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本工作用透射电镜和X-射线衍射仪对Pt/Ti爆炸复合双金属结合面组织和晶体结构进行了研究。发现界面上有一断续的微晶层,层厚在2μm范围内,层内的晶粒大小由几个nm ̄几百个nm,晶内有层错等晶体缺陷,该层由PtTi、Pt5Ti3、PtTi3等合金化合物组成。 相似文献
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Pt常被用来在金属氧化物半导体上做肖特基接触,在常温下,Pt/TiO2界面处的电子电导对Pt/TiO2肖特基势垒高度的变化非常敏感,本文描述了利用该性质制造的湿敏传感器的性能,并讨论了因水在Pt/TiO2界面处的化学吸附,引起表面Fermi能级改变,影响Pt/TiO2肖特基势垒的高度,从而导致了I-V曲线变化的物理过程,对器件制造过程中的工艺问题所论述。 相似文献
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对具有Al-Si-Pd/TiN/Ti/PtSi/Si(样品A)和Al-Si-Pd/Ti/PtSi/Si两种新型金属化结构的微波管的EB结在不同温度、相同电流条件下进行加速寿命试验,得到其中值寿命相差近一倍,激活能分别为0.92和0.79eV,并给出了在温度和电流力下EB结反向击穿特性的变化规律。 相似文献
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不锈钢-钢爆炸复合板结合区的电子探针研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用金相显微镜和电子探针研究了不锈钢-钢爆炸和爆炸+轧制事板结合区的组织及成分,由此探讨了爆炸焊接和轧制的物理学机理。指出了保证该复合板不锈钢复层耐蚀性的重要性及其方法,从而为这种复合板 正常使用提供了指导。 相似文献
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本文对采用MOD法制备的PLZT(8/65/35)铁电薄膜的电性能进行了研究。MOD法可以在ITO/G,Pt/Ti/Si和Pt/LN基片上制备出具有优良铁电性能的PLZT铁电薄膜,采用Pt下电极的PLZT薄膜,Ps〉32μC/cm^2,而采用ITO电极的也得到了Ps=27μC/cm^2的好结果。本文还讨论了下电极和基片对薄膜电性能的影响。 相似文献
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TiAl合金形变孪晶恢复过程的原位拉伸观察*梁伟杨德庄*赵兴国陆路郑维能(太原工业大学测试中心,太原030024)(*哈尔滨工业大学热处理教研室)(1/6)〈112]{111}形变孪生及(1/2)〈110]普通位错滑移是双相TiAl基合金的两个主要变... 相似文献
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介绍了Ti-Au,Ti-W-Pt-Au,Mo-Au,TiW-AU,TiW-Pt-Au等多种金属膜分别在400,425,450,475和500℃,30分钟等时退火后的显微镜观察和典型样品的俄歇能谱分析结果。结果表明,Ti由于在Au中扩散太快,阻挡性能较差而W,Mo,TiW都有较好的阻挡性能,结合实际应用,TiW-Pt-Au应是同波功率管的金属化的较佳选择。 相似文献
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电极对PZT铁电薄膜性能的影响 总被引:7,自引:1,他引:7
用溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜。以Pt/Ti/SiO2/Si为底电极,Au为上电极,形成金属-铁电薄膜-金属结构的铁电电容器。研究电极对PZT铁电薄膜结构和电性能的影响,实验发现,金属Ti的厚度会影响PZT铁电薄膜的结构。界面层的存在使介电系数、自发极化、矫顽电压、漏电流都与薄膜的厚度有关。 相似文献
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对p-InGaAs的Au/Pt/Ti欧姆接触提供了一种新的制造技术,即在淀积金属之前采用阳极氧化和低能Ar^+离子溅射腐蚀。从RTP之后提供的具有极好均匀性和一致性的低电阻率接触看好,这种清洗工艺优于湿法化学预清洗。 相似文献
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厚膜导体Pd-Ag/Au、Pt-Pd-Au/Au平面复合结构,Pd-Ag/Au立体复合结构可使多种组装技术相互兼容。立体复合结构还可有效地降低导体线电阻,减少线损耗。而且,其超声键合性尤佳 相似文献
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利用ArF准分子脉冲激光沉积工艺在Pt/SiO2/Si衬底上制行了Pb(Zr52Ti48)O3(PZT)薄膜。并用X射线衍射分析方法研究了不同后续热处理对薄膜相组成和相结构转变的影响。 相似文献