使用ESBT设计逆变电焊机的辅助电源

设计了一个基于射极开关双极型晶体管ESBT和UC3845的电焊杌三相辅助电源.详细说明了基于高压大电流三极管和低压大电流MOSFET管串联形成的新器件ESBT的工作原理;内部MOSFET直接用PWM驱动,内部晶体管用比例基极驱动电路驱动,比例基极驱动电路电流变压器的磁心选取原理和变压器一、二次绕组的设计流程,并给出了相关周边元件参数的选择公式.同时分析了380 V输入和6路输出的反激式电焊机三相辅助电源的设计过程,并探讨了在输出轻负载时次谐波振荡的形成原因以及相关的波形.通过PWM的振荡波形由外部所加的电容引入斜坡补偿,可以有效地抑正电源在高输入电压轻载或空载时产生的次谐波振荡,并给出了加入斜坡补偿后反馈脚的对比波形.     

知识窗

弧焊逆变电源按采用的大功率快速开关电子元件的不同进行分类,有:晶闸管式弧焊逆变器;大功率晶体管逆变电源;MOS 场效应管式弧焊逆变电源;IGBT式弧焊逆变电源(绝缘门极双极性晶体管)。其中,IGBT 是近几年出现的新型功率开关器件,在美国、日本已形成商品化生产,成系列供应。IGBT 集合了 MOS 场效应管和双极性晶体管的优点:①采用电压驱动,输入阻抗高;②开关速度高;③电流密度高,截流容量大(是 MOS 场效应管的5～10倍);④安全工作区域宽,不存在二次击穿。因此更适合作大电流开关电     

高频感应焊接逆变电源PWM和PFM软开关控制

高频感应焊接逆变电源具有体积小、效率高、加热速度快等优点,但是传统设备采用的是整流调压方式,其控制精度低、动态响应速度慢,并且逆变器功率开关管经常工作在硬开关状态,引起较大开关损耗,使效率降低.文中提出一种使用自关断器件绝缘栅极晶体管作为功率开关,采用脉冲宽度调节方式和脉冲频率调节方式混合调功方式的高频感应焊接逆变电源的软开关控制方法,详细分析了电路的控制原理和工作模式,并设计出以锁相环为核心的控制电路.结果表明,这种方法实现了全部开关器件的软开关控制,具有功率调节范围宽,软开关调整范围广的优点.     

弧焊逆变器的电子开关器件应用现状及趋势

弧焊逆变器是当前焊接电源设备发展的主流方向,而电子开关器件则是其核心之一。介绍了弧焊逆变器的基本工作原理,通过对晶闸管、晶体管、MOSFETI、GBT等传统的电子开关器件在弧焊逆变器中的应用现状分析,指出电子开关器件向大功率、模块化、高频化、全控化和多功能化的发展趋势。晶闸管、晶体管式逆变弧焊器将完全被IGBT式所代替,高频、中小容量的MOSFET式逆变器仍有一定市场,集成门极换向型晶闸管(IGCT)、电子注入增强门极晶体管(IEGT)等新型的电子开关器件将在弧焊逆变器中得到广泛应用。     

一种新型电容储能焊机的电路设计

介绍了一种新型电容储能焊机的电路系统设计.储能电容采用超级电容,由其组成低压的大容量电容器组结构代替传统的高压电容器组;充电电路采用直流斩波充电方式,其中斩波电路采用Buck降压变换器,IGBT为主功率开关器件,SG3525为PWM控制芯片,SKHI22AH4为驱动电路,引入电流负反馈实现恒电流充电;放电电路利用大功率晶闸管的浪涌特性,采取通过晶闸管放电开关直接大电流放电的方法;以80C552单片机为主控芯片的控制系统控制焊机的工作流程,实现焊接自动化.所研制的焊机已经成功应用于生产,焊接效果良好.     

基于CPLD的全桥移相技术在逆变焊机中的应用

作为逆变焊机的重要组成部分,驱动电路发出驱动脉冲去控制功率器件(IGBT),从而调节逆变焊机的输出电压。介绍了基于CPLD的全桥移相零电压开关驱动技术,指出CPLD技术的优点,并详细分析了电路结构、工作原理。测试结果表明,使用CPLD设计IGBT驱动波形,控制方便、灵活。系统控制精度高、可靠性高。     

谐振型电火花加工脉冲电源的研究

分析了限制电火花加工脉冲电源高频化的因素，利用并联谐振软开关技术和高速功率MOSFET器件，设计了一种新型电火花加工脉冲电源，对这种新型电源的工作原理进行了探讨与分析。     

逆变电源的可靠性问题

1可靠性概述整流器原理早在20年代就已被人们所了解，但由于技术和经济上的原因，实际上并未应用于焊接电源。只有当半导体技术发展到相当的程度后才改变了这种状况。70年代末期开发出的逆变弧焊电源，首先采用的是快速晶闸管。其过载能力强，可靠性较高。但由于工作频率低（l—5红七），因而产生了焊接电弧噪声。随着半导体技术的发展，先后采用了功率晶体管．场效应管和IGgr。IGBT是电压驱动型器件，具有高输人阻抗，低输出阻抗，饱和功耗低，频响高等优点，其工作频率很易达到18—25M七；是目前应用的最佳功率开关器件。频响高，能快…     

数字弧焊逆变电源PWM芯片的VHDL语言设计

随着弧焊逆变电源的全数字化和软开关化 ,满足数字化控制系统要求的PWM发生芯片的设计成为技术发展的关键。文中在研究分析脉宽调制芯片工作原理的基础上 ,在Altera公司MAX PLUSII集成开发环境下采用VHDL语言完成了数字PWM芯片的设计描述。软件仿真和功率试验表明设计的数字PWM芯片能够满足DSP快速信号传输和弧焊逆变电源中IGBT驱动的需要 ,具有可靠性高、抗干扰能力强、设计灵活的特点     

固态继电器及其在开关电路中的应用

固态继电器(SSR)是一种由固态电子器件组成的新型的无触点开关器件。它利用分立元件、集成器件及微电子技术实现控制回路(输入)与负载回路(输出)之间的电隔离和信号耦合,达到触无触点、无火花接通和断开电路的目的,具有工作可靠、驱动功率小、开关速度快、使用寿命长、无噪声、抗干扰的特点。且能与CMOS、TTL、HTL等数字电路相兼容,因此,它的应用领域十分广泛,诸如微机的I/O接     

步进电机直接驱动的GMAW焊送丝实验样机研制

采用高性能步进电机及其ＰＷＭ升频升压驱动电路,研制了直接驱动的ＧＭＡＷ焊送丝实验样机,并对其静态和动态性能进行了测试。     

High contrast ratio organic light-emitting devices based on CuPC as electron transport material

In this paper, a high-contrast-ratio organic light-emitting device (OLED) of high brightness is demonstrated. In this device, reflection from the cathode is reduced by inserting a copper-phthalocyanine (CuPC) layer between the emitting layer (EML) and the cathode called the Black Cathode™ technique. The absorption and the destructive interference effect caused by this layer lead to the decrease of the ambient light. With the same injection current density at 6 mA/cm², the contrast ratio of this device increases from 1.9 to 2.5 under 1000 lx illumination, when compared with a conventional device. Although the thickness of this device increases by 54.5%, its driving voltage is nearly the same as that of a conventional device. This result implies the high electron mobility in the inserted CuPC layer.     

Organic light-emitting devices with triphenylphosphine oxide layer

We have developed organic light-emitting devices using triphenylphosphine oxide (Ph₃PO) layers. The operating voltage of device is substantially reduced by using a Ph₃PO layer. For example, the required voltages for a current density of 20 mA/cm² are 3.5 and 9.7 V for the devices with Ph₃PO and Alq₃ layers, respectively. Good electron transporting property of Ph₃PO results in a high luminance of 1000 cd/m² at a low driving voltage of 4.1 V in a device with a structure of ITO/2-TNATA (15 nm)/α-NPD:rubrene (1%, 10 nm)/α-NPD (30 nm)/Ph₃PO (60 nm)/LiF (0.5 nm)/Al.     

Bistability and improved hole injection in organic bistable light-emitting diodes using a quantum dot embedded hole transport layer

Organic bistable light-emitting diodes (OBLED) were developed by using a quantum dot embedded hole transport layer in the organic light-emitting diodes. The driving voltage of the OBLED was decreased due to the good hole transport properties of quantum dot embedded hole transport layer and the OBLED also showed bistability at negative bias due to the switching behavior of the quantum dot based hole transport layer. The origin for the switching behavior of the OBLED was confirmed by fabricating organic bistable device with the quantum dot embedded hole transport layer.     

一种用于IGBT模块的新型半桥驱动电路

介绍了一种高性能、高压集成新型半桥IGBT驱动电路.该驱动模块内部集成两路独立驱动和独特的故障"局域网"保护电路,驱动能力强,体积封装小,易于逆变器的小型化设计,并介绍了该驱动模块在便携式柴油发电机逆变电源中的应用,讨论了设计中应注意的问题.实验结果证明,该驱动电路结构简单,性能优越,能够实现对IGBT的可靠驱动和保护.     

Small molecule host system for solution-processed red phosphorescent OLEDs

We demonstrate high efficiency solution-processed red phosphorescent OLEDs with small molecule mixed host systems. 2-TNATA (4,4′,4″-tris(N-(2-naphthyl)-N-phenyl-amino)triphenylamine):TPBI (2,2′,2″-(1,3,5-phenylene)tris(1-phenyl-1H-benzimidazole)) and m-MTDATA (4,4′,4″-tri-(N-3-methylphenyl-N-phenylamino)triphenylamine):TPBI host systems are reported as good soluble mixed host systems. A doping level of 3% bis(2-phenylquinoline)(acetylacetonate)iridium (Ir(phq)₂acac) dopant in the 2-TNATA:TPBI (1:1 ratio) mixed host produces the best quantum efficiency and driving voltage. This fabricated red phosphorescent OLED has a driving voltage of 5.2 V and maximum current and power efficiencies of 17.8 cd/A and 11.3 lm/W, respectively. Minimal electron or hole trapping in the phosphorescent dopant molecules and prevention of self quenching by the low doping technique appear to be the key reasons for good device performance.     

高空载电压双路防电击交流焊机的研制

本文对研制高空载电压双路防电击交流焊机的必要性作了论述,并对设备的主要技术性能提出了要求。对设计高空载电压交流焊机的主要技术依据——工作电压、电流调节范围、空载电压三个指标进行了分析,并给出了具体数据.对防电击装置的工作原理进行了系统分析。为了确保该装置的安全防护作用,首次提出了双保险的设想,研制成功的双路防电击装置,从理论和实践上,解决了高空载电压交流焊机使用的安全性问题。对研制的设备进行了调试和焊接试验,从提供的技术数据表明,此设备性能良好,运行可靠,达到了原设计的要求。     

IGBT驱动电路研究

在焊接生产过程中,逆变焊接以较高的生产效率和稳定的焊接质量得到了广泛应用.IGBT因其电压控制、输入阻抗高、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快和工作频率高成为逆变焊接的关键器件.其中IGBT驱动电路是IGBT应用中的重要环节,驱动电路设计的优劣直接关系到由IGBT构成的系统长期运行的可靠性.介绍了构成IG...     

Low driving voltage and efficient orange-red phosphorescent organic light-emitting devices based on a benzotriazole iridium complex

Efficient orange-red phosphorescent organic light-emitting devices (PHOLED) with various doping concentrations of benzotriazole–iridium complex [(TBT)₂Ir(acac)] (bis[4-(2H-benzotriazol-2-yl)-N,N-diphenyl-aniline-N¹,C³] iridium acetylacetonate) in 4,4′-N,N′-di(carbazolyl) biphenyl (CBP) host were fabricated. The sterically hindered iridium ligands alleviate self-quenching of the phosphorescence at high doping levels. Under the optimal doping concentration of 20 wt.%, the maximum external quantum efficiency (EQE), luminance and power yield reach 9.06%, 15.81 cd/A and 13.8 lm/W, respectively. Increasing the doping concentration from 5% to 30 wt.% significantly decreases the driving voltage. The driving voltage of 30% (TBT)₂Ir(acac) doped device is only 3.16 V at 1 mA/cm² with power yield of 13.32 lm/W.     

TIG焊倍压整流式引弧电路的设计与调试

如何既能保证引弧成功率高,又能实现以降低频率的方式减小对电网和控制系统的干扰,是设计引孤电路所要解决的问题。介绍了一种结构简单、燃弧率高、频率相对较低的引弧电路。以电容、二极管构成的倍压整流技术提升电压。并利用LC振荡在变压器二次侧耦合出高电压引弧信号。分析输出脉冲信号的驱动电路。并建立驱动电路模型,结合仿真研究。介绍其工作原理。