镀Ti立方氮化硼（cBN）与玻化SiO_2－Na_2O－B_2O_3结合剂的作用

为了防止玻化ＳｉＯ２－Ｎａ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３结合剂烧结时对立方氨化硼（ｃＢＮ）的侵蚀，并实现ｃＢＮ晶体与结合剂间的化学键结合，本文用ＤＴＡ、ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＰＭＡ等研究了Ｔｉ镀层与ＣＢＮ界面在６００～１２００℃温度范围的界面反应过程及界面成分结构特征，讨论了镀ＴｉｃＢＮ与结合剂复合体在烧结过程中的成分结构及性能．结果表明：Ｔｉ镀层与ｃＢＮ晶体在６００℃以上，以反应扩散的形式发生界面反应形成ＴｉＮ，８００℃以上形成ＴｉＢ２及ＴｉＢ，这些在ｃＢＮ表面外延生长的难熔化合物使Ｔｉ镀层与ｃＢＮ牢固结合并阻止了结合剂中的碱性组分对ｃＢＮ的侵蚀，镀ＴｉｃＢＮ晶体与结合剂则由低价的氧化钛为中介实现良好结合．     

Nb镀层对c—BN—玻化陶瓷结合剂界面成分结构的影响

用ＤＴＡ、ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＰＭＡ等研究了Ｎｂ镀层与ｃ－ＢＮ晶体在６００－１０００℃范围的界面反应过程、界面成分和结构特征，讨论了烧结时Ｎｂ镀层与ＳｉＯ２－Ｎａ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３玻化结合剂的作用，结果表明：Ｎｂ镀与ｃ－ＢＮ晶体在６００℃以上发生界面反应，外延生长形成ＮｂＮ，８００℃以上形成ＮｂＢ２，它们使Ｎｂ镀层与ｃ－ＢＮ牢固结合并阻止结合剂中的碱性组分对ｃ－ＢＮ的侵蚀，镀Ｎｂ的ｃ－ＢＮ表层的Ｎｂ则作     

Nb镀层对c－BN－玻化陶瓷结合剂界面成分结构的影响

用ＤＴＡ、ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＰＭＡ等研究了Ｎｂ镀层与ｃ－ＢＮ晶体在６０－１０００℃范围的界面反应过程、界面成分和结构特征，讨论了烧结时Ｎｂ镀层与ＳｉＯ２—Ｎａ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３玻化结合剂的作用．结果表明：Ｎｂ镀层与ｃ—ＢＮ晶体在６００℃以上发生界面反应，外延生长形成ＮｂＮ，８００℃以上形成ＮｂＢ２，它们使Ｎｂ镀层与ｃ－ＢＮ牢固结合并阻止结合剂中的磁性组分对ｃ－ＢＮ的侵蚀，镀Ｎｂ的ｃ－ＢＮ表层的Ｎｂ则作为活性金属实现与玻化结合剂的化学健合．     

La2O3—TiO2系陶瓷物相与介电性能研究

固相法合成Ｌａ２Ｏ３－ＴｉＯ２系陶瓷介质材料,ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＤＳ分析其结构、形貌和成分。高精度电容测量仪测试其介电性能。Ｌａ２Ｏ３／ＴｉＯ２比１∶２、２∶１９组分可获得极低介质损耗,ＸＲＤ分析主晶相为Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７和Ｌａ４Ｔｉ９Ｏ２４。Ｌａ２Ｏ３／ＴｉＯ２比１∶３组分可获得Ｌａ２／３ＴｉＯ３、Ｌａ４Ｔｉ９Ｏ２４复相、缺陷型钙钛矿相Ｌａ２／３ＴｉＯ３不利于介质损耗降低。ＥＤＳ分析表明晶界富集Ｓｉ杂质,有效促进了液相烧结。     

TiO2和ZrO2在B2O3—MgO—SiO2系晶化过程中的作用

采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），差热分析（ＤＴＡ），扫描电镜（ＳＥＭ）和红外光谱（ＩＲ）等手段研究了ＴｉＯ２和ＺｒＯ２对Ｂ２Ｏ３－ＭｇＯ－ＳｉＯ２渣中含硼组分晶化行为的影响，结果表明，ＴｉＯ２和ＺｒＯ２作为晶核剂加入后，促进分相，降低了晶化活化能，有利于含硼组分以２ＭｇＯ．Ｂ２Ｏ３和３ＭｇＯ．Ｂ２Ｏ３，析出，加入ＴｉＯ２改变了硼渣结构，产生更多有利于２ＭｇＯ．Ｂ２Ｏ３和３ＭｇＯ．Ｂ２Ｏ３析出的（Ｂ２Ｏ５     

K2O—B2O3—SiO2玻璃成分对析晶性能的影响

本文利用ＤＴＡ、ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＳＥＭ等技术研究了三种Ｋ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２玻璃的析晶性能。结果表明，Ｋ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２玻璃的析晶由分相引起，分相和析昌能力受成分影响较大，随Ｂ２Ｏ３和Ｋ２Ｏ含量增多及Ｋ２Ｏ／Ｂ２Ｏ３比值的降低，析晶加强，析晶主晶相类别尚未查清，次晶相确定为α－方石英。     

流态化CVD制备TiO2—Al2O3复合粒子

本文探讨了流态化ＣＶＤ反应器中Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４水解制备ＴｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３复合粒子新工艺，借助于ＳＥＭ、ＴＥＭ、ＢＥＴ、ＸＲＦ和ＥＰＭＡ等现代测试手段研究了复合粒子结构和包覆过程特征。结果表明，在流态化ＣＶＤ反应器中Ａｌ２Ｏ３超细颗粒以团聚体形式存在，ＴｉＯ２包覆量随Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４进料浓度升高而增加，但反应温度影响不大；在包覆过程中，同时存在成核和成膜，成核包覆使复合粒子比表面积增加，成     

冷却速度和添加剂对SiO2—Al2O3—CaO（MgO—Fe2O3—Na2O）系玻璃分相的影响

运用ＸＲＤ，ＳＥＭ，ＤＴＡ和化学分析等手段研究了不同冷却速度及添加剂对ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＣａＯ（ＭｇＯ－Ｆｅ２Ｏ３－Ｎａ２Ｏ）系玻璃分相及性能的影响，结果发现不同冷却速度处理对玻璃的分相有明显影响，使玻璃呈不同颜色其中冷却速度为１５℃＝ｍｉｎ处理得到玻璃其抗折强度高于６００℃退火玻璃。     

TiO_2对ZrO_2－NiCr金属陶瓷烧结特性和相稳定性的影响

本文研究了ＴｉＯ２掺入对ＣａＯ稳定ＺｒＯ２（简称ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ）金属陶瓷烧结特性的影响，测定了ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ－ＴｉＯ２金属陶瓷烧结样品的密度和显微硬度，结果表明，ＴｉＯ２的掺入能提高ＣａＳＺ－ＮＩＣｒ金属陶瓷的烧结密度和显微硬度，对ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ金属陶瓷有助烧结作用．金相观察表明，ＴｉＯ３的掺入改变了ＮｉＣｒ相在金属陶瓷中的形貌，说明了ＮｉＣｒ与ＣａＳＺ的浸润性有一定的改善．ＸＲＤ和ＥＰＭＡ分析结果显示，ＴｉＯ２偏聚在ＮｉＣｒ金属相中，不影响ＣａＳＺ的稳定性．     

TiO2对ZrO2—NiCr金属陶瓷烧结特性和相稳定性的影响

本文研究了ＴｉＯ２掺入对ＣａＯ稳定ＺｒＯ２（简称ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ）金属陶瓷烧结特性的影响，测定了ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ－ＴｉＯ２金属陶瓷烧结样品的密度和显微硬度，结果表明，ＴｉＯ２的掺入能提高ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ金属陶瓷的烧结密度和显微硬度，对ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ金属陶瓷有助烧结作用。金相观察表明，ＴｉＯ２的掺入改变了ＮｉＣｒ相在金属陶瓷中的形貌，说明了ＮｉＣｒ与ＣａＳＺ的浸润性有一定的改善。ＸＲＤ和Ｅ     

SiC—AlN—Y2O3复相陶瓷的制备与性能

通过热压烧结技术，ＳｉＣ、ＡｌＮ和Ｙ２Ｏ３粉末混合体在１９２０￣２０５０℃、Ａｒ气氛下形成了致密的复相陶瓷。在室温下ＳｉＣ－ＡｌＮ－Ｙ２Ｏ３复相材料的抗弯强度和断裂韧性分别达到６００ＭＰａ和７ＭＰａ·ｍ＾１／２以上。运用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＴＥＭ分析致密样品的断裂裂纹、形貌和组成。ＳｉＣ－ＡｌＮ－Ｙ２Ｏ３复相陶瓷在１３７０℃氧化试验３０ｈ，其氧化产物为莫来石。     

MgO—B2O3—SiO2—Al2O3—CaO中含硼组分析晶动力学

根据玻璃形成动力学理论，计算了ＭｇＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＣａＯ渣系中含硼组分２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３的成核速度（Ｉ）和晶体长大速度（Ｕ），获得了２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３晶体形成的最佳温度．采用化学分析、Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）和差热分析（ＤＴＡ）等方法研究了热处理温度对ＭｇＯ—Ｂ２Ｏ３—ＳｉＯ２—Ａｌ２Ｏ３—ＣａＯ渣系硼提取率的影响．结果表明：硼渣最佳热处理温度与２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３晶体形成最佳温度一致。     

Al2O3—SiO2—TiO2复合陶瓷薄膜的制备与结构

本文利用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备了Ａｌ２Ｏ－ＳｉＯ２－ＴｉＯ２复合陶瓷薄膜，讨论了主要内容是体系成分（Ａｌ：Ｓｉ：Ｔｉ摩尔比）对落膜制备过程及结构的影响。通过分步水解法可以得到稳定的Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＴｉＯ２复合溶胶，进而制备复合陶瓷薄膜。组分间的静电作用是溶胶凝结的原因。三组分中，Ｓｉ／Ｔｉ摩尔比是决定溶胶稳定性的主要因素。通过ＸＲＤ对薄膜的相组成进行了分析，表明复合薄膜由Ａｌ４Ｔｉ２ＳｉＯ１２     

SiC—TiB2复相陶瓷的EPMA—EDS图象分析

讨论了ＥＰＭＡ－ＥＤＳ图象分析技术在材料研究中的特点及分析方法，对ＳｉＣ－ＴｉＢ２复相陶瓷中的ＴｉＢ２相的尺寸，周长及所占面积等几何参数进行了分析。并研究了ＴｉＢ２相的平均直径及面积与力学性能的关系。     

K_2O－B_2O_3－SiO_2玻璃成分对析晶性能的影响

本文利用ＤＴＡ、ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＳＥＭ等技术研究了三种Ｋ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２玻璃的析晶性能。结果表明，Ｋ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２玻璃的析晶由分相引起，分相和析晶能力受成分影响较大。随Ｂ２Ｏ３和Ｋ２Ｏ含量增多及Ｋ２Ｏ／Ｂ２Ｏ３比值的降低，析晶加强。析晶中主晶相类别尚未查清，次晶相确定为α－方石英。     

Sc2O3稳定的ZrO2超细粉的制备与烧结

本文用化学共沉淀法制备了Ｓｃ２Ｏ３稳定的ＺｒＯ２纳米超细粉。用ＸＲＤ，ＴＥＭ，ＳＥＭ以及ＢＥＴ测比表面等方法分析了粉体和烧结体的相组成的显微结构及其性能。实验结果表明６．０、７．８、９．６ｍｏｌ％Ｓｃ２Ｏ３掺杂量的粉体易于烧结，而３．５、１２．０ｍｏｌ％Ｓｃ２Ｏ３掺杂量的粉体则不易烧结，原因在于样品冷却过程中相变引起的体积变化以及烧结体中双重显微结构的存在。     

TiB2的含量对Al2O3／TiB2陶瓷材料的高温氧化行为的影响

研究了不同ＴｉＢ２含量的Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２陶瓷材料的高温氧化行为。用ＸＲＤ和ＳＥＭ分析材料氧化后的相组成及显微结构，探讨了该材料的氧化机理和氧化膜的破坏方式。结果表明，不同ＴｉＢ２含量的Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２陶瓷材料在１４００℃空敢中氧化３０ｈ的氧化增重符合抛物线规律。     

用Y2O3—Al2O3—SiO2—Si3N4钎料连接氮化硅复相陶瓷

研究了用Ｙ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４,钎料对氮化硅复相陶瓷的连接。对连接界面进行了ＳＥＭ,ＥＰＭＡ和ＸＲＤ分析,接头强度随着保温时间,连接温度的增加而逐渐增加。在达到峰值后,连接强度逐渐降低,在ＹＡＳ钎料中添加氮化硅,可以降低接头界面的热应力,改善接头强度。     

TiO2—K2O—Y2O3—SiO2陶瓷薄膜结露元件的制备及其湿敏性能研究

采用淀粉产法制备了ＴｉＯ２－Ｋ２Ｏ－Ｙ２Ｏ３－ＳｉＯ２（Ｔｉ：Ｋ：Ｙ：Ｓｉ＝１：０．１＋０．０４＋０．０５,摩尔比）陶瓷薄膜结露元件,研究了陶瓷粉末和薄膜的结构以及元件的感湿性能。６００℃热处理后,陶瓷粉末和薄膜主要由锐钛矿型Ｔdisplay status     

Ti对C—B4C—SiC复合材料显微结构与性能的影响

本文就烧结助剂Ｔｉ对Ｃ－Ｂ４Ｃ－ＳｉＣ碳／陶复合材料显微结构与性能的影响进行了研究，Ｘ射线衍射表明Ｔｉ在烧结温度下与Ｂ发生反应在晶界生成ＴｉＢ２，并产生液相，有效地促进了Ｃ－Ｂ４Ｃ－ＳｉＣ复合材料的烧结，抑制了晶粒的长大，使复合材料密度与强度大幅度地增加，电阻率下降，同时ＴｉＢ２的氧化时生成致密的ＴｉＯ２，包裹子易氧化的Ｂ４Ｃ和Ｃ，使制品难氧化，从而大大提高了制品的抗氧化性能。