大信号设计GaAs MESFET功率合成

利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ功率特性的线性化模型，求出ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ近似最佳功率负载阻抗，为利用谐波平衡法计算提供初值。然后，使用自行研制的谐波平衡分析软件包，进行ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为９．６ｍｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ管芯，利用内匹配功率合成技术，在Ｃ波段（５．５～５．８ＧＨＺ）制成１ｄＢ压缩功率大于８Ｗ，典型功率增益９ｄＢ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ内匹配功率管。     

GaAs MESFET微波非线性电路全频谐波平衡分析

根据Ｆｏｕｒｉｅｒ分析理论推导了全频域分析微波非线性电路的方法,此方法简单明了,适合于分析微波大信号强非线性电路。用此方法对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ微波非线性电路进行分析,给出了实用的分析计算结果。     

科研成果介绍

科研成果介绍砷化镓功率场效应晶体管系列ＧａＡｓＰｏｗｅｒＭＥＳＦＥＴｓＳｅｒｉｅｓ南京电子器件研究所已研制成ＧａＡｓ功率场效应晶体管系列，具有以下特点：。用途广：卫星通讯，移动通讯，微波系统，微波数字通讯，相控阵雷达等设备中的振荡与功放。。高可靠：微...     

X波段1.5WGaAsMMIC研究

介绍了Ｘ波段１．５Ｗ ＧａＡｓＭＭＩＣ的设计、制作和性能测试,包括ＭＥＳＦＥＴ大信号模型的建立、电路ＣＡＤ优化、ＤＯＥ灵敏度分析及Ｔ型栅工艺研究等。微波测试结果为： 在频率９．４～１０．２ＧＨｚ下, 输出功率大于３２ｄＢｍ , 增益大于１０ｄＢ。     

X波段1.5W GaAs MMIC研究

介绍了Ｘ波段１．５Ｗ ＧａＡｓ ＭＭＩＣ的设计,制作和性能测试,包括ＭＥＳＦＥＴ大信号模型的建立,电路ＣＡＤ优化,ＤＯＥ灵敏度分析及Ｔ型栅工艺研究等。微波测试结果为：在频率９．４￣１０．２ＧＨｚ下,输出功率大于３２ｄＢｍ,增益大于１０ｄＢ。     

GaAs MESFET非线性CAD模型综述

介绍了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ应用在商业软件中的四种非线性ＣＡＤ模型、ＰＳＰＩＣＥ程序中的ＳＴＡＴＺ模型、ＥＥｓｏｆ微波电路模拟程序中的Ｃｕｒｔｉｃｅ对称和不对称模型以及ＱＵＡＳＩ程序中改进的ＳＴＡＴＺ模型。在给出多种模型ＤＣ方程和源漏电容公式的同时，对三种电路模拟程序的应用范围进行了分析。     

自升温效应下的GaAs MESFET大信号模型

本文首先分析ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ在自升温效应下的升温幅度,然后结合器件电学参数随温度变化的特点,对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。修正后的模型更准确地反映了器件的工作特性,应用于ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ功率ＭＭＩＣ ＣＡＤ中能进一步提高电路的设计精度。     

GaAs MESFET微波非线性电路全频域谐波平衡分析

根据傅里叶分析理论推导了全频域分析微波非线性电路的方法,此方法简单明了,适合于分析微波大信号强非线性电路,文中用此方法对ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ微波非线性电路进行了分析,给出了实用的分析计算结果。     

GaAs IC CAD方法

本文重点论述ＧａＡｓ ＩＣ ＣＡＤ方法，包括：精确的ＧａＡｓ ＭＥｓＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＨＢＴ等有源器件模型；大、小信号模型参数提取；噪声模型；成品优化；高频、高速微带传输线模型；电路模拟与优化；砷化镓门阵等。还评述了ＧａＡｓ ＩＣ ＣＡＤ集成软件包及进一步工作。     

最新的通信IC

以下介绍的通信ＩＣ都是各公司１９９６年的最新产品，其品种涉及到ＰＣＳ手机、无绳电话、无线通信、卫星电视、调制解调器、ＦａｓｔＥｔｈｅｒｎｅｔ和ＡＴＭ等。＋３ＶＤＣＰＣＳ手机用分立器件和ＩＣＯｋｉ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ公司开发了一系列８００～１９００ＭＨｚＰＣＳ手机用＋３ＶＤＣ分立器件和ＩＣ。这些器件是用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ技术和硅ＣＭＯＳ技术制作的。ＧａＡｓ器件包括ＫＧＦ１６０６分立ＧａＡｓ场效应管（ＦＥＴ）、ＫＧＦ１６０８分立ＧａＡｓ　ＦＥＴ和ＫＧＦ１２６２中功率ＧａＡｓ单片微波集成电路…     

C波段GaAs功率场效应晶体管可靠性快速评价技术

叙述了一种快速评价ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管的方法——高温加速寿命试验，利用该方法对Ｃ波段ＧａＡｓ功率场效应晶体管ＤＸ００１１进行可靠性评估。在偏置Ｖ＿（ＤＳ）＝８Ｖ，Ｉ＿（ＤＳ）＝３７５ｍＡ，沟道温度Ｔｃｈ＝１１０℃，１０年的失效率λ≈２７ＦＩＴ。其主要失效模式是Ｉ＿（ＤＳＳ）退化，激活能Ｅ＝１．２８ｅＶ。     

微波低噪声场效应晶体管放大器的噪声特性与使用技术

本文讲述了微波小信号低噪声场效应晶体管（ＧａＡｓＦＥＴ）放大器的主要特性，提出了该器件在收信系统中的不同使用方案，还对每种方案进行了分析、探讨和系统噪声系数计算。     

通信卫星用GaAs微波场效应晶体管可靠性快速评价技术

叙述了一种快速评价ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管可靠性的方法，利用该方法对ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管ＣＸ５６２进行可靠性评估。     

GaAs MESFET大信号瞬态模拟

本文采用了大信号瞬态分析方法，从砷化镓（ＧａＡｓ）材料参数和器件几何参数出发，通过求解Ｐｏｉｓｓｉｏｎ方程和连续性方程，模拟出ＦＥＴ器件端口特性，得到了大小信号器件模型不同的定量依据，并在此基础上提取出了ＦＥＴ非线性模型参数．本文所开发的软件，其有效性在从材料器件物理参数出发，一步设计出微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）的ＣＡＤ过程中得到了验证．     

控制场效应晶体管（CFET）──一种新型的MMIC控制器件

控制场效应晶体管（ＣＦＥＴ）──一种新型的ＭＭＩＣ控制器件据《ＩＥＥＥ１９９５Ｍ．＆ＭＭ．Ｗ．Ｍｏｎｏｌ．Ｃｉｒｃ．Ｓｙｍｐ》报道，ＤａｖｉｄＪ．Ｓｅｙｍｏｕｒ等研制成一种微波单片控制电路用的新型ＧａＡｓ器件──控制场效应晶体管（ＣＦＥＴ）。为了降低...     

HEMT器件的非线性模型分析

本文提出了一种新的ＨＥＭＴ器件非线性ＣＡＤ模拟方法，即可以利用ＰＳＰＩＣＥ程序中ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的非线性ＣＡＤ模型（Ｓｔａｔｚ模型）对ＨＥＭＴ器件进行非线性模拟，并用实验验证了这种方法的正确性。     

混合参数高灵敏度微波GaAsFET压控振荡器的研制

介绍了 Ｃ 波段低端的 Ｇａ Ａｓ Ｆ Ｅ Ｔ 压控振荡器（ Ｖ Ｃ Ｏ）。这种振荡器采用混合参数设计技术,选用新型场效应晶体管（ Ｆ Ｅ Ｔ）反沟道电路接法。分析了电路工作原理及影响电压调制带宽的诸因素,提出并解决了一些技术难题,给出了测试结果。结果表明这种 Ｖ Ｃ Ｏ 具有较大的优越性。     

HEMT器件在非线性模型分析

本文提出了一种新的ＨＥＭＴ器件非线性ＣＡＤ模拟方法，即可以利用ＰＳＰＩＣＥ程序中ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的非线性ＣＡＤ模型对ＨＥＭＴ器件进行非线性模拟，并用实验验证了这种方法的正确性。     

微波单片负阻有源压控滤波器设计方法和实验研究

本文给出了一种利用ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ负阻特性实现的微波单片有源滤波电路，并考虑到ＭＭＩＣ工艺兼容性，提出了一种ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ变容管结构，从而实现了滤波器的压控功能。     

砷化镓ASIC电路实用库的研究

本文提出了一种以ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ双层金属布线工艺和ＳＤＦＬ电路形式为基础的ＧａＡｓ６００门门阵列基片的结构，阐述了实用ＧａＡｓ单元库的设计准则和方法，并以全加器为例说明了宏单元库的电路形式、几何结构、内部布线及输入输出的考虑．实用ＧａＡｓ门阵列设计系统已在ＣＯＭＰＡＣＡＤ工作站上建立，文中给出一个用该系统设计的应用实例．