n沟增强型InP MISFET研究

在掺Fe的<100>晶向半绝缘 InP上,用 TEOS为源的 PECVD SiO_2作为栅氧化层,以Si~+注入 S.I.InP形成源、漏区,研制成基于 InP/SiO_2界面的n沟增强型 InP MISFET.其饱和区跨导 g_m为6.4mS/mm,沟道有效电子迁移率 μ_(eff)为1400cm~2/V·S,并对 InP MISFET特性及漏电流慢漂移行为作了讨论与分析.     

InP上等离子增强化学汽相淀积SiO_2膜及其MIS结构C-V特性研究

本文研究了利用正硅酸乙酯在InP上等离子增强化学汽相淀积SiO_2膜的方法.研究了InP表面处理对SiO_2-InP界面的影响.测量分析了SiO_2膜的性质,InP-MIS结构的C-V特性及其滞后、频散效应.结果指出,用这种方法可获得性能较好的SiO_2膜和SiO_2-InP界面.     

PECVD SiO_2-InP MIS结构研究

本文报导用正硅酸乙酯等离子增强化学汽相淀积(PECVD)技术在InP上淀积SiO_2膜的方法,用C—V,DLTS,AES,XPS等手段测量分析了PECVD SiO_2-InP MIS结构的电学性质和界面化学结构,研究了淀积前InP表面的不同处理对界面特性的影响。     

SOI结构激光再结晶薄层中应力的喇曼光谱研究

在电阻率为6～8Ω·cm的N型<100>硅衬底上热生长1μm厚的SiO_2层,用LPCVD方法淀积0.5μm厚的多晶硅层,然后用束斑直径为40μm、功率为5W的Ar~+激光束对样品再结晶,激光扫描速率为5cm/s,衬底温度为550℃。在上述条件下,SOI薄层发生了熔化并再结晶的过程。在这一过程中,由于SiO_2绝缘层的热膨胀系数比硅小很多,因此SOI薄     

具有反应离子蚀刻腔面的连续工作1.5微米InGaAsP InP掩埋异质结激光器

本文介绍了具有反应离子蚀刻腔面的1.5μm—波导 BH 激光二极管(LD)。此外,还介绍了 TiO_2掩模和 Cl_2—Ar 混合气体的应用。蚀刻特性:反应离子蚀刻所采用的装置是常规的平行板溅射蚀刻系统。Cl_2和 Ar 的混合物用做蚀刻气体。采用射频溅射技术形成 TiO_2和 SiO_2薄膜。InP 和 TiO_2的蚀刻率比约为10,而 InP 和 SiO_2蚀刻率比约为4。因为蚀刻率比值较高,TiO_2掩模可用以制造 LD.     

注硅InP的包封与无包封热退火

半绝缘InP单晶离子注入硅后,进行了包封与无包封热退火研究。结果表明:用SiO_2膜作包封层的注Si~+InP样品在热退火温度达580℃时开始龟裂,而退火温度高达750℃才能开始激活。用磷硅玻璃作盖片的无包封热退火,在720～750℃范围样品表面光亮,激活率为30～95％,霍耳迁移率最高可达1900cm~2/V·s,薄层电阻最低可达203Ω/□。实验中采用高纯氩气作为保护气体,比传统使用的氢气安全、简便。     

3～5μmPVInSb测器器的PSG钝化技术

分析了SiO_2+PSG+SiO_2三层钝化增透膜的生长工艺,对实验结果进行了热力学理论探讨;给出了高频电容-电压和光学透过特性曲线,并与SiO_2膜做了比较;对系统的限制因素进行了细致的研究.     

离子注入对LPCVD淀积非晶硅固相外延的影响

应用高剂量(5×10~(15)/cm~2)的Si~+、P~+离子注入,成功地实现了LPCVD淀积在硅衬底上的非晶硅薄膜的固相外延。本文还研究了Si~+、P~+注入对低压气相淀积非晶硅薄膜固相外延的影响。实验发现,~(31)P~+能加速固相外延的速率,改善再结晶膜的质量,并能抑制SiO_2衬底上的成核,从而为固相生长绝缘衬底上的单晶薄膜(SOI)创造了条件。     

日电研制X波段自对准栅增强型InP MISFET

<正> 日本电气公司研制成功一种可工作在X波段的自对准栅增强型InP MISFET,并在七月份召开的电子通信学会电子器件研究会上发表了其详细结果。器件的制作过程如下。在掺铁的半绝缘InP衬底上生成n~+外延层之后,再生长作掩模用的SiO_2层(用作腐蚀沟道掩模,并自对准地形成金属栅,接着腐蚀除去n~+层。其次,形成Ni/Au-Ge源和漏欧姆电极以及CVDSiO_2栅绝缘膜,在上面蒸发栅电极金属铝,并腐蚀除去栅以外部分的铝,最后开源和漏的接触窗口,作Au/Pt/Ti键合点。器件的沟长约为0.8μm,     

InP／SiO2纳米颗粒膜的非线性光学性质

采用射频磁控共溅射方法在石英玻璃和抛光单晶硅片上制备了InP/SiO2纳米复合薄膜,并在磷气氛保护下对薄膜进行了高温(520℃)退火处理,以消除复合薄膜中残存的In和In2O3,得到了纯净的InP/SiO2纳米颗粒膜样品.X射线光电子能谱和卢瑟福背散射实验结果表明薄膜中InP和SiO2的化学组分基本上保持理想化学计量配比;X射线衍射和激光拉曼光谱实验结果都证实了薄膜中InP纳米晶粒的存在;线性吸收光谱实验观察到了室温下纳米颗粒膜光学吸收边明显的蓝移现象.采用单光束脉冲激光Z扫描方法测量了InP/SiO2纳米颗粒膜的非线性光学性质.测量结果表明,我们所制备的InP/SiO2纳米颗粒膜的三阶光学非线性折射率系数达10-8 cm2/W量级,比InP晶体块材的相应值大4个数量级.(OB3)     

Nd:YAG调Q激光脉冲抽运的Cr4+:Mg2SiO4激光器的研究

采用Nd:YAG调Q激光器输出的1.06 μm光脉冲抽运Cr4+:Mg2SiO4晶体，实现Cr4+:Mg2SiO4激光器的增益开关运转。从理论和实验上分析了抽运光采用不同焦距的透镜聚焦和Cr4+:Mg2SiO4激光器采用不同腔长时，抽运光和振荡激光的模式匹配，以及模式匹配与激光器光-光转换效率之间的关系。在最佳的实验条件下，得到中心波长约为1.22 μm，能量和脉宽分别为10 mJ和8.2 ns的激光脉冲，其光－光转换效率达到20％。     

新型的倍频晶体β-BaB_2O_4在锁模Ar~+激光脉冲自相关测量中的应用

β-BaB_2O_4(偏硼酸钡)是中国首先发现与生长的新型倍频晶体,它具有倍频系数高、不易潮解、不易碎裂等优点。我们的计算与实验结果表明,在室温下,偏硼酸钡只需用角度调谐便能实现对Ar~+激光器所有谱线的相位匹配,因此将这种晶体用于Ar~+激光脉冲的自相关测量中一定能克服SHG法和互相关法的弱点。     

Complex-Coupled DFB Laser Using a Buried SiO2 Grating

In this letter, we report a distributed feedback (DFB) laser having a dielectric grating formed by SiO and InP to explore both the large refractive index difference and the partial gain coupling. Epitaxy lateral overgrowth by metal-organic chemical vapor deposition is conducted to grow the top p-type InP waveguide layer in the dielectric grating template. An index coupling coefficient of about 250 cm is estimated on the laser vertical waveguide structure. The insulating nature of the dielectric grating also partially blocks the injection current flow and modulates the optical gain of the active quantum-well region underneath it. A prototype DFB laser was fabricated and showed a stable single-mode operation with a sidemode suppression ratio larger than 47 dB measured at room temperature and continuous-wave operation. The technology developed can also be used for other applications that require high efficiency grating structures.     

Ar~+激光对枯草芽孢杆菌作用的频率依赖性

Ar~+激光在生物学、医学方面有广泛的应用。因为Ar~+激光一般有9条不同频率的输出谱线,所以需要分别研究这9条谱线对生物的刺激作用。我们采用Ar~+激光的9条输出谱线(454.5～514.5nm)分别照射枯草芽孢杆菌,选择最佳照射剂量为3×10~(-2)J/cm~2,得出了Ar~+激光对枯草芽孢杆菌作用的频率依赖性。实验结果表明,随着Ar~+激光波长的增大(从蓝光区到绿光区),其对枯草芽孢杆菌的促进繁殖作用逐渐减小,以至产生抑制繁殖的作用。这一结果对Ar~+激光在生物学、医学方面的应用有重要的指导意义。     

无杂质空穴扩散法研制可调InGaAs/InP激光器

用无杂质空穴扩散（ Ｉ Ｆ Ｖ Ｄ） 法研制了延伸光腔分立电极 Ｉｎ Ｇａ Ａｓ／ Ｉｎ Ｐ 半导体激光器。激光器材料的光发光谱说明由 Ｉ Ｆ Ｖ Ｄ 法可以造成量子阱材料带隙蓝移（３０ ～４０）ｎ ｍ 。材料带隙蓝移量与 Ｉ Ｆ Ｖ Ｄ 处理中的退火温度和退火时间有关,表面 Ｓｉ Ｏ２ 厚度亦有一定影响。延伸光腔波导损失较低,由此方法制作的分立电极激光器的阈值电流随延伸光腔部分所加的调制电流而变化,变化的阈值电流可从４０ ｍ Ａ 降至３０ ｍ Ａ。     

Electrical properties of low-temperature pyrolytic SiO2on InP

The first application of a new technique (SiH₄+O₂ at 83-330°C and 2-12 torr) for deposition of SiO₂ on InP is reported. SiO₂ deposited at 150-330°C has breakdown strength of 8-10 MV/cm, resistivity >10¹⁵ Ωcm, and refractive index of 1.45-1.46 comparable to thermal SiO ₂ grown at 1100°C. C/V measurements on Al/SiO₂/InP MIS structures suggest that very low temperature oxides (90-100°C) have the best interfacial properties     

波长1.05微米和1.32微米的连续La_(0.1)Nd_(0.9)P_5O_(14)激光器

采用Ar~+离子激光器作为泵浦源实现了NdPP晶体的1.051微米和1.32微米的室温连续运转;采用准半共心腔获得低阈值运转.最低阈值吸收功率1毫瓦,最大输出功率达2毫瓦.由激光特性研究得到的受激发射截面σ_(1.051μ)=1.1×10~(19)厘米~2,σ_(1.32μ)=2.2×10~(-20)厘米~2.还研究了激光弛豫振荡现象,给出弛豫振荡频率与泵浦功率超阈值比的关系曲线;计算了不同输出功率时阈值泵浦功率密度与晶体长度的关系曲线.     

Rapid isothermal annealing of high- and low-energy ion-implantedInP and In0.53Ga0.47As

Rapid isothermal annealing (RIA) was performed on 0.5-16-MeV Si ⁺, 1-MeV Be⁺, and 150-keV Ge⁺ implanted InP:Fe and 380-keV Fe⁺ implanted InGaAs. Annealings were performed in the temperature range 800-925°C using an InP proximity wafer in addition to the Si₃N₄ dielectric cap. Dopant activations close to 100% were obtained for 3×10¹⁴ cm^-2 Si⁺ and 2×10¹⁴ cm^-2 Be⁺ implants in InP:Fe. For the elevated temperature (200°C) 1×10¹⁴ cm^-2 Ge⁺ implant, a maximum of 50% activation was obtained. No redistribution of dopant was observed for Si and Ge implants due to annealing. However, redistribution of dopant was seen for Be and Fe implants due to annealing. Phosphorous coimplantation has helped to eliminate the Be in-diffusion problem in InP, but did not help to reduce Fe in-diffusion and redistribution in InGaAs. Using an RIA cycle with low temperature and short duration is the only solution to minimize Fe redistribution in InGaAs     

单脉冲飞秒激光作用下晶态GeSb2Te4相变薄膜的非晶化过程

利用飞秒激光的抽运探测技术，研究了单脉冲飞秒激光作用下GeSb2Te4相变薄膜的非晶化过程，测量了相变薄膜的时间分辨光学显微图。所研究的系统为多层薄膜结构100 nm ZnS-SiO2/ 35 nm GeSb2Te4 /120 nm ZnS-SiO2/0.6 mm ，飞秒激光的脉冲宽度为108 fs，波长为800 nm。实验发现相变薄膜从晶态至非晶态的相转变过程可以在 2.6 ns内完成。讨论了相变薄膜的厚度对系统的热传递、快速凝固过程的影响，分析了相关热过程和热效应，解释了抽运探测实验数据，并探讨了单脉冲飞秒激光诱导相变薄膜非晶化的机制。     

17.2-percent efficient (AMO) p+-i-n InP homojunction solar cells

p⁺-i-n junction structure InP solar cells have been fabricated on n-type substrates by the LPE method. The conversion efficiencies for the active area of this cell are as high as 21.5 percent at AM1.5 and 17.5 percent at AMO, respectively. These are the highest ever reported for InP. The radiation resistance to 1-MeV electrons can be improved by optimizing i-layer thickness to 1 µm. However, the radiation-resistance of the p⁺-i-n cell is not so good as the n⁺-p structure cell, because of the increase in the leakage current due to the recombination center introduced in the i-layer with irradiation.