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傅炜 《固体电子学研究与进展》1994,14(1):22-27
利用GaAsMESFET功率特性的线性化模型,求出GaAsMESFET近似最佳功率负载阻抗,为利用谐波平衡法计算提供初值。然后,使用自行研制的谐波平衡分析软件包,进行GaAsMESFET大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为9.6mm的GaAsMESFET管芯,利用内匹配功率合成技术,在C波段(5.5~5.8GHZ)制成1dB压缩功率大于8W,典型功率增益9dB的GaAsMESFET内匹配功率管。 相似文献
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根据Fourier分析理论推导了全频域分析微波非线性电路的方法,此方法简单明了,适合于分析微波大信号强非线性电路。用此方法对GaAs MESFET微波非线性电路进行分析,给出了实用的分析计算结果。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》1994,(4)
科研成果介绍砷化镓功率场效应晶体管系列GaAsPowerMESFETsSeries南京电子器件研究所已研制成GaAs功率场效应晶体管系列,具有以下特点:。用途广:卫星通讯,移动通讯,微波系统,微波数字通讯,相控阵雷达等设备中的振荡与功放。。高可靠:微... 相似文献
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介绍了X波段1.5W GaAs MMIC的设计,制作和性能测试,包括MESFET大信号模型的建立,电路CAD优化,DOE灵敏度分析及T型栅工艺研究等。微波测试结果为:在频率9.4 ̄10.2GHz下,输出功率大于32dBm,增益大于10dB。 相似文献
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介绍了GaAsMESFET应用在商业软件中的四种非线性CAD模型、PSPICE程序中的STATZ模型、EEsof微波电路模拟程序中的Curtice对称和不对称模型以及QUASI程序中改进的STATZ模型。在给出多种模型DC方程和源漏电容公式的同时,对三种电路模拟程序的应用范围进行了分析。 相似文献
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本文首先分析GaAs MESFET在自升温效应下的升温幅度,然后结合器件电学参数随温度变化的特点,对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。修正后的模型更准确地反映了器件的工作特性,应用于GaAs MESFET功率MMIC CAD中能进一步提高电路的设计精度。 相似文献
8.
根据傅里叶分析理论推导了全频域分析微波非线性电路的方法,此方法简单明了,适合于分析微波大信号强非线性电路,文中用此方法对GaAsMESFET微波非线性电路进行了分析,给出了实用的分析计算结果。 相似文献
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本文重点论述GaAs IC CAD方法,包括:精确的GaAs MEsFET、HEMT和HBT等有源器件模型;大、小信号模型参数提取;噪声模型;成品优化;高频、高速微带传输线模型;电路模拟与优化;砷化镓门阵等。还评述了GaAs IC CAD集成软件包及进一步工作。 相似文献
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本文讲述了微波小信号低噪声场效应晶体管(GaAsFET)放大器的主要特性,提出了该器件在收信系统中的不同使用方案,还对每种方案进行了分析、探讨和系统噪声系数计算。 相似文献
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通信卫星用GaAs微波场效应晶体管可靠性快速评价技术 总被引:2,自引:0,他引:2
叙述了一种快速评价GaAs微波功率场效应晶体管可靠性的方法,利用该方法对GaAs微波功率场效应晶体管CX562进行可靠性评估。 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1996,(2)
控制场效应晶体管(CFET)──一种新型的MMIC控制器件据《IEEE1995M.&MM.W.Monol.Circ.Symp》报道,DavidJ.Seymour等研制成一种微波单片控制电路用的新型GaAs器件──控制场效应晶体管(CFET)。为了降低... 相似文献
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本文提出了一种新的HEMT器件非线性CAD模拟方法,即可以利用PSPICE程序中GaAsMESFET的非线性CAD模型(Statz模型)对HEMT器件进行非线性模拟,并用实验验证了这种方法的正确性。 相似文献
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介绍了 C 波段低端的 Ga As F E T 压控振荡器( V C O)。这种振荡器采用混合参数设计技术,选用新型场效应晶体管( F E T)反沟道电路接法。分析了电路工作原理及影响电压调制带宽的诸因素,提出并解决了一些技术难题,给出了测试结果。结果表明这种 V C O 具有较大的优越性。 相似文献
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本文提出了一种新的HEMT器件非线性CAD模拟方法,即可以利用PSPICE程序中GaAs MESFET的非线性CAD模型对HEMT器件进行非线性模拟,并用实验验证了这种方法的正确性。 相似文献
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本文给出了一种利用GaAs MESFET负阻特性实现的微波单片有源滤波电路,并考虑到MMIC工艺兼容性,提出了一种GaAs MESFET变容管结构,从而实现了滤波器的压控功能。 相似文献