激光化学气相沉积

激光化学气相沉积是近几年发展起来的一种利用激光化学反应直接沉积微区薄膜的新技术,它分为激光热分解沉积和激光光分解沉积两大类.首先介绍了这个方法的基本原理.它的基本理论是激光与物质的相互作用.涉及到大分子的光吸收激发、分子内部的能量转移、单步和多步光解离、表面附着与再燕发、表面扩散与分子团的形成、成膜机理等问题.介绍了常用的激光光分解沉积法,激光热分解沉积法和复合沉积法的基本原理、实验装置.最后介绍了激光化学气相沉积法在沉积金属薄膜、氧化物薄膜、非晶硅太阳电池薄膜中的应用.并指出这个方法在工具钢表面上沉积碳化钛薄膜和Si_3N_4硬质薄膜中亦有一定的应用前景.t     

激光辅助化学气相沉积研究进展

激光化学气相沉积技术(LCVD)相较于传统化学气相沉积技术具有低沉积温度、高膜层纯度、高沉积效率等特点,在各类功能薄膜材料制备上有着巨大的应用前景.围绕激光化学气相沉积技术,本文详细阐述了激光热解离、激光光解离与激光共振激发解离作用机制,同时介绍了各类LCVD的常用设备,着重总结了LCVD在金属材料、碳基材料、氧化物材...     

激光化学气相沉积薄膜材料技术的研究进展

前言现代材料科学的重大成就之一就是薄膜材料的迅速发展。可以说所有先进技术的发展都与薄膜材料的应用有关,特别是功能薄膜材料。大规模集成电路、大型计算机及电子光学、电子学的大部分关键装置都得益于薄膜材料的使用。而且,随着现代科学技术的发展,各种各样的功能薄膜或特殊薄膜的应用越来越广泛。因而人们对薄膜材料的制备技术给予了高度重视,各国不借投入大量人力和物力对制备薄膜材料的技术进行开发和研究。     

化学气相沉积

20030401 化学气相沉积Ti-Si-C-N新型涂层——Kao D H.TheSolid Film,2002,419(11):11(英文) 探讨了常压下TiCl_4,SiCl_4,C_2H_2,NH_3和Ar作反应气体,用化学气相沉积方法制备的Ti-Si-C-N四元复合涂层。为了降低沉积温度,改变了过去常用的工艺条件,以NH_3取代N_2。在不同的沉积温度和SiCl_4流量的工况下,研究了四元涂层的沉积过程。当涂层厚度为4.5～20.0μm时,生长速率较快(9.0～40.0μm/h),且与工艺参数有关。值得注意的是:在各种温度下SiCl_4的流量会影响涂层的组织、成分和生长动力学。涂层硬度为11.5～20.3GPa时,且与沉积温度和SiCl_4供量有关。     

激光在化学气相沉积陶瓷膜中的应用

激光化学气相沉积(LCVD)是八十年代才兴起的表面镀膜技术,它将激光技术与化学气相沉积结合成一个整体,开拓了新的低温快速沉积领域。LCVD具有下述特点: 1)低温化。激光激活反应物分子,可在低温选定波长切断材料气体分子健,有选择地进行化学反应。为微电子器件提供了变革性工艺,扩大了CVD的应用范围。2)节能化。通常化学反应中,粒子与粒子间进行无规则的碰撞,只有那些能量超     

等离子体化学气相沉积

一、前言由于日益增长的社会需求,促使材料表面成膜技术(表面涂层)迅速发展。表面成膜在微电子、能源、光纤通讯、超导材料等尖端技术中,都占有重要的地位,在机械、建材等工业以及日用消费品制造业中都有广泛的应用。从材料种类上来看,薄膜材料有金属、半导体和绝缘体,有单晶、多晶和非晶态,有无机和有机材料。薄膜的成膜方法很多。可以按图1分类。根据不同的材料,可以选用相应的成膜工艺。     

脉冲激光气相沉积技术现状与进展

介绍了脉冲激光沉积法(PLD)制备薄膜技术的原理、特点和这一研究领域的现状，着重介绍了脉冲激光沉积薄膜技术的研究动态和进展情况。大量研究表明，脉冲激光沉积法是一种最好的制备薄膜的方法之一。     

化学气相沉积中的气相生长碳纤维

用扫描电子显微镜观察了化学气相沉积过程中柔性石墨纸表面产生的热解炭的形态。研究发现:热解炭不仅呈胞状平铺在柔性石墨纸表面,而且还形成了气相生长碳纤维。这类特殊形态的碳纤维在直径较小时具有明显的生长尖端。随着气相生长碳纤维的生长,直径变大,由一层一层的热解炭组成同心圆结构,当气相生长碳纤维直径超过50μm时尖形头部变成半球形。     

化学气相沉积技术在环境科学中探讨

论述化学气相沉积技术(CVD)的基本原理、特点和在其基础上发展起来的几种具有广泛应用前景的CVD新技术,并分析比较它们发展的基础及存在的不足,旨在探讨化学气相沉积技术的发展方向。     

等离子体化学气相沉积TiN

试验证明，利用非热平衡态的直流等离子体，可使ＴｉＮ的化学气相沉积温度由普通ＣＶＤ的１０００℃左右降到５００℃左右，膜的硬度达２０００ｋｇ／ｍｍ２（维氏）以上。研究了气压、气体配比及放电参数对膜沉积速度、硬度及结构的影响。     

化学气相沉积金刚石膜

详细讨论了金刚石膜的化学气相沉积方法、特性及生长机理。指出了今后的研究重点。     

化学气相沉积金刚石薄膜

概述了金刚石膜的发展过程及近年来的发展趋势.阐述了有关的生长机制.对生长金刚石膜非常重要的几个问题有,提高金刚石成份的生长率;稳定金刚石结构,并清洗掉不需要的石墨,引入氢,控制其浓度;或以某种形式赋予石墨以一定能量,使其转变为金刚石.简单的介绍了化学输运过程方法和等离子体动力学方法,总结了研究中已经解决的问题和尚不清楚的问题.收集和整理了金刚石,金刚石膜和类金刚石的性能,进行了对比,并将金刚石膜与一些电子材料进行了比较,最后简述了可能的应用.人造金刚石膜具有优越的性能,这是任何其它材料无法与之比拟的,同时它的造价低廉,因此美国纽约时报惊呼,人造金刚石膜已为电子学、光学、机械加工、化学工业和军事科学开辟了一个新纪元.目前金刚石膜的研制使得东西方的科学家极为振奋,在日本、美国和苏联正在兴起“金刚石热”.     

超声波化学气相沉积新工艺

综述了利用超声波作化学气相沉积过程中能源的一种新工艺,即超声波化学气相沉积(UWCVD)。该工艺与其它 CVD方法相比有以下特点:沉积膜与基体有更好的结合;沉积膜有更优的强韧性和明显的择优取向。     

化学气相沉积超导材料

日本正在研究一种新技术,为开发大批生产高温超导材料,如金属丝、线圈以及复合形状的薄膜作准备。一个研究小组与 Riken 公司(密封环制造商)合作,采用化学汽相沉积给各种基底涂上氧钇钡铜薄膜。广泛应用于半导体工业的化学汽相沉积使平厚的薄膜被沉积在电路基底的微米尺寸步长和通道内,一次可以覆盖大量基底。据报道世界上有几个半导体厂商试验了一种用于高 T_c 超导体的技术,但是未能发现一种适合的待蒸发的钡复合物。直到现在,物理气相沉积技术,     

等离子体化学气相沉积氮化钛

本文报导中试规模的直流等离子体化学气相沉积氮化钛工艺及设备;对TiN膜的硬度、生长速率、显微组织、晶体结构以及TiN膜的成分进行的研究;经测试及实际应用证明,刃具、模具、轴承等镀TiN后寿命明显提高。     

激光化学气相沉积TiC,TiN类陶瓷薄膜概况

介绍了用LCVD法合成并沉积TiC、TiN类陶瓷膜的方法、原理、工艺特点以及LCVD法的一些独特优点。     

低温等离子体增强化学气相沉积技术制备碳纳米管

由于等离子体在低温下具有高活性的特点,等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术可显著降低薄膜沉积的温度范围.通常条件下,高质量碳纳米管的生长要求800℃以上的基片温度,若能使该温度降到400℃以下,则对许多应用非常有利,如可以在玻璃基片上沉积碳纳米管场发射电极.目前,碳纳米管基纳电子器件的研制这一课题备受关注,如果能实现低温原位制备碳纳米管,则可能将纳电子器件与传统的微电子加工工艺结合并实现超大容量的超大规模集成电路.本文主要介绍近年来生长碳纳米管所采用的各种等离子体化学气相沉积技术,讨论影响碳纳米管生长特性的几个关键因素.     

化学气相沉积技术制备TiB2涂层研究

利用TiCl4-BCl3-H2—Ar反应体系，用化学气相沉积法（CVD）在石墨基体上沉积了TiB2涂层，研究了CVD工艺如沉积温度、气体流量、滞留时间等参数对涂层的物相组成、微晶尺寸、沉积速率、沉积形貌的影响。结果表明，沉积的涂层物相由TiB2组成，随着温度的升高，微晶尺寸增大；当沉积温度为900-950℃、气体总流量...