＶ１．２，国产网络系统ＣＯＮＥＴＶ１．０，国产数据库管理系统ＣＯＢＡＳＥＶ１．０以及国产编程软件Ｃ、Ｃ＋＋、ＦＧｏｒｔｒａｎ９０等构成。ＣＯＳＩＸＶ１．２遵循国际法标准ＰＯＳＩＸ．１、工业标准ＸＰＧ３，与主流ＵＮＩＸ系统ＳＶＲ４二进制兼容。ＣＯＳＩＸＶ２．０是基于微内核 相似文献
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用薄膜ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）、厚膜ＢＥＳＯＩ（ｆｆｅｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）和体硅材料制备了ＣＭＯＳ倒相器电路，并用６０Ｃｏγ射线进行了总剂量辐照试验。在不同偏置条件下，经不同剂量辐照后，分别测量了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线，分析了引起ＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移的两种因素（辐照诱生氧化层电荷和新生界面态电荷）。对ＮＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ，由于寄生背沟ＭＯＳ结构的影响，经辐照后背沟漏电很快增大，经３００Ｇｙ（Ｓｉ）辐照后器件已失效。而厚膜ＢＥＳＯＩ器件由于顶层硅膜较厚，基本上没有背沟效应，其辐照特性优于体硅器件。最后讨论了提高薄膜ＳＩＭＯＸ器件抗辐照性能的几种措施。 相似文献
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ＡｎａｌｙｔｉｃａｌＭｏｄｅｌｆｏｒＣａｌｃｕｌａｔｉｎｇＴｒａｐｐｅｄＣｈａｒｇｅｉｎａ－Ｓｉ：ＨａｎｄＩｔｓＲｅｌａｔｉｖｅＥｒｒｏｒＡｎａｌｙｓｉｓＷＡＮＸｉｎｈｅｎｇ；ＸＵＺｈｏｎｇｙａｎｇ；ＺＯＵＸｕｅｃｈｅｎｇ（ＨｕａｎｚｈｏｎｇＵｎｉｖ... 相似文献