半导体清洗技术的主流厂商：FSI国际

2006年是半导体清洗技术和市场发展非常重要的一年。从全球发展趋势来看，45nm生产工艺研发已经浮出水面，包括FSI国际在内的国际主流厂商开始为45nm工艺表面处理进行技术和产品上的准备。而对于国内集成电路制造行业，在后道封装行业发展进一步加速、Micron等许多国际知名厂家纷纷宣布在华建厂的同时；前道生产能力的将在提升产能的同时快速扩张转向更高阶的技术，因而在2006年将可以明晰地看到各种前道厂商新的加工精度和产能策略。     

FSI灵活开启中国市场

问:目前在全球市场,许多半导体制造企业开始研发45nm技术,这对清洗技术的发展提出了更高的要求,请问作为行业领先的清洗设备商之一的FSI会怎么应对,而清洗技术的发展趋势又会是什么?     

FSI国际推出采用其MAGELLAN~浸泡式清洗系统的新型氮化硅选择性蚀刻工艺

FSI国际有限公司于2006年11月27日宣布,推出全新的选择性氮化物蚀刻工艺。该工艺采用FSI国际的MAGELLAN浸泡式清洗系统,可以抑制氧化硅和硅的侵蚀并避免产生大量微粒。这些应用在FSI实验室中通过使用客户的圆片得以开发和验证,并已成为先进的45nm工艺项目的一部分。此外,这些     

FSI单晶圆清洗技术被半导体制造商用于32nm后段清洗工艺开发

FSI国际有限公司宣布一家重要的半导体制造商在32nm集成电路制造的后段（BEOL）清洗能力开发中选用了FSI单晶圆清洗技术。这家客户经过一系列优中选优的过程,最终认定FSI的技术最符合32nm器件制造所预期各项新要求。FSI已经针对这一开发项目发运评估性ORION单晶圆清洗集群。     

FSI国际在上海宣布推出ORION单昌圆清洗系统

2008年11月4日,半导体制造晶圆工艺、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司再次于上海举办的“FSI知识服务系列研讨会”上宣布推出全新的ORION。单晶圆清洗系统。该系统特有的闭室设计可实现对晶圆环境的完全控制和维护,满足32nm和22nm技术的关键步骤上多项清洗需要。     

FSI国际推出采用其MAGELLAN浸泡式清洗系统的新型氮化硅选择性蚀刻工艺

FSI国际有限公司日前宣布，推山全新的选择性氮化物蚀刻工艺。该工艺采用FSI国际的MAGELLAN浸泡式清洗系统，可以抑制氧化硅和硅的侵蚀并避免产生大量微粒。这些应用在FSI实验室中通过使用客户的晶圆得以开发和验证，并已成为先进的45nm工艺项目的一部分。此外，这些应用对前几代技术同样有效。     

FSI国际ORION~单晶圆清洗系统获得重要半导体制造商订单

<正>全球领先的半导体制造晶圆处理、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司,日前宣布一家重要半导体制造商订购了该公司的新ORION~单晶圆清洗平台。这项订单表明了该客户对2008年5月FSI发运的、用于后段(BEOL)32nm开发项目的评估机台的认可。该系统特有的闭室设计可解决     

FSI国际宣布将ViPR~(TM)全湿法去除技术扩展到NAND存储器制造

<正>全球领先的半导体制造晶圆加工、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司3月24日宣布:一家主要的存储器制造商将FSI带有独特ViPRTM全湿法无灰化清洗技术的     

信息报道

<正>FSI国际推出采用其MAGELLAN~浸泡式清洗系统的新型氮化硅选择性蚀刻工艺 FSI国际有限公司于2006年11月27日宣布,推出全新的选择性氮化物蚀刻工艺。该工艺采用FSI国际的MAGELLAN~浸泡式清洗系统,可以抑制氧化硅和硅的侵     

FSI国际在上海宣布推出ORION单晶圆清洗系统

全球领先的半导体制造晶圆工艺、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司,近日在其再次于上海举办的“FSI知识服务系列研讨会”上,宣布推出全新的ORION。单晶圆清洗系统。该系统特有的闭室设计可实现对晶圆环境的完全控制和维护,满足32nm;     

FSI晶圆表面处理技术的专家——访FSI半导体设备有限公司市场营销副总裁Dr．Scott Becket

Scott Becker现任FSI公司市场营销副总裁。Becker博士从1983年到1985年在FSI担任工艺开发工程师。1992年，他再次加入Fsl并担任单晶圆产品经理，1999年兼任FSI首席技术专家。从1985年到1992年，在HoneyweⅡ固体电子分部的工程和商务发展方面担任管理职务。他担当了四年国际技术路线图的半导体表面处理技术工作团体的联合主席。从2000年8月份以后就任FSI国际的表面处理分部的产品管理副总裁。2003年正式被任命为FSI市场营销副总裁。 Becket博士毕业于Notre Dame大学，并于1984年获得了化学博士学位。现在已掌握了几个重要的“晶圆清洗”的专利，并且发表了许多“清洁技术”方面的论文。     

晶圆清洗的挑战——《半导体国际》第三届晶圆清洗技术研讨会

2006年8月10日，上海龙东商务酒店．由《半导体国际》主办的第三届晶圆清洗技术研讨会在此圆满结束，与会者包括国际知名设备材料供应商和中国本土主要晶圆制造商的专家、经理人和工程师，通过对研发过程和实际生产中晶圆表面处理方案的分析．共同探讨了现金主流清洗技术的应用和发展方向……     

应对深亚微米清洗技术的挑战——第三届晶圆清洗技术研讨会

《半导体国际》第三届晶圆清洗技术研讨会即将举行!我们将邀请国际知名清洗工艺设备／材料制造商和IC制造商，通过对实际生产和研发过程中晶圆表面处理的案例分析，共同探讨现今主流清洗技术的应用和发展方向。     

FSI国际获得重要半导体制造商订单

FSI国际日前宣布一家重要半导体制造商订购了该公司的新ORION单晶圆清洗平台,这项订单表明了该客户对今年5月FSI发运的、用于后段（BEOL）32nm开发项目的评估机台的认可。该系统特有的闭室设计可解决多个关键步骤清洗问题,其中包括控制铜导线中的材料损失和电偶腐蚀（带有和不带金属包覆层）,这确保了IC制造商去实现无缺陷下一代铜导线架构。     

FSI国际ORION单晶圆清洗系统获得重要半导体制造商订单

全球领先的半导体制造晶圆处理、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司,日前宣布一家重要半导体制造商订购了该公司的新ORION单晶圆清洗平台。这项订单表明了该客户对2008年5月FSI发运的、用于后段（BEOL）32nm开发项目的评估机台的认可。该系统特有的闭室设计可解决多个关键步骤清洗问题,其中包括控制铜导线中的材料损失和电偶腐蚀（带有和不带金属包覆层）,这确保了IC制造商去实现无缺陷下一代铜导线架构。     

FSI国际宣布将ViPR^TM全湿法去除技术扩展到NAND存储器制造

全球领先的半导体制造晶圆加丁、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司3月24日宣布：一家主要的存储器制造商将FSI带有独特ViPR^TM全湿法无灰化清洗技术的ZETA。清洗系统扩展到NAND闪存生产中。许多器件制造商对采用FSI的ZETAViPR技术在自对准多晶硅化物形成过程所带来的益处非常了解。该IC制造商就这一机台在先进的NAND制造中可免除灰化引发损害的全湿法光刻胶去除能力进行了评估。     

盛美半导体清洗设备打入韩国市场

日前,盛美半导体设备(上海)有限公司宣布第一台Ultra C 12英寸单片兆声波清洗设备已经销售给韩国存储器制造巨头,这是本土的半导体设备厂商首次打入国际主流半导体厂商的供应链。Ultra C采用盛美的空间交变相     

FSI收到重要半导体制造商对其ORION单晶圆清洗技术的后续订单

FSI国际有限公司日前宣布收到来自重要半导体制造商的后续订单,购买其新推出的ORION 单晶圆清洗技术平台,该项后续订单将为2008年12月23日发布的订单的机台提供扩充的晶圆清洗量能和性能。     

90～65nm清洗新技术

简单说明了清洗技术在90～65nm节点技术阶段的新发展,着重介绍了一种新的清洗技术—低温冷凝清洗技术产生的背景、技术现状及其应用,对我国半导体清洗行业的未来发展提出建议。     

FSI国际ORION单晶圆清洗系统获得重要半导体制造商订单

全球领先的半导体制造晶圆处理、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司日前宣布一家重要半导体制造商订购了该公司的新ORION单晶圆清洗平台。这项订单表明了该客户对FSI发运的、用于后段（BEOL）32nm开发项目的评估机台的认可。该系统特有的闭室设计可解决多个关键步骤清洗问题,其中包括控制铜导线中的材料损失和电偶腐蚀（带有和不带金属包覆层）,这确保了IC制造商去实现无缺陷下一代铜导线架构。