GaAs、GaP、InP、InGaAsP、AlGaAs、InAlGaAs的化学腐蚀研究

为研制全集成光开关、微片式激光器等，对ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＡＩＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ等材料的化学腐蚀进行了实验研究。为了研制ＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓ微片式激光器，开发了Ｈ３ＰＯ４／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ薄层腐蚀液和ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ选择性腐蚀液；为了研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰＴｂａｒ型光波导，开发了ＨＣｌ／Ｈ３ＰＯ４／Ｈ２Ｏ２薄层腐蚀液和ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２选择性腐蚀液；为了研制ＧａＰ、ＩｎＧａＰ光波导，开发了ＨＣｌ／ＨＮＯ３／Ｈ２Ｏ薄层腐蚀液。它们都具有稳定、重复性好、速率可控、腐蚀后表面形貌好等特点。除此之外，蚀刻成的ＧａＰ光波导侧壁平滑无波纹起伏。此种结果尚未见报导。     

近中红外探测器增透研究

为提高以ＧａＡｓ 为基底的中红外探测器的综合性能,从理论上验证了在ＧａＡｓ 基底上镀ＴｉＯ２ ｓｏｌ－ｇｅｌ纳米颗粒膜能够较大幅度地提高ＧａＡｓ 红外透过率,并在实验中获得了适合于镀膜的稳定ＴｉＯ２ 纳米颗粒溶胶,有效控制镀膜工艺参数,在ＧａＡｓ 基底上成功地镀上了合适的ＴｉＯ２ｓｏｌ－ｇｅｌ膜,实现了增透效果,在２．５～６．０μｍ 波段内,透射比的最大值由未镀膜的５６％ 提高到镀膜后的９４％ ．     

海洋红藻R—藻胆蛋白的扫描隧道显微镜研究

Ｒ－藻红蛋白（Ｒ－ＰＥ）从海洋红藻多管藻中分离获得，然后用扫描隧道显微镜对其结构进行了研究。结果表明当Ｒ－ＰＥ在基底高定向石墨（ＨＯＰＧ）上吸附时，大部分蛋白分子聚集在一起，少数单个的蛋白分子分布于ＨＯＰＧ的表面。进一步缩小扫描范围，以可清楚地观察到Ｒ－ＰＥ分子为圆盘壮结构，但分子中央的孔洞的不象－Ｃ藻蓝蛋白那样清晰，这是由于λ－亚基位于分子的中央孔洞内。     

微电子学、集成电路

TN4 96020348半导体集成电路的柔性生产技术/罗浩平(华晶电子集团中央研究所)//半导体技术一1995,(6)一10一l6 图l表1(文)的集成电路和器件图形直接光刻在Si和GaAs等圆片上.电子束直接曝光设备在军事微电子领域具有非常广泛的应用前景。图4表2(许)TN4 96020349no:超细微粒的有序组装/顾宁,沈耀春,陆祖宏,袁春伟,韦饪(东南大学)//微细加工技术一1995,(3)一26~31 将水解法制备的Tio:超细微粒溶胶液滴于水平放置的高取向热解石墨基底}认可形成一定面积的有序性排列较好的二维结构。此外,对比观察了落滴一j-水平云母基底上形成膜的表面形貌,…     

一种新型结构的LB膜化学场效应晶体管的气敏特性研究

合成了新型的有机半导体ＬＢ膜气敏材料（ＣＯＴＤＭＡＰＰ），其ＬＢ多层膜拉制在场效应晶体管上，形成了具有ＬＢ－ＯＳＦＥＴ结构的化学场效应晶体管（ＣｈｅｒｎＦＥＴ），该器件置于ＮＯ２，ＮＨ３，ＣＯ和Ｈ２Ｓ等有害气体中，结果表明在ＮＯ２气氛中元件漏电流ＩＤＳ发生变化，并可检测到２ｐｐｍ的ＮＯ２．这种器件的气敏特性在于ＦＥＴ的电流放大作用及ＬＢ膜的有序性的影响．     

用Ti（OC3H7）4制备Ti（CN）涂层研究

文章叙述了采用金属有机物四异丙基钛（Ｔｉ［ＯＣ３Ｈ７］４］为钛温，在外加热ＰＣＶＤ设备上沉积Ｔｉ（ＣＮ）涂层。并对涂层进行了其显微硬度测量，扫描电镜（ＳＥＭ）观察和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析。结果表明，此法制备的Ｔｉ（ＣＮ）涂层其显微硬度可达标１５６００Ｎ／ｍｍ２，膜层结构仍为在状晶，Ｔｉ（ＣＮ）晶体的ｄ（２００）随着炉温的升高和Ｈ２．Ｎ２比的增大在逐渐变化。     

用Ti（OC2H5）4制备Ti（CN）涂层研究

本文叙述了采用金属有机物钛酸四乙酯（Ｔｉ［ＯＣ２Ｈ５］４取代四氯化钛，运用ＰＣＶＤ外加热法沉积Ｔｉ（ＣＮ）涂层，并对涂层进行了Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电镜（ＳＥＭ）、Ｘ光电子（ＸＰＳ）分析，其显微硬度可达到１６００ｋｇ／ｍｍ２，膜层结构仍为柱状晶     

GaAs衬底层选择性腐蚀技术

本文在ＧａＡｓＧａＡｌＡｓ选择性腐蚀的基础上进行了腐蚀ＧａＡｓ衬底层获得ＧａＡ／ＧａＡｌＡｓ外延层薄膜的二次腐蚀技术。最终选用了Ｃ３Ｈ４（ＯＨ）（ＣＯＯＨ）３．Ｈ２Ｏ－Ｈ２Ｏ２系选择性腐蚀液和Ｈ２ＳＯ４－Ｈ２Ｏ２系腐蚀液，获得了快速，可控制，重复性好的可全部可局部去除衬底的腐蚀方法。     

不同形成液对低压铝阳极电容量的影响

研究了磷酸－氨水，己二酸铵－水系和加入ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４等形成液对形成后低压铝阳极电容量的影响。结果表明，加入ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４后的己二酸铵－水系形成液在２０～３０Ｖ形成电压时为最佳     

不同形成液对低压铝阳极电容量的影响

研究了磷酸－氨水，已二酸铵－－水系和加入ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４等形成液对形成后低压铝阳极电容量的影响。结果表明，加入ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４后的已二酸铵－水系形成液在２０－３０伏形成电压时为最佳。     

氧流量对TiO_2薄膜光电性质的影响

采用直流反应磁控溅射法在FTO基底上制备了TiO2薄膜,研究了在不同氧流量条件下TiO2薄膜的拉曼光谱、表面形貌和透射光谱,并将TiO2薄膜用N719染料进行敏化,制备了染料敏化太阳电池,测试了电池的I-V特性曲线。实验结果表明:随着氧流量的增加,电池的短路电流和光电转换效率先增加而后降低,在15cm3时达到最大;薄膜为锐钛矿和金红石的混合晶体结构;氧流量对薄膜的表面形貌影响不大,薄膜都表现出疏松多孔的表面结构。     

超微粒氧化锌,锡复合薄膜的断面研究

本文用扫描电于己微镜（ＳＥＭ）观察了ＺｎＯ／ＳｎＯ２，ＳｎＯ２／ＺｎＯＵＰＦ的断面形貌，所研究的薄膜系采用直流气体放电活化反应蒸发沉积法制备。结果表明：用直流气体放电活化反应蒸发沉积法，通过二次蒸镀的方式所制备的双层超微粒子薄膜（ＵＰＦ），膜层间具有明巳的扩散现象，由扩散所形成过渡层的形态与复合的方式有关。同时，对其气敏选择性机理进行了一定的探讨。     

TiO_2过渡层对Bi_(3.54)Nd_(0.46)Ti_3O_(12)薄膜微观结构及电性能的影响

选取厚度为5、10和20nm的TiO2薄膜为过渡层,采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi3.54Nd0.46Ti3O12(BNT)铁电薄膜,研究了过渡层厚度对铁电薄膜微观结构及电学性质的影响。结果表明,加入TiO2过渡层后,BNT薄膜微观结构得到改善,εr及2Pr值大幅提高,介电损耗及漏电流密度都有降低。过渡层厚度为20nm时,BNT薄膜的εr、tanδ及2Pr值分别为325、0.025(测试频率为10kHz)和36.1×10–6C/cm2,漏电流密度为8.45×10–7A/cm2(外加电场为100×103V/cm)。     

MOCVD生长源流量对p型GaN薄膜特性影响的研究

利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长p型GaN:Mg薄膜,对不同二茂镁(CP2Mg)流量和Ⅴ族和Ⅲ族摩尔(Ⅴ/Ⅲ)比生长的p型GaN:Mg薄膜特性进行研究。研究表明,增加Ⅴ/Ⅲ比,可以降低螺旋位错密度,提高p型GaN晶体质量。当Ⅴ/Ⅲ比为3 800时,Cp2Mg流量最高为170sccm,获得p型GaN(002)面峰值半高宽(FWHM)最窄为232"。同时研究发现,单纯提高Ⅴ/Ⅲ比对降低刃型位错影响较不明显。     

Sn在Cu(111)上欠电位沉积的现场STM研究

本文用现场扫描隧道显微镜（in-situ STM)研究Sn在Cu(111）上的欠电位沉积（underpotential deposition UPD)过程,实验结果表明：Sn原子在Cu(111)表面上的UPD首先在晶面的边缘处发生,随后向晶面的其余地方发展并取代吸附在表面的SO4^2-,这一过程伴随着显著的台阶轮廓的变化,在Sn的UPD层溶出过程中,台阶边缘形状发生了更剧烈的变化。并且观察到凹洞的出现,表明Sn与Cu (111)基底形成了表面合金。     

Preparation of Self‐Organized Mesoscale Polymer Patterns on a Solid Substrate: Continuous Pattern Formation from a Receding Meniscus

Regular polymer patterns are formed from casting a dilute polymer solution on a solid substrate. Dissipative structures, e.g., convection patterns, fingering instabilities, and so on, are formed in the evaporation process of casting polymer films. Controlled production and manufacturing of patterned polymer films can be achieved when the evaporating solution edge, especially the meniscus region on the casting substrate, is formed under controlled casting conditions. In this report, we describe a computer‐controlled apparatus which has two precisely manipulated sliding glass plates. A narrow, thin liquid film of polymer solution with a receding meniscus is continuously supplied from a small gap between two glass plates (one sliding and the other stationary), and a patterned polymer film is subsequently formed on the stationary substrate from the evaporating solution edge. Several types of polymer patterns from various polymers are reproducibly prepared by changing preparation conditions such as sliding speed and polymer concentration.     

超微粒子的激光制备技术及展望

超微粒子是近年来迅速发展起来的一类新型材料,它具有许多特异性能,在面向21世纪的科学技术进步中将充当重要角色.本文较为详细地介绍了激光气相法、激光加热蒸发法、红外多光子解离法等制备超微粒子的原理、装置、特点及研究现状,并指出激光制备超微粒子技术具有广阔的应用前景.     

载气流量对HVPE外延生长GaN膜光学性质的影响

研究了利用水平氢化物气相外延 (HVPE)系统在蓝宝石衬底上外延氮化镓 (Ga N)的生长规律 ,重点研究了作为载气的氮气流量对 Ga N膜的结构及光学性质的影响。观察到载气流量对预反应的强弱有很大影响 ,外延膜的质量和生长速度对载气流量极为敏感。当载气流量较小时 ,样品的 X射线衍射谱 (XRD)中出现了杂峰(1 0 -1 1 )和 (1 1 -2 0 ) ,相应的光致发光谱 (PL)中出现了黄带 (YL) ,靠近带边有杂质态。而当载气流量增大时 ,样品质量改善。Ga N外延膜的结构和光学性质的相关性表明深能级的黄带与生长过程中产生的非 c轴方向晶面有关 ,据此我们推测 :Ga空位与束缚在 (1 0 -1 1 )和 (1 1 -2 0 )等原子面上的杂质构成复合结构 ,这些复合结构所产生的深能级对黄带的发射有贡献 ;由于预反应使生长过程中混入的附加产物及杂质对带边发射有重要影响     

GaN grown by hydride vapor phase epitaxy on p-type 6H-SiC layers

6H-SiC/GaN pn-heterostructures were grown by subsequent epitaxial growth of p-SiC by low temperature liquid phase epitaxy (LTLPE) and n-GaN by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). For the first time, p-type epitaxial layers grown on 6H-SiC wafers were used as substrates for GaN HVPE growth. The GaN layers exhibit high crystal quality which was determined by x-ray diffraction. The full width at a half maximum (FWHM) for the ω-scan rocking curve for (0002) GaN reflection was ∼120 arcsec. The photoluminescence spectra for these films were dominated by band-edge emission. The FWHM of the edge PL peak at 361 nm was about 5 nm (80K).     

Fast and Reversible Wettability Transitions on ZnO Nanostructures

Surface wettability is an important property of solid/liquid interfaces. Recently, the control of contact angle (CA) has been used to drive liquid droplets in micro- or nanosize channels on biochemical and environmental sensing chips, where a faster CA transition rate is desirable for the prompt control of liquid movement. We studied the CA between water droplet and zinc oxide (ZnO) nanotips grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). ZnO was grown as epitaxial films on r-plane sapphire, or as vertically aligned nanotips on various substrates, including silicon, c-plane sapphire, and glass. It is demonstrated that by using ultraviolet (UV) illumination and oxygen annealing, the CA on ZnO nanotips can be changed between 0° and 130°, whereas the CA on the ZnO films only varies between 37° and 100°. The fast transition rates also have been observed. (Received October 16, 2006; accepted January 23, 2007)