低温生长硅基碳化硅薄膜研究

在850℃的低温下，在Si（100）衬底上生长了3C－SiC薄膜，气源为SiH4和C2H4混合气体。用X射线衍射、X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收谱分析了薄膜的晶体结构、组分以及键能随深度的变化。研究表明薄膜为富硅的3C－SiC结晶层，其中的Si/C比约为1.2。     

美科学家在硅纳米晶体中发现MEG效应

据报道，美国的科学家们在硅纳米晶体中发现了一种叫做多重激子产生（MEG）的重要效应。MEG效应会导致每吸收一个光子形成多于一个的电子。有关研究成果发表在近期的《Nano Letters Journal》在线版上。[第一段]     

在泡沫碳化硅衬底上生长的硅镜

美国Schafer公司开发出一个化学气相沉积工艺，利用该工艺可在泡沫碳化硅衬底上生长硅镜。这项课题是由美国导弹防御局资助的。其核心以连续的、强化的硅外壳包裹，从而提高了结构强度和热学性能，与此同时成本得以降低还减轻了重量。老工艺为了减轻重量，采用将支撑结构材料除去的办法。     

热丝法低温生长硅上单晶碳化硅薄膜

提出了热丝化学气相淀积法，在低温（６００－７５０℃）下成功地生长出硅上单晶碳化硅薄膜，Ｘ光衍射谱、喇曼光谱证实了外延膜的单晶结构，光致发光测量证明外延ＳｉＣ材料室温下可稳定发射可见光。     

低温生长硅基碳化硅薄膜研究

在 8 5 0℃的低温下 ,在Si( 10 0 )衬底上生长了 3C SiC薄膜 ,气源为SiH4和C2 H4混合气体。用X射线衍射、X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收谱分析了薄膜的晶体结构、组分以及键能随深度的变化。研究表明薄膜为富硅的 3C SiC结晶层 ,其中的Si/C比约为 1 2。     

移动磁场用于从熔体中生长晶体：从基础研究到工业生产

从熔体中生长大尺寸晶体的主要问题之一是存在于熔体中的对流扰动，甚至是湍流，这种湍流引起生长速率的剧烈起伏而造成组分不均匀、生长界面上的错取向成核，甚至造成孪生（如像在Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体中那样）。为此，就利用了稳定磁场或可变磁场来阻尼熔体中的湍流。     

硅纳米晶体在太阳电池中的应用

硅纳米晶体的电子和光学特性使其在改善太阳电池的性能方面扮演着重要角色.目前,硅纳米晶体在太阳电池中应用的主要方式有利用纯硅纳米晶体薄膜制作太阳电池、硅纳米晶体与无机(氧化硅、氮化硅或碳化硅等)或有机(P3HT)薄膜基质结合构成复合结构太阳电池、硅纳米晶体与碳纳米结构(富勒烯或单壁碳纳米管)结合形成复合结构、硅纳米晶体与传统的染料敏化太阳电池结合、利用硅纳米晶体的减反射或下转换作用将硅纳米晶体与体硅太阳电池结合.硅纳米晶体也有可能在新概念太阳电池如多激子太阳电池、中间带太阳电池和热载流子太阳电池中得到应用.     

稀土对铝硅共晶熔体的物性及凝固组织的影响

通过测量不同含Ｃｅ，Ｌａ量的Ａｌ－Ｓｉ共晶合金熔体的密度，粘度和电阻率，考察了熔体的物性变化与凝固组织之间的相关关系，结果表明，物性变化的转折点与共晶Ｓｉ形貌的改变具有对应的关系。     

在泡沫碳化硅载体上原位生长silicalite-1型沸石晶体

以多晶硅颗粒为硅源, 在泡沫碳化硅载体上原位水热合成silicalite--1型沸石晶体。研究了硅颗粒加入量、NaOH浓度以及合成时间等因素对沸石晶体的负载量、晶体尺寸和沸石晶体/泡沫碳化硅复合材料比表面积的影响。结果表明,
以多晶硅颗粒为硅源控制硅酸根的释放速度, 使沸石晶体在碳化硅载体表面异质界面形核, 从而实现沸石晶体在泡沫碳化硅载体表面的连续生长; 当多晶硅量过少时, 溶液中的硅酸根浓度过低, 不能在载体表面形成连续生长的沸石层;
而当多晶硅量过大时, 溶液中硅的浓度过高, 部分沸石晶体在溶液当中形核, 使沸石晶体在载体表面的负载量下降; 提高溶液中NaOH的浓度, 加快硅的溶解, 使溶液中硅的饱和浓度升高, 沸石晶体的形核率也随之升高, 使沸石晶体的负载量增加。在最优条件下制备的silicalite--1/泡沫碳化硅复合材料其沸石晶体的比表面积为81.28 m²g^-1。     

SiC单晶生长

本文综述了国际上SiC单晶生长的发展历史及现状。从其结构特点生长方法的选择，生长过程中的问题以及存在的晶体缺陷等方面进行了介绍。     

大尺寸6H-SiC半导体单晶材料的生长

报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出φ45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道密度约为10³cm^-2,位错密度约为10⁴～10⁵cm^-2.测试了SiC单晶的半导体特性,结果表明:晶体为n型,电阻率约300Ω·cm,迁移率90cm2V^-1S^-1,载流子浓度在10¹⁴cm^-3量级.     

SiC单晶的性质、生长及应用

本文综述了 Ｓｉ Ｃ 单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等详细地介绍了大尺寸 Ｓｉ Ｃ 单晶的 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备和该过程中的关键要素, 分析了 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备的 Ｓｉ Ｃ单晶中所存在的缺陷及其成因     

碳多孔体中碳化硅晶须的原位生长

根据碳化硅晶须生长的特定驱动力要求，通过实验和建立气相传输模型研究了碳多孔体中碳化硅晶须原位生长的条件。模型和实验研究均表明，温度和多孔体表面气相组成对多孔体内的晶须原位生长起决定作用；体内附加反应的设置可以改变晶须生长所要求的温度和表面气相条件。     

SiC单晶的性质、生长及应用

本文综述了 Ｓｉ Ｃ 单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等详细地介绍了大尺寸 Ｓｉ Ｃ 单晶的 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备和该过程中的关键要素, 分析了 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备的 Ｓｉ Ｃ单晶中所存在的缺陷及其成因     

晶硅切割废料在碳化硅及其复合材料中的应用进展

光伏产业晶硅切割废料的传统回收工艺复杂且高纯硅的分离难度大、回收率低.而将废料提纯后直接制备碳化硅及其复合材料不仅方法简单、有效避开了硅难于分离的问题,且废料利用充分、制品多样化.从利用废料制备碳化硅粉体、碳化硅致密陶瓷、碳化硅多孔陶瓷、碳化硅/氮化硅复合材料、碳化硅基高温红外发射涂料以及碳化硅颗粒增强合金等方面综述了这一方向的研究进展,并基于该领域存在的一些主要问题,对未来的研究提出了几点建议.     

CVD SiC涂层SiC纤维增强SiC复合材料的研究

本文采用CVD技术对KD-1 SiC纤维作涂层处理,再通过聚碳硅烷浸渍裂解法制备单向SiCf/SiC复合材料.研究了不同沉积时间的CVDSiC涂层对SiCf/SiC复合材料性能的影响,同时运用SEM研究了SiC纤维表面SiC涂层的形貌.结果表明:经过5小时CVDSiC涂层SiCf/SiC复合材料具有良好的力学性能和抗氧化性能.     

针尖状SiC纳米线的合成与机理分析

采用热蒸发硅的方法,于1650℃反应不同的时间,在聚丙烯腈(PAN)碳纤维上原位生长碳化硅纳米线。通过X射线衍射,场发射扫描电镜及透射电子显微镜分析和观察,发现制得的产物为β-SiC单晶纳米线,具有明显的针尖状头部,且呈放射状生长在碳纤维上,形成试管刷状阵列。基于在反应不同阶段所得到产物的不同形貌,结合对制备条件和制备原料的分析,提出不同于传统VLS机理的VL’S机理。     

国内外碳化硅反射镜及系统研究进展

对几种常用反射镜材料的物理性能进行了比较,对最有发展前途的反射镜材料--碳化硅的诸多特点进行了归纳,详细介绍了国内外碳化硅反射镜制备、加工方面的研究进展以及碳化硅系统的研究现状,并对今后碳化硅反射镜及系统的发展做了简要评述.