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G1作为微型4/3系统相机中的佼佼者而大获成功。松下公司在其基础上,又增加了触摸屏等先进的技术,推出了Lumix G2数码相机。在接下来的几页里,我们将带你零距离接触这款4/3的巅峰之作。 相似文献
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你平时是把器材放在抽屉里?柜子里?在大雨连绵的日子里,除了担心汽车被淹,更需要担心的其实是器材受潮!思锐HS110防盗防潮柜主打的防盗和防潮功能两全其美,是存放摄影器材和精密仪器的不二之选。这是一个相机的保险柜家中、公司里的贵重物品都要锁在保险柜里,这是最有效的防止器材丢失的办法。可以试想,摄影师在影棚、工作室内,往往会将器材随手摆放,在人多混杂的时候就会出现器材丢失的 相似文献
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为了制备具有纳米多孔结构的磁性复合微球,采用正硅酸四乙酯(TEOS)和金属氯盐分别作为SiO2和铁氧体的前驱体,通过溶胶凝胶法制备将Fe3O4纳米颗粒分散于SiO2基体中的Fe3O4/SiO2磁性纳米复合微球,并用超临界干燥法对其进行干燥。利用X线衍射(XRD)、红外光谱(IR)、透射电镜(TEM)和振动试样磁场计(VSM)等分析测试手段对合成的材料进行性能表征。结果表明:复合粒子包覆完好、性能优良、分散性良好,制备颗粒的粒径为30 nm,比饱和磁化强度为84.09 A.m2/kg。 相似文献
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利用一步水热法成功制备了In2S3/CdIn2S4异质结微球催化剂,通过降解甲基橙(MO)、酸性橙Ⅱ(AOⅡ) 和罗丹明B(RhB)来评价所制备催化剂的活性。实验结果表明,In2S3/CdIn2S4异质结微球对MO、AOⅡ和RhB的光催化降解率分别达到了87%、75%和96%,明显高于催化剂In2S3和CdIn2S4。瞬态光电流和阻抗测试结果表明,In2S3/CdIn2S4异质结微球受光激发产生的电子空穴对能快速得到分离。捕获主要活性物种实验表明,该反应体系中主要是超氧自由基和空穴起关键性作用。In2S3/CdIn2S4异质结微球催化剂重复使用四次,其催化能力依然保持较高水平。In2S3/CdIn2S4异质结微球活性的增强归因于异质结的形成有助于电子的转移,从而降低了电子空穴对的复合概率。并且合适的能带结构有助于产生大量的光生电子,电子与活性氧的结合最终引起氧化能力的增强。 相似文献
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用水热合成法,以ZSM-5分子筛(Si/Al=150)为壳,对γ-Al2O3表面进行修饰,构筑γ-Al2O3@ZSM-5核壳载体;通过高温浸渍负载法,将NaAlCl4负载在γ-Al2O3@ZSM-5核壳载体表面。研究NaAlCl4负载比例、AlCl3溶液的浸渍时间及催化剂的用量对一甲基二氯硅烷、三甲基二氯硅烷歧化制备二甲基二氯硅烷反应影响。结果表明,在反应温度200℃时,复盐负载比例为8%,AlCl3浸渍时间3 h,催化剂用量0.6 g时,催化性能最好,二甲基二氯硅烷的产率为68.38%。 相似文献
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研究了V2O5、NiO、Fe2O3和钒渣对Al2O3和MgAl2O4尖晶石的腐蚀。把Al2O3和MgAl2O4试样分别同上述氧化物一起从室温加热到1 400℃、1 450℃和1 500℃,加热速率为10℃.min-1。用XRD和SEM对每个系统的腐蚀机理进行了分析。结果显示,所研究的氧化物对Al2O3的影响弱于对MgAl2O4的影响。氧化铝被NiO侵蚀形成NiAl2O4尖晶石,MgAl2O4尖晶石被V2O5侵蚀形成MgV2O6。本文还观察到钒渣中的成分Fe2O3、Mg、Ni、V和Fe分散到了Al2O3结构中。另一方面,Fe2O3、Ca、S、Si、Na、Mg、V和Fe分散到了MgAl2O4结构中。最后,把得到的结果与FactSage软件的预测结果进行了对比。 相似文献