片内相位测量工具模拟光刻机

采用特殊照明方式的高／超高数值孔径（NA）的193nm光刻机和相位移掩膜版（PSM），使得光刻分辨率的极限达到了32nm节点。不利的因素是掩膜的复杂度正在以指数级递增，而业界又迫切需要通过精确的相位控制以达到必需的高成品率。     

雾状缺陷问题是可以解决的

在上期本专栏的《掩膜版寿命受到的雾状缺陷限制》一文中,我们讨论了掩膜版上雾状缺陷的主要类型和曝光波长为193和248nm时的掩膜版寿命。     

掩膜版清洗和光刻胶去除面临的挑战

在65nm及以下节点,掩膜版的清洗变得更为关键,需要采用新的方法和技术。在传统的湿法工艺化学顺序中,首先用硫酸／双氧水混合液,然     

掩膜版寿命受到雾状缺陷的限制1

雾状缺陷（Haze defect）是残留在掩膜版上的有机物或无机物，它们在曝光时有可能会生长变大。在光刻波长为248nm时．这类缺陷尚不会引起太大的问题，大约只影响到5％的掩膜版。然而到了193nm光刻．受其影响的掩膜版高达20％左右，雾状缺陷已成为光刻业界的一个严重问题。KLA-Tencor掩膜检查部门的高级技术市场经理Kaustuve Bhattacharyya解释说：“由于光刻波长变短．每个光子携带的能量更大。所以发生光化学反应的几率大为增加。”     

掩膜版寿命受到雾状缺陷的限制Ⅰ

雾状缺陷(Hazedefect)是残留在掩膜版上的有机物或无机物,它们在曝光时有可能会生长变大。在光刻波长为248nm时,这类缺陷尚不会引起太大的问题,大约只影响到5%的掩膜版。然而到了193nm光刻,受其影响的掩膜版高达20%左右,雾状缺陷已成为光刻业界的一个严重问题。KLA-Tencor掩膜检查部门的高级技术市场经理Kaustuve Bhattacharyya解释说:"由于光刻波长变短,每个光子携带的能量更大,所以发生光化学反应的几率大为增加。"     

基于准分子激光工艺制作X射线光掩膜

LIGA工艺是一项能够应用于制造三维微机械结构的微细加工技术,但制作掩膜版工艺复杂、成本高。为了解决商用的微光学系统制造成本问题,在Au薄膜上用准分子激光直写的方法制作掩膜,这样既能够很快得到雏形,同时也能够降低制作的掩膜版的成本。分析讨论了基于电子束制作掩膜版和基于准分子激光制作掩膜版两种方法,得出了准分子激光制作的掩膜在成本和时间上都有优势的结论。将通过准分子激光技术制作的掩膜置于X射线下,在PMMA基板上可以加工很好的三维微结构。通过依次直接激光烧蚀金薄膜可以加工具有一系列微球状结构的吸收体图形,再将此图形转写到PMMA基板上,可以得到的最低像素为25μm。     

PECVD淀积Si3N4作为光刻掩膜版的保护膜

采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法淀积Si3N4薄膜作为光刻掩膜版的保护膜,可以降低掩膜版受损程度,延长使用寿命.分析了Si3N4膜厚的选取要求,给出了PECVD淀积Si3N4膜的工艺条件.实际制作了带有Si3N4保护的光刻掩膜版,并与不带Si3N4保护的掩膜版的使用情况做了对比.结果表明,带有Si3N4保护的光刻掩膜版的使用寿命可明显延长2倍以上.     

用多光子光刻制作65nm聚合物结构

常规光刻方法通过利用电路设计每一层的掩膜版来进行曝光和显影．从而形成图案。佐治亚理工学院（GeorgiaInstitute of Technology）的研究人员正在研究一种多光子光刻技术，不再需要掩膜版就可以制作出65nm的三维聚合物线条结构。     

凸版印刷与IBM合作开发22纳米光掩膜

来自上海凸版（Toppan）光掩膜有限公司消息,日本凸版印刷株式会社近日宣布,已与IBM签署新的开发合约,它涵盖了后期的32纳米和全部22纳米光掩膜工艺开发。该项联合开发于2008年6月开始,在IBM的英国艾塞克斯郡的柏灵敦工厂进行。在此之前,凸版印刷与IBM在2005年已开始了45纳米光掩膜工艺的开发,并且在2007年延伸到了32纳米掩膜开发。     

国际新闻

8月份北美半导体设备市场销售依旧低迷;七月份全球半导体销售成长7．7％;NEC加入IBM32纳米芯片联盟;IBM、Mentor和Toppan共同开发22纳米光源-掩膜版优化;道康宁通过制造工艺缩减太阳能电力成本。     

飞秒激光实现微机电系统加工短流程工艺

为探讨采用飞秒激光直接刻写样品取代传统光刻掩膜版方式来实现微机电系统(MEMS)加工短流程工艺的可行性,采用中心波长为800nm、脉宽为50fs的激光对100硅片(薄膜为350nm～500nm厚的氮化硅)进行实验,分析了飞秒激光材料加工特性.分析和实验结果表明,飞秒激光比纳秒、皮秒激光更适用于短流程工艺.MEMS加工短流程工艺减少了加工流程,缩短了加工周期.通过对激光脉冲能量和平台移动速度的控制可实现精确微加工.     

刻蚀在逻辑器件图形化中的角色

由于引进极紫外线（EUV）光刻技术的迟滞，技术专家们开始利用现有光刻工具的替代性方案去完成32及22纳米工艺。例如，一个颇具前景的解决方案是将间距要求严苛的图形拆分到两个掩膜版，这样图形间距可以加倍。     

光掩膜厂商在浸没式光刻时代的生存之道

在不久前召开的SPIE Microlithography（国际光学工程学会微光刻技术年度会议）上，BACUS（国际光掩膜技术学会）组织了一次圆桌会议，来自光刻技术领域的专家们就193纳米浸没式光刻技术中光掩膜工艺的发展趋势展开了激烈的讨论。会议的中心话题为光掩膜制造商是沉是浮？     

不用大尺寸掩膜版的曝光机

V．Tech．公司开发了6、7代TFT-LCD生产线的不用大尺寸掩膜版的曝光机。该曝光设备只要设定基板第一层的图形之后，在不使用大尺寸掩膜版的情况下能够完成后面工序的曝光工艺；同时具有图形监测系统和许多个曝光光源，以及在基板移动方向上约5cm宽度的形成图形的掩膜版装置，可边移动基板边曝光，     

CRT荫罩制造技术及其在平板显示等领域的应用

CRT荫罩制造工艺的基础技术是光刻腐蚀。将应用于制造荫罩的精密光刻精细腐蚀技术引伸应用到平板显示、微电子、微机械等领域，可以制作出高精度OLED金属掩膜版，LCD、PDP光学掩膜版等，使这一非常成熟的工艺焕发出新的活力。     

TFT-LCD阵列基板栅极半透掩膜版设计研究

本文采用40%和45%透光率的栅极半透掩膜版,详细分析了各透光率下的曝光特性、工艺波动性、生产节拍、量产可行性等。研究表明：栅极半透掩膜版透光率设计可结合产品性能要求和生产节拍进行选择。高端产品,工艺稳定性要求高,需求品质优,可以选择40%透光率;中低端产品,工艺波动性容忍度大,考虑生产产能,可以选择45%透光率。     

新产品

硅片划片系统；测试系统；晶圆键合机；工艺监控器;掩膜版验证系统。     

TFT-LCD白点不良机理研究及改善

TFT基板四道掩膜版工艺可提升产能,但其带来的产品品质困扰着各工厂,白点不良即为四道掩膜版工艺产生.本文通过直流实验探究了白点产生的原因;采用光照实验和高温实验,研究了白点产生的机理,同时利用工艺调整来改善白点不良.结果表明,有源层膜质存在异常,其导电性不同导致了反冲电压(ΔVp)的差异,最佳公共电压的不同形成白点不良...     

45nm IC设计面临的挑战

45nm节点使SoC(系统级芯片)设计者获得比65 nm多40%的晶体管数,或芯片尺寸减小40%,但45 nm工艺的掩膜成本将在数百万美元等级,至少在初期是这样.     

Micronlc革新图形技术与客户双赢

光刻胶、掩膜版和光刻机一直以来是构成光刻的三要素．掩膜版的技术水平直接影响着半导体光刻技术的发展．而目前几乎所有平板显示器的制造过程也必须用到光掩膜。Micronic Laser Systems AB正是提供TFT-LCD．半导体和先进电子封装制造中掩膜版生产工具．激光图形发生器的公司。